三星计划2027年推出 UFS 5.0，顺序读取速度提升至10GB/s以上

三星计划2027年推出 UFS 5.0，顺序读取速度提升至10GB/s以上 三星半导体日前在官方公众号上公布了新品路线图，其中包含了 UFS 4.0 4 和 UFS 5.0。三星表示，近年来，端侧 (End-to-End) 人工智能在智能手机市场上热度很高为了实现大语言模型的端侧运行，研究人员针对模型尺寸开展了多种研究众所周知，轻量化服务的实现需要缩小存储和内存的尺寸，提高带宽。考虑到端侧大语言模型服务未来的发展，现在就必须开始提升 UFS 接口速度。三星正在研发一款新产品，这款产品使用 UFS 4.0 技术，但将通道数量从目前的 2 路提升到 4 路同时，预计2025年量产，顺序读取速度达到 8GB/s。三星称，“提升顺序读取速度能够缩短模型载入时间”。新品路线图还显示，三星计划2027年推出 UFS 5.0 产品，顺序读取速度有望提升至 10GB/s以上。 、

三星宣布高性能 PCIe 5.0 固态硬盘开发成功：顺序读取速度 13000MB / s，拥有 15.36TB 容量

三星宣布高性能 PCIe 5.0 固态硬盘开发成功：顺序读取速度 13000MB / s，拥有 15.36TB 容量 三星宣布已开发出用于企业服务器的 PM1743 固态硬盘。PM1743 固态硬盘拥有最新的 PCIe 5.0 接口和三星的第 6 代 V-NAND 闪存技术 三星 PM1743 拥有 13000MB / s 的顺序读取速度和每秒 2500K 输入 / 输出操作（IOPS）的随机读取速度，与此前基于 PCIe 4.0 的产品相比，速度分别提升了 1.7 倍和 1.9 倍

创见推出 ESD320A 移动固态硬盘：U 盘造型，顺序读取速度 1050MB/s

创见推出 ESD320A 移动固态硬盘：U 盘造型，顺序读取速度 1050MB/s 创见推出 ESD320A 移动固态硬盘，造型接近于传统 U 盘，采用 10Gbps 速率的 USB 3.2 Gen 2 Type-A 接口，提供 512GB、1TB、2TB 容量可选 ESD320A 移动固态硬盘使用 3D NAND 闪存，并采用 SLC 缓存技术，顺序读取速度最高 1050MB/s，顺序写入速度最高 950MB/s 512GB 定价 1900 新台币 1TB 定价 2900 新台币 2TB 定价 5500 新台币

三星发布256GB SD Express microSD卡 读取速度达每秒800MB

三星发布256GB SD Express microSD卡 读取速度达每秒800MB 这意味着该卡的最高连续读取速度可高达每秒 800 MB。这个速度是普通 UHS-1 microSD 卡的四倍，甚至比 SATA 固态硬盘的最高读取速度还要快，后者的极限是每秒 560MB。三星方面称，新款 256MB SD Express microSD 卡的速度将为个人电脑和智能手机提供更好的整体性能。该 microSD 卡还采用了动态热保护（DTG）技术，确保卡内温度在长时间使用后仍能保持稳定。三星还宣布，它已开始批量生产 1TB 版本的 Pro Plus 和 Evo Plus microSD 卡产品。它们在小卡设计中堆叠了八层三星的 V-NAND。该公司表示：新款 1TB microSD 卡通过了业界最严格的测试设置，即使在充满挑战的环境中也能可靠使用，具有防水、耐极端温度、防摔设计、磨损保护以及 X 射线和磁性保护等功能。三星 256GB SD Express microSD 卡将于今年晚些时候上市，而 1TB Pro Plus 和 Evo Plus microSD 卡将于 2024 年第三季度上市。但公司尚未透露新 microSD 卡的价格。 ... PC版： 手机版：

传三星 Galaxy S25 Ultra将采用 UFS 4.1 存储系统

传三星 Galaxy S25 Ultra将采用 UFS 4.1 存储系统 早前有传言称，三星正在开发下一代 UFS 存储器，该存储器将针对人工智能相关操作进行优化。之前有报道称 UFS 5.0 标准正在积极开发中，但根据该信息，这项技术预计不会在 2027 年之前亮相。在此期间，三星可能会对 UFS 4.0 进行更多改进，从 UFS 4.1 开始发布改进的迭代版本。据 Sawyer Galox 在 X 上透露，Galaxy S25 Ultra 将采用 UFS 4.1 存储技术，但并未提及 Galaxy S25 系列中价格更低的版本是否也会采用这一技术。更令人失望的是，我们不知道 UFS 4.1 和 UFS 4.0 之间的速度差异，因为这些数字都被省略了。我们之前曾报道过，128GB 的基本版 Galaxy S24 只能使用 UFS 3.1 速度，而 256GB 版本则支持 UFS 4.0 标准。韩国巨头采取这种做法很可能是为了降低元件成本，因此三星完全有可能在推出 Galaxy S25 和 Galaxy S25 Plus 时重复同样的做法。随着设备上人工智能功能的逐渐普及，更高的内存容量和更快的存储速度将成为未来的必然选择，据传Galaxy S25 Ultra 将配备 16GB RAM 机型。据报道，三星的所有 Galaxy S25 机型都将运行Google第二代版本的 Gemini Nano，它可能会与 Galaxy AI 集成，使其成为一个能力更强的组合。有了这些改进，我们不难看出，Galaxy S25 Ultra 将搭载比前代更高的设备上 AI 功能，带来显著提升的使用体验。三星的 Galaxy S24 系列是其2024 年第一季度利润增长惊人的933% 的主要原因，三款旗舰机占据了公司净利润的一半以上。这些数据暗示，Galaxy AI 是这些销售的催化剂，因此三星将有巨大的动力加倍努力，为这一类别带来更多功能，并保持目前的势头。此外，我们还将看到 Galaxy S25 Ultra 与 iPhone 16 Pro Max 相比的反应速度，据传后者将与之前的机型一样使用 NVMe 存储。 ... PC版： 手机版：

铠侠发布首款采用 BICS6 NAND 闪存的固态硬盘 BG6，顺序读写 6000 及 5700 MB/s

铠侠发布首款采用 BICS6 NAND 闪存的固态硬盘 BG6，顺序读写 6000 及 5700 MB/s 这款硬盘提供了 M.2 2230 外形以及 M.2 2280 外形可选，支持 PCIe Gen4 x4、Nvme 1.4c 和 SMBus，采用 HMB 技术，速度达 6000 MB/s（顺序读取）、5300 MB/s（顺序写入）、850K IOPS（随机读取）、900K IOPS（随机写入） 仅 1TB 与 2TB 版本使用 BICS6，更小容量的 256GB 与 512GB 版本仍使用 BICS5 ====糊==== 能用来做成 Xbox 扩展卡吗 能塞CFe卡套吗