华擎发布 H670 / B660 / H610 系列主板：含 Mini-ITX 规格，支持 PCIe 5.0

华擎发布 H670 / B660 / H610 系列主板：含 Mini-ITX 规格，支持 PCIe 5.0 微星发布 H670 / B660 / H610 主板，提供 DDR4 和 DDR5 双版本

联芸PCIe 5.0 SSD主控猛虎下山 峰值14.8GB/s

联芸PCIe 5.0 SSD主控猛虎下山 峰值14.8GB/s MAP1803面向企业级PCIe 5.0，封装尺寸23×23毫米，因为功耗和发热量较大而覆盖了散热顶盖。它支持PCIe 5.0 x4、NVMe 2.0、4K LDPC纠错，支持16个通道、8个CE，最大容量64TB，最高速率3200MT/s。性能方面，顺序读写最高可以达到14GB/s、13.5GB/s，随机读写则可达350万IOPS、450万IOPS。MAP1802是高端消费级方案，封装尺寸仅为9×13毫米，非常迷你，不需要散热顶盖，但依然非常彪悍。该有的技术它都不缺，只是降为4个通道，最大容量8TB，但支持的闪存速率反而提高到4800MT/s。因此它的性能可以飚到更高，顺序读写能达14.8GB/s、14.4GB/s，随机读写也能有340万IOPS、350万IOPS，是迄今最高水准。MAP1806的设定略有不同，封装尺寸略大一些为11×14.5毫米。它改为8个通道、4个CE，最高频率3600MHz，最大容量16TB。性能方面，顺序读写也能有14.5GB/s、14GB/s，甚至超过了企业级方案，而随机读写是最好的，都可以达到350万IOPS。联芸PCIe 5.0/4.0/3.0 SSD方案合集联芸SATA SSD、PCIe 3.0 SSD、UFS 3.1/4.1主控联芸主控终端产品 ... PC版： 手机版：

Silicon Motion展示低功耗PCIe 5.0 SSD控制器SM2508

Silicon Motion展示低功耗PCIe 5.0 SSD控制器SM2508 作为 PCIe Gen5 x4 控制器，SMI 的 SM2508 拥有 3.5 瓦的超低功耗。该公司表示，将其安装在 M.2 固态硬盘中，可使硬盘制造商制造出 7 瓦（或更低）的固态硬盘。SM2508 采用台积电的 N6 工艺技术制造，这是一个 7 纳米级的光缩制造节点，出货后将成为市场上最先进的控制器之一。相对复杂的节点使 Silicon Motion 能够在控制功耗的同时，在控制器中集成更多的内核和功能，更不用说芯片尺寸了。SM2508 SSD 控制器的前端基于四个 Arm Cortex-R8 内核，这将使其成为一个功能强大的控制器（作为对比，Phison 的 E26 是两个 Arm Cortex R5 内核加一个加速器）。该控制器还将与 DRAM 配合使用，支持 DDR4 和 LPDDR4。芯片后端提供 8 个 NAND 通道和 32 个 CE 目标，支持 3600 MT/s 的接口速度。SMI 称，该控制器的连续读取速度最高可达 14.5GB/秒，写入速度最高可达 14GB/秒，4K 随机读写性能最高可达 250 万 IOPS。SMI 在 Computex 上演示的硬盘甚至比这还要好，在 CrystalDiskMark 下达到了 14.9GB/sec 的读取速度。目前，Silicon Motion 及其合作伙伴正在最后确定 SM2508 的固件，并对其与不同制造商的 TLC NAND 进行验证，该芯片还支持 QLC NAND。在 Computex 上，Silicon Motion 在其展位上展示了 SM2508 硬盘的实际运行情况。多家硬盘制造商也在现场展示了基于 SM2508 的硬盘，不过只是静态样品。 ... PC版： 手机版：