长鑫存储与长江存储重重障碍中加强研发工作

长鑫存储与长江存储重重障碍中加强研发工作 DigiTimes 的消息来源指出,长鑫存储已开始在其位于合肥的新工厂量产 18.5 纳米工艺的 DRAM 芯片。通过略微超过美国 18 纳米的限制,旨在提高产能,同时在技术上遵守美国商务部的规定。合肥工厂一期工程已接近满负荷运转,月产量达到 100,00 片晶圆。即将进行的二期扩建将在 2024 年底前每月增加 40000 片晶圆,这将使长鑫存储的 DRAM 总产能达到全球规模的 10%。此外,长鑫还计划为新的扩产大幅增加国内采购。相比之下,长江存储在被列入美国实体名单后,其产能增长面临全面限制。由于关键设备的进口现已停止,建立材料和工具的本地供应链已被证明具有挑战性。尽管研发取得了进展,包括NAND闪存超过300层,但长江存储还是推出了120层的新产品,有意低于美国的128层限制。然而,即使是这些符合标准的芯片,也要等待美国批准才能进行更大规模的生产。展望未来,虽然长鑫已经开辟了一条绕过美国限制的可行之路,但长江存储的产能计划却面临着持续的障碍。尽管如此,通过坚定的研发努力,包括 232 层和未来的 300 多层 NAND,长江存储的目标是克服外部不利因素,推动中国半导体能力向前发展。 ... PC版: 手机版:

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