史上最薄的iPhone 16显示屏边框仍是一众OLED供应商的难题

史上最薄的iPhone 16显示屏边框仍是一众OLED供应商的难题 据The Elec在一篇讨论 OLED 显示屏的报道中称，苹果希望在 iPhone 16 OLED 显示屏的底部边框上使用边框缩小结构 (BRS)。生产方面的问题是，要做得更薄就需要更高的精度，边框下的电路需要比以前的产品放置得更紧密。电路的一些接线也需要向下弯曲，这就大大增加了设计和生产显示器的难度。这一棘手的设计变更已经给苹果公司的常用供应商带来了问题。据称，到目前为止，还没有一家公司能确保使用这种技术生产的 iPhone OLED 产量达到苹果公司要求的水平。3月20日的一则传言称，通过使用 BRS，iPhone 16 系列的边框将达到目前最薄。该报道称，由于散热问题，底部边框变薄存在问题。削减成本报道还讨论了 LG Display 在 iPhone 16 OLED 显示屏供应链方面的变化。据说，LG Display 将分拆其显示驱动 IC (DDI) 芯片的采购，以节省成本。显示驱动器集成电路（DDI）是一种通过薄膜晶体管控制显示像素的芯片，是 OLED 显示器的重要组成部分。此前，LG Display 依靠 LX Semicon 供应 DDI，但据称它将于 2024 年晚些时候开始从 Novatech 购买芯片。据说 LG 此举是为了降低生产成本，为自己的供应链引入竞争。与此同时，LG Display 的 iPhone OLED 出货量也在增长，预计同比增长 20%。尽管理论上 LG 向苹果的订单有所增长，但预计三星显示器公司仍将是 OLED iPhone 显示屏出货量最多的供应商。据报道，2023 年，LG 的 iPhone OLED 出货量将达到 5250 万部，而三星显示器的出货量将在 1 亿部左右。此举可能对 LX Semicon 不利，因为据推测，如果 Novatech 的 DDI 出货量大，即使 LG Display 的产量增长，其订单量也可能整体减少。2024 年，三星显示器和京东方将保持与 2023 年相同的 DDI 链。LX Semicon 为京东方提供服务，而三星电子系统 LSI 则为三星显示器提供芯片。虽然The Elec在设备功能方面不一定有良好的记录，但它对供应链活动的报告一般要好得多，而且相当可靠。对于显示器生产商来说，降低成本是一项至关重要的工作，尤其是考虑到潜在的微薄利润。三月份的一则传言称，三星显示器公司退出了为新款iPhone SE4 生产显示屏的竞争。苹果希望每块显示屏的价格在 25 美元左右，而三星显然不能低于每块 30 美元。 ... PC版： 手机版：

三星为今年一月发布的新款 OLED G8 游戏显示器上增加了一些新功能，包括防止 OLED 烧屏的保护措施和 AI 驱动的内容和

三星为今年一月发布的新款 OLED G8 游戏显示器上增加了一些新功能，包括防止 OLED 烧屏的保护措施和 AI 驱动的内容和游戏分辨率提升。32 英寸的 Odyssey OLED G8（型号 G80SD）现在售价为 1,299.99 美元，比去年三星发布的首款 1,499.99 美元的 OLED 游戏显示器便宜了一点。 三星表示，G80SD 型号是其首款 AI 驱动的游戏显示器，采用了与其最近发布的 2024 Neo QLED 8K 电视相同的 NQ8 AI Gen3 处理器。根据三星的说法，这款芯片支持显示器的 AI 升级功能，使得通过显示器内置的智能电视应用和游戏中心运行的内容和游戏可以升级到接近 4K 的分辨率。 公司还更新了 G80SD 的冷却系统，以减轻 OLED 烧屏问题，增加了一种专有的“脉动热管”到显示器中。三星表示，这种方法比之前使用的石墨片散热效果高出五倍。显示器还可以检测并自动降低静态图像的亮度，比如任务栏或游戏中的抬头显示。 标签: #三星 #AI #DMA 频道: @GodlyNews1 投稿: @GodlyNewsBot

苹果公司今年将生产850万台OLED iPad Pro机型

苹果公司今年将生产850万台OLED iPad Pro机型 对于即将推出的 11 英寸和 13 英寸 iPad Pro 机型，苹果依靠的是不同的 OLED 显示屏供应商，三星显示公司专门生产 11 英寸面板，而 LG 显示公司则生产 13 英寸面板。根据目前的订单，三星将在 2024 年生产 400 万片，而 LG 则将在 2024 年生产 450 万片，这或许表明较大的机型预计会略微更受欢迎。业内人士称，分工的原因是苹果对 OLED iPad Pro 机型的需求前景发生了变化，以及两家供应商的产能和产量不稳定，它们都还在摸索苹果对新面板技术的要求。据传，苹果公司的目标是实现"无与伦比"的显示质量，以及减少 iPad Pro 机型厚度和重量的设计。最近泄露的即将上市机型的CAD 图纸让我们对这些平板电脑的厚度有了更清楚的了解。例如，较大的 iPad Pro 将薄 1 毫米以上。苹果向三星和 LG 订购的 OLED 面板数量可能会在生产初始数量后发生变化，这取决于产量的波动和苹果对新款 OLED iPad Pro 机型需求预测的可能调整。据悉，苹果最新的出货量预测比去年预计的 2024 年的 1000 万台有所下降。苹果公司的 iPad Pro 机型预计也将升级到速度更快的 3 纳米 M3 芯片，并有可能采用 MagSafe 磁性充电接口。此外，苹果公司预计还将销售配备全新 Magic Keyboard 和升级版 Apple Pencil 的设备。 ... PC版： 手机版：

Google Pixel 10将采用台积电3nm工艺制造的Tensor G5芯片

Google Pixel 10将采用台积电3nm工艺制造的Tensor G5芯片 苹果公司一直以来都是台积电的主要客户，在竞争对手介入之前就获得了最先进的芯片技术，这种合作关系使双方在性能和利润方面都受益匪浅。此前有报道称，Google和台积电达成了一项协议，允许芯片制造商为Google的 Pixel 系列开发完全定制的 Tensor G 系列芯片。如果Google与台积电合作得当，没有出现供应紧张的情况，那么 Tensor G5 将成为台积电专门为 Pixel 系列推出的首款芯片。到目前为止，我们已经听说Google正在为其芯片开发测试设备，而根据Business Korea的最新报道，首款台积电芯片将采用 3 纳米工艺制造。这可能会使Google Pixel 系列接近当前 iPhone 机型的性能水平。然而，苹果在芯片技术和性能方面远远领先于竞争对手。当Google推出用于 Pixel 手机的 3 纳米 Tensor G5 芯片时，苹果将致力于推出用于 iPhone、iPad 和 Mac 的2 纳米或 1.4 纳米芯片。不过，Google的 Pixel 品牌设备在竞争中并不占优势，因为联发科（MediaTek）和高通（Qualcomm）预计也会在即将推出的产品中采用 3 纳米工艺。在生成式人工智能技术时代，设备上的处理需要原始动力，而 3nm 芯片是设备的基本起点，至少对 iPhone 而言是如此。新的芯片技术将使 Pixel 设备拥有更好的计算和图形性能，同时为设备上的人工智能实用程序提供巨大的空间。Google目前的 Tensor G3 芯片采用的是 4nm 工艺，该技术也将应用于 Pixel 9 系列。我们可以预计，第十代 Pixel 手机将采用全新改进的 3nm 芯片。另一方面，三星似乎正在为其 3nm 芯片而苦苦挣扎，因为效率问题导致良品率相当低。与台积电的 3nm 芯片相比，三星 Exynos 2500 芯片的散热量减少了 10% 到 20%，但能效却更低。Google对芯片技术的演绎及其潜在性能的发挥还取决于该公司在软件和硬件之间的优化，这可能决定 Pixel 手机未来体验的好坏。 ... PC版： 手机版：

传华为降低麒麟9000型号的供应量 重点转向新的5nm SoC和PC芯片

传华为降低麒麟9000型号的供应量 重点转向新的5nm SoC和PC芯片 华为还将重点关注其自主研发的 HarmonyOS Next 平台，该平台将针对下一代麒麟芯片组进行优化。华为关注的不仅仅是智能手机和平板电脑，早前有传言称，这家前中国巨头正在ARM PC领域抢夺苹果的市场份额，并在高通公司的骁龙X Elite尚未出现在首批机器上时就对其构成了威胁。在华为代工合作伙伴中芯国际的帮助下，华为将致力于推出下一代芯片组，这些芯片组在技术上将逊于台积电和三星生产的产品，但优于之前的迭代产品。据爆料者数码闲聊站称，通过降低所有麒麟 9000 版本的供应量，它们的定价也随之降低。假设华为想在中国瞄准入门级或中端市场，那么它可以在更实惠的产品中重新推出麒麟 9000S 或麒麟 9000W。随着麒麟 9000 变体的优先级慢慢降低，华为接下来会专注于两个领域：其首款 5 纳米芯片组和即将推出的"麒麟 PC 芯片"。早前来自韩国报道称，中芯国际已在老式 DUV 机器上成功开发出 5 纳米工艺，并可能在今年晚些时候开始量产晶圆。据传，华为将把其首款 5nm 芯片组称为麒麟 9100，预计将在10 月份供应该公司的Mate 70 系列。此外，"麒麟 PC 芯片"可能会在 5 月底或 6 月发布，据传其多核性能几乎与苹果的 M3 相当。芯片开发和硬件是华为追求的两个方面，软件则是另一个方面。该公司打算完全摆脱对Google Android 操作系统的依赖，推出自主开发的新平台HarmonyOS Next，据说该平台将在 Mate 70 系列和未来的个人电脑上运行。为了实现这一目标，其代工合作伙伴中芯国际将不得不组织更多资源，这意味着麒麟 9000 的产量将减少。 ... PC版： 手机版：

台积电准备推出基于12和5nm工艺节点的下一代HBM4基础芯片

台积电准备推出基于12和5nm工艺节点的下一代HBM4基础芯片 访问：NordVPN 立减 75% + 外加 3 个月时长 另有NordPass密码管理器 作为 2024 年欧洲技术研讨会演讲的一部分，台积电提供了一些有关其将为 HBM4 制造的基础模具的新细节，这些模具将使用逻辑工艺制造。由于台积电计划采用其 N12 和 N5 工艺的变体来完成这项任务，该公司有望在 HBM4 制造工艺中占据有利地位，因为内存工厂目前还不具备经济地生产这种先进逻辑芯片的能力（如果它们能生产的话）。对于第一波 HBM4，台积电准备采用两种制造工艺：N12FFC+ 和 N5。虽然它们的目的相同将 HBM4E 内存与下一代 AI 和 HPC 处理器集成，但它们将以两种不同的方式连接用于 AI 和 HPC 应用的高性能处理器内存。台积电设计与技术平台高级总监表示："我们正与主要的 HBM 存储器合作伙伴（美光、三星、SK 海力士）合作，在先进节点上实现 HBM4 全堆栈集成。N12FFC+高性价比基础芯片可以达到HBM的性能，而N5基础芯片可以在HBM4速度下以更低的功耗提供更多的逻辑。"台积电采用 N12FFC+ 制造工艺（12 纳米 FinFet Compact Plus，正式属于 12 纳米级别的技术，但其根源来自台积电久经考验的 16 纳米 FinFET 生产节点）制造的基础芯片将用于在系统级芯片（SoC）旁边的硅中间件上安装 HBM4 存储器堆栈。台积电认为，他们的 12FFC+ 工艺非常适合实现 HBM4 性能，使内存供应商能够构建 12-Hi(48 GB) 和 16-Hi 堆栈（64 GB），每堆栈带宽超过 2 TB/秒。高级总监说："我们还在为 HBM4 优化 CoWoS-L 和 CoWoS-R。CoWoS-L和CoWoS-R都[使用]超过八层，以实现HBM4的2000多个互连的路由，并具有[适当的]信号完整性"。N12FFC+ 上的 HBM4 基础芯片将有助于使用台积电的 CoWoS-L 或 CoWoS-R 先进封装技术构建系统级封装 (SiP)，该技术可为内插件提供高达 8 倍网纹尺寸的空间，足以容纳多达 12 个 HBM4 存储器堆栈。根据台积电的数据，目前，HBM4 在电流为 14mA 时的数据传输速率可达 6 GT/s。台积电代表解释说："我们与 Cadence、Synopsys 和 Ansys 等 EDA 合作伙伴合作，对 HBM4 通道信号完整性、IR/EM 和热精度进行认证。"同时，作为更先进的替代方案，内存制造商还可以选择台积电的 N5 工艺来生产 HBM4 基础芯片。采用 N5 工艺的基础芯片将包含更多的逻辑，功耗更低，性能更高。但可以说最重要的好处是，这种先进的工艺技术将实现非常小的互连间距，大约为 6 至 9 微米。这将使 N5 基本芯片与直接键合技术结合使用，从而使 HBM4 可以直接在逻辑芯片上进行三维堆叠。直接键合技术可实现更高的内存性能，这对于一直在渴求更多内存带宽的人工智能和高性能计算芯片来说将是一个巨大的推动。我们已经知道台积电和 SK Hynix 正合作开发 HBM4 基础芯片。台积电很可能也会为美光生产 HBM4 基础芯片。否则，我们会更惊讶地看到台积电与三星合作，因为这家企业集团已经通过其三星代工部门拥有了自己的先进逻辑晶圆厂。 ... PC版： 手机版：