中国最大闪存芯片制造商长江存储在美起诉美光

中国最大闪存芯片制造商长江存储在美起诉美光 中国最大闪存芯片制造商长江存储，在美国法院起诉美国存储芯片公司美光科技以及子公司侵犯其八项美国专利。 第一财经星期六（11月11日）从美国加利福尼亚北区法院公布的信息了解到，长江存储已于星期四（11月9日）起诉美光及全资子公司美光消费产品集团侵犯其八项美国专利。长江存储在专利侵权起诉书中称，诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。 长江存储是中国最大的闪存芯片（3D NAND Flash）制造厂商。长江存储在起诉书中提到，美光使用长江存储的专利技术，以抵御来自长江存储的竞争，并获得和保护市场份额。诉讼旨在解决以下问题的一个方面：美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash市场来阻止竞争和创新。 长江存储也在起诉书中称，长江存储不再是新秀，而已成为全球3D NAND市场的重要参与者。长江存储称，去年11月，分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论：长江存储是3D NAND闪存领域的领导者，超过了美光。 根据第一财经，NAND Flash和DRAM是目前最主要的两种存储介质，NAND Flash可制造固态硬盘（SSD）等存储器，用于手机、服务器、PC等产品。集邦咨询数据显示，今年第二季度，全球NAND Flash品牌厂商中，三星、铠侠、SK Group、西部数据、美光的市占率分别为31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%，其他厂商占比仅3.8%。 美国商务部工业和安全局2022年10月发布出口管制新规，限制对中国出口芯片制造设备等，将长江存储NAND Flash芯片层数卡在已量产的最新工艺上。当年12月，美国又将长江存储纳入出口管制实体清单。 ... 2023年11月12日 2:32 PM

长江存储秘密开发新闪存 还是232层 但不排除隐藏大招

长江存储秘密开发新闪存 还是232层 但不排除隐藏大招 （英文） 下一代的晶栈 Xtacking 4.0，首批有两个版本，其中X4-9060是128层的TLC，X4-9070是232层的TLC，后续是否还有QLC暂不清楚。 有趣的是，其他的中文媒体在报道后撤稿了

长江存储突破QLC闪存寿命 做到4000次P/E

长江存储突破QLC闪存寿命 做到4000次P/E 不过，长江存储凭借独特、优秀的Xtacking晶栈架构设计，走出了属于自己的特色道路，闪存寿命可靠性大大提升。比如长江存储新一代的QLC 3D NAND闪存，内部代号“X3-6070”，就有着极为优秀的素质，可满足企业级、消费级、嵌入式全场景的应用需求。根据官方介绍，长江存储X3-6070 QLC闪存的IO接口传输速度达到了2400MT/s，相比上代的1600MT/s提升了足足50％，同时读取、写入速度都有着接近100％的提升。更不可思议的是可靠性和寿命，它的P/E居然能做到惊人的4000次，是普通QLC闪存的4倍！据长江存储的工作人员透露，他们的QLC闪存之所以能做到这一点，一方面来自独特的Xtacking晶栈架构，另一方面也是工艺和技术日渐成熟的结果。当然，不是所有的QLC都能达到这么高的水平，一要看具体品质和良品率，而要看用在什么领域，比如企业级SSD上使用的肯定寿命更长一些。比如说去年9月份发布的致态Ti600，是长江存储首款采用QLC闪存的SSD产品，面向消费级市场，其性能可媲美高端的PCIe 4.0 SSD。它的具体P/E次数没有公开。考虑到这类产品的写入放大一般在3-5倍，再加上固件算法设置等因素，倒推致态Ti600 SSD的P/E大概在2000次左右，是普通QLC的两倍左右，相当可靠了。同时，致态Ti600 1TB版本的最大写入量多达400TBW，按照五年保质期计算，平均每天可以写入219GB，完全能够满足消费级用户的使用。值得一提的是，在OEM领域，长江存储的下一代PC41Q SSD也将引入QLC，可用于笔记本、台式机、一体机等设备。它支持PCIe 4.0 x4、NVMe 1.4，读写带宽5.5GB/s，动态功耗低于4W，PS4待机功耗低于2mW。可靠性和数据保持能力方面也足以媲美TLC闪存，比如说平均故障间隔时间达200万小时，可以在30℃环境下稳定保存数据1年之久。可以说，QLC闪存已经到了真正可以普及的新阶段，尤其是长江存储的QLC，完全可以让普通消费者乃至企业级客户都放心长期使用，无论性能还是寿命都无需任何顾虑。 ... PC版： 手机版：

长江存储新一代长寿命QLC闪存已实现4000次PE

长江存储新一代长寿命QLC闪存已实现4000次PE 它的IO接口速度达到了2400MT/s，相比上代的1600MT/s提升了足足50％，同时读取、写入速度都有着接近100％的提升。更不可思议的是可靠性和寿命，P/E编程擦写循环居然能做到惊人的4000次，是上代产品的4倍！要知道，常规的MLC闪存也只能做到3000次左右的P/E，TLC闪存初期仅为100-150次，成熟后不过1000次左右，企业级增强版也只有3000次。据长江存储的工作人员透露，他们的QLC闪存之所以能做到4000次P/E，一方面来自独特的Xtackig精湛架构，另一方面也是工艺和技术日渐成熟的结果。当然，不是所有的QLC都有这么高的水平，仅限企业级产品，而且要看良品率，消费级最高可以做到2000次左右。具体到实际产品中，情况也会有所不同，要看产品定位和设计，要结合写入放大因素，比如长江存储自有品牌的首款QLC产品，致态Ti600，估计只有600次左右。在OEM领域，长江存储的下一代PC41Q将引入QLC，可用于笔记本、台式机、一体机等。它支持PCIe 4.0 x4、NVMe 1.4，读写带宽5.5GB/s，动态功耗低于4W，PS4待机功耗低于2mW，并拥有媲美TLC的高可靠性和数据保持能力，平均故障间隔时间达200万小时，可以在30℃环境下稳定保存数据1年之久。除了QLC闪存外，长江存储还展示了企业级SSD和嵌入式UFS/eMMC等产品。 ... PC版： 手机版：

铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3D NAND闪存

铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3D NAND闪存 至于使用什么样的新技术、新工艺才能达到1000多层，铠侠没有明说。目前堆叠层数最多的闪存技术来自SK海力士，达到了321层，不过要到2025年上半年才能量产。有趣的是，三星方面此前声称，计划在2030年实现1000层闪存(SSD容量也规划到了1000TB)，不知道和铠侠谁能最先做到。三星的V-NAND已经推进到第九代，将在明年初量产，基于双堆栈架构，可达成业界最高堆叠层数，预计超过300层，再往后的第十代则会达到430层左右。 ... PC版： 手机版：