SK海力士离职中国员工 涉嫌泄露核心技术被起诉

SK海力士离职中国员工 涉嫌泄露核心技术被起诉 韩国晶片巨头SK海力士的一名中国籍女员工A某,涉嫌向中国华为公司泄露降低晶片不良率的核心技术资料被捕,目前正在接受审讯。 韩联社报道,京畿南部警察厅产业技术安全侦查队星期二(5月28日)说,30多岁的A某涉嫌违反《防止产业技术泄露及保护法》,上月底被逮捕送检。A某现已被检方起诉,正在接受审讯。 A某于2013年入职SK海力士,之后一直负责分析晶片不良的部门工作,2020年至2022年在中国分公司担任组长,负责企业交易客户洽谈。2022年6月,A某返韩后立即跳槽到华为。 据悉,A某离职前曾用3000多张A4纸打印出涉及核心半导体工序问题解决方案的资料。SK海力士禁止员工使用U盘设备,并对打印内容、打印者、文件用途等信息进行详细记录和管理。A某虽留下了打印文件的记录,但其用途未被SK海力士掌握。警方认为,A某将打印的纸张分批转移至外部,但A某对相关嫌疑矢口否认。 上述事件发生后,接到SK海力士报案的警方对A某的具体嫌疑展开了严密调查,并于4月在A某入境后在机场将她逮捕。 2024年5月28日 11:10 AM

相关推荐

封面图片

SK海力士离职中国员工涉嫌泄露核心技术被起诉

SK海力士离职中国员工涉嫌泄露核心技术被起诉 SK海力士的一名中国籍女性员工A某因涉嫌向中国华为公司泄露有关降低芯片不良率的核心技术资料被捕,目前正在接受审判。京畿南部警察厅产业技术安全侦查队28日表示,30多岁的A某涉嫌违反《防止产业技术泄露及保护法》,上月底被逮捕送检。A某现已被检方起诉,正在接受水原地方法院骊州分院的审判。 A某于2013年入职SK海力士,之后一直在负责分析芯片不良的部门工作,2020年至2022年在中国分公司担任组长,负责企业交易客户洽谈。2022年6月,A某返韩后立即跳槽到华为。A某离职前曾用三千多张A4纸打印出涉及核心半导体工序问题解决方案的资料。A某虽留下了打印文件的记录,但其用途未被SK海力士掌握。警方认为,A某将打印的纸张分批转移至外部,但A某对相关嫌疑矢口否认。

封面图片

南韩SK海力士离职中国员工涉向华为泄露核心技术被起诉

南韩SK海力士离职中国员工涉向华为泄露核心技术被起诉 南韩晶片巨头SK海力士一名已离职的中国籍女员工,涉嫌向中国电信设备制造商华为泄露核心技术资料被捕,接受审讯。当局表示,被捕女员工30多岁,涉嫌违反《防止产业技术泄露及保护法》,上月底被逮捕送检,已被检方起诉,案件在水原地方法院骊州分院审理。韩联社报道,这名女员工2013年入职SK海力士,一直在负责分析晶片不良的部门工作,2020至2022年在中国分公司担任组长,负责企业交易客户洽谈,2022年6月返韩后立即跳槽到华为。据了解,她离职前曾用3000多张A4纸列印出涉及核心半导体工序问题解决方案的资料,公司其后报警处理。警方认为,女被告将列印的纸张分批转移至外部,但她否认。 2024-05-28 13:07:51

封面图片

SK海力士离职 #中国 员工涉嫌泄露核心技术被起诉

封面图片

晶片出现在华为手机 SK海力士:已展开调查

晶片出现在华为手机 SK海力士:已展开调查 针对中国通讯巨头华为最新旗舰手机使用了韩国半导体厂商SK海力士的晶片,SK海力士澄清,目前公司已没有与华为进行业务往来,并表示已对此展开调查。 彭博社委讬TechInsights对华为最新旗舰手机Mate 60 Pro拆解的调查显示,该手机的组件使用了SK海力士的LPDDR5记忆体和NAND闪存晶片,其中绝大多数组件是在中国制造,而SK海力士是华为唯一的国际供应商。 对此,SK海力士星期四(9月7日)在给彭博社的一份声明中说,“自美国对华为实施限制以来,该公司已不再与华为有业务往来。针对这个问题,我们已开始调查以了解更多细节。SK海力士严格遵守美国政府的出口限制。” 报道称,SK海力士绝大部分半导体都是在中国的工厂制造,因此一种可能性是,在美国2020年对华为实施全面贸易限制前,华为就已存储了部分零部件库存。

封面图片

SK海力士投资10亿美元开发关键先进封装工艺

SK海力士投资10亿美元开发关键先进封装工艺 SK 海力士封装开发负责人 Lee Kang-Wook 表示,该公司今年将在韩国投资超过 10 亿美元,以扩大和改进其芯片制造流程中的最后几个步骤,特别是先进封装工艺。该工艺的创新是 HBM 作为最受欢迎的 AI 内存的优势的核心,进一步的进步将是降低功耗、提高性能和巩固公司在 HBM 市场领先地位的关键。虽然 SK 海力士尚未披露今年的资本支出预算,但分析师平均估计该数字为105 亿美元。 这表明先进封装(可能占其中的十分之一)是一个主要优先事项。Lee 在接受采访时表示,“半导体行业的前 50 年一直是前端为主”,即芯片的设计和制造。“但接下来的50年将是全部是后端为主”,即封装。Lee 表示,SK 海力士正在将大部分新投资投入到推进大规模回流成型底部填充(MR-MUF)和硅通孔(TSV)技术中,Lee 曾领导这两种技术的发明,现在均已成为 HBM 制造的基础核心技术。

封面图片

丢掉AI芯片大单三星计划改用对手SK海力士的技术

丢掉AI芯片大单三星计划改用对手SK海力士的技术 分析人士普遍认为,三星之所以丢掉大单,很大程度上源于其坚持采用非导电薄膜(NCF)芯片工艺;而SK海力士使用的批量回流模制底部填充(MR-MUF)工艺,则有效解决了NCF技术的弊端。分析师认为,三星HBM3芯片的良率表现并不理想,仅维持在10-20%的水平;相比之下,其竞争对手SK海力士的HBM3良率高达60-70%。无奈之下,三星也开始计划采用SK海力士使用的MR-MUF工艺,而非此前坚持的NCF技术。知情人士称,三星最近已发出了处理MR-MUF技术的设备采购订单,还在与包括日本长濑公司在内的材料制造商洽谈采购MUF材料的事宜。但尽管如此,由于需要进行更多的测试和优化,三星使用这一技术的芯片最早要到明年才能实现量产。 ... PC版: 手机版:

🔍 发送关键词来寻找群组、频道或视频。

启动SOSO机器人