ASML正在开发hyper-NA EUV光刻机

ASML正在开发hyper-NA EUV光刻机  他表示，在未来十年内，ASML将构建一个集成低数值孔径、高数值孔径和超数孔径EUV系统的单一平台。 这一举措被视为减少工艺步骤数量、降低晶圆加工成本和能源消耗的关键。Van den Brink进一步强调了Hyper-NA EUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。值得注意的是，高数值孔径EUV（high-NA）光刻技术目前正处于起步阶段。ASML自去年12月开始出货高数值孔径工具，目前仅英特尔一家采用，而台积电则表示短期内不会采用。为了推动该技术的研发和应用，ASML将在几周内正式在费尔德霍芬开设高数值孔径实验室，该实验室将与Imec共同运营，为芯片制造商提供该工具的早期使用权。事实上，该实验室的系统已经投入使用，并成功打印了有史以来第一个10纳米线阵图案。据Van den Brink的最新更新，该系统已经能够产生8nm线阵图案，接近该工具的最大分辨率。这一成果进一步证明了ASML在EUV光刻技术领域的领先地位和持续创新的能力。 ... PC版： 手机版：

ASML受限光刻机在华维护问题“悬而未决”

ASML受限光刻机在华维护问题“悬而未决” 他补充说，美国并不打算限制设备供应商维护更多中国企业能够自行修复的外围部件。对于半导体设备来说，要想持续稳定在半导体制造产线上运行，设备的维护极为的关键。如果这些设备离开了售后维护，甚至可能会在一周之内就会出现问题。同样，设备的一些核心零部件也需要定期更换。据芯智讯了解，ASML光刻的工件台对准定位用的部件，一般来说，两年就需要更换。因此，国内的晶圆制造商如果想要维持产线的生产的稳定，产线上的ASML光刻机的核心部件的供应和维护极为关键。不过，需要指出的是目前ASML受限的光刻机主要是NXT:2000i及更先进的机型，其他未受限的光刻机型销售和维护是没有受到影响。当然，如果相关设备零部件涉及美国技术来源，则会受到美国的出口限制。虽然据芯智讯了解，ASML在国内拥有一个维修中心，可以对于一些关键零部件进行维修，但是如果相关零部件属于进口受限的，当国内光刻机相关属于进口受限的部件损坏后无法修复，也就无能为力。对于中荷双方来说，在去年年底前已经出口到中国的NXT:2000i及更先进的光刻机机型，随着许可的失效以及美方的进一步施压，ASML后续能否继续为这类设备提供维护则是一个悬而未决的问题。3月26日到27日，荷兰首相吕特在中国展开工作访问期间，关于光刻机的相关议题也就成为了外界极为关注的议题。范吕文表示，荷兰以贸易立国，主张自由贸易，高度重视对华经贸合作。中国是荷兰最重要的经贸伙伴之一，荷兰愿继续做中国可靠的合作伙伴。荷兰出口管制不针对任何国家，所做决定基于独立自主的评估，并在安全可控前提下尽可能降低对全球半导体产业链供应链的影响。期待两国进一步拓展绿色转型、养老服务等领域合作。另据外媒报道，范吕文在当地时间3月26日接受荷兰媒体采访时曾表示，他将捍卫ASML的利益视为首要任务。但他也表示，“我们和合作伙伴的国家安全因素会放在经济利益之前。”荷兰首相吕特3月27日在访问中国期间淡化了中荷之间在ASML制造的设备出口限制问题上的冲突。吕特拒绝回答关于荷兰政府是否会拒绝向ASML颁发许可证，让其继续为这些中国客户提供维护服务的问题。美国方面希望荷兰拒绝发放许可证。吕特说：“当涉及到我们的半导体行业和像ASML这样的公司时，当我们不得不采取（出口限制）措施时，荷兰会确保这些措施绝不会专门针对某个国家，我们总是努力确保影响是有限的。” ... PC版： 手机版：

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机 Van den Brink进一步强调了Hyper-NA EUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。 ASML 正在规划 0.77 NA 的 EUV 光刻机 ASML首席技术官Martin van den Brink在ASML 2023年年度报告中写道：“NA高于0.7的Hyper-NA无疑是一个机会，从2030年左右开始，这种机会将变得更加明显。”“它可能与Logic最相关，并且需要比“高NA EUV”双图案化更实惠，但它也可能是DRAM的一个机会。对我们来说，关键是Hyper-NA正在推动我们的整体EUV能力平台，以改善成本和交货时间。” 台积电 “冷落” High-NA EUV 光刻机启示录 尤其是在当下大陆在EUV光刻机获取全面受阻的情况下，李弈建议，台积电通过深入挖掘现有EUV光刻机的潜力，可支撑未来的1.6nm工艺，而大陆代工业如何借助DUV光刻机向7nm乃至下一步5nm制程发起冲刺应当有希望，应着力在光刻胶、光罩、多重曝光技术等领域持续创新突破，以全面提升利用DUV实现更先进制程的可能性。