三星计划2027年推出 UFS 5.0，顺序读取速度提升至10GB/s以上

三星计划2027年推出 UFS 5.0，顺序读取速度提升至10GB/s以上 三星半导体日前在官方公众号上公布了新品路线图，其中包含了 UFS 4.0 4 和 UFS 5.0。三星表示，近年来，端侧 (End-to-End) 人工智能在智能手机市场上热度很高为了实现大语言模型的端侧运行，研究人员针对模型尺寸开展了多种研究众所周知，轻量化服务的实现需要缩小存储和内存的尺寸，提高带宽。考虑到端侧大语言模型服务未来的发展，现在就必须开始提升 UFS 接口速度。三星正在研发一款新产品，这款产品使用 UFS 4.0 技术，但将通道数量从目前的 2 路提升到 4 路同时，预计2025年量产，顺序读取速度达到 8GB/s。三星称，“提升顺序读取速度能够缩短模型载入时间”。新品路线图还显示，三星计划2027年推出 UFS 5.0 产品，顺序读取速度有望提升至 10GB/s以上。 、

传三星 Galaxy S25 Ultra将采用 UFS 4.1 存储系统

传三星 Galaxy S25 Ultra将采用 UFS 4.1 存储系统 早前有传言称，三星正在开发下一代 UFS 存储器，该存储器将针对人工智能相关操作进行优化。之前有报道称 UFS 5.0 标准正在积极开发中，但根据该信息，这项技术预计不会在 2027 年之前亮相。在此期间，三星可能会对 UFS 4.0 进行更多改进，从 UFS 4.1 开始发布改进的迭代版本。据 Sawyer Galox 在 X 上透露，Galaxy S25 Ultra 将采用 UFS 4.1 存储技术，但并未提及 Galaxy S25 系列中价格更低的版本是否也会采用这一技术。更令人失望的是，我们不知道 UFS 4.1 和 UFS 4.0 之间的速度差异，因为这些数字都被省略了。我们之前曾报道过，128GB 的基本版 Galaxy S24 只能使用 UFS 3.1 速度，而 256GB 版本则支持 UFS 4.0 标准。韩国巨头采取这种做法很可能是为了降低元件成本，因此三星完全有可能在推出 Galaxy S25 和 Galaxy S25 Plus 时重复同样的做法。随着设备上人工智能功能的逐渐普及，更高的内存容量和更快的存储速度将成为未来的必然选择，据传Galaxy S25 Ultra 将配备 16GB RAM 机型。据报道，三星的所有 Galaxy S25 机型都将运行Google第二代版本的 Gemini Nano，它可能会与 Galaxy AI 集成，使其成为一个能力更强的组合。有了这些改进，我们不难看出，Galaxy S25 Ultra 将搭载比前代更高的设备上 AI 功能，带来显著提升的使用体验。三星的 Galaxy S24 系列是其2024 年第一季度利润增长惊人的933% 的主要原因，三款旗舰机占据了公司净利润的一半以上。这些数据暗示，Galaxy AI 是这些销售的催化剂，因此三星将有巨大的动力加倍努力，为这一类别带来更多功能，并保持目前的势头。此外，我们还将看到 Galaxy S25 Ultra 与 iPhone 16 Pro Max 相比的反应速度，据传后者将与之前的机型一样使用 NVMe 存储。 ... PC版： 手机版：

美光发布迄今尺寸最为紧凑的UFS 4.0存储芯片

美光发布迄今尺寸最为紧凑的UFS 4.0存储芯片 美光推出这种小型解决方案的主要原因是，智能手机原始设备制造商反馈说他们希望有更大的空间放置更大的电池。这家美国公司在美国、中国和韩国的联合客户实验室开发了这一产品，并采用了其 232 层 3D NAND 技术。与去年 6 月推出的 11 x 13 毫米解决方案相比，UFS 4.0 芯片的占地面积缩小了 20%。这将在不影响整体性能的情况下降低功耗。美光带来了 HPM（高性能模式），这是一项专有功能，可优化智能手机高强度使用时的性能，启用 HPM 后，速度可提高 25%。美光现在出货的新 UFS 4.0 存储样品有三种规格：分别是256 GB、512 GB 和 1 TB。 ... PC版： 手机版：

三星放缓汽车半导体项目开发 未来将以人工智能芯片为战略核心

三星放缓汽车半导体项目开发 未来将以人工智能芯片为战略核心 据外媒报道，近期三星调整了半导体领域的开发计划，将以人工智能芯片为战略核心，同时放缓汽车半导体项目的开发速度，这将对三星未来的芯片战略产生重大影响。三星正在进行业务和组织结构调整，对开发中的下一代Exynos Auto系列车用处理器（代号KITT3）重新做评估。原有开发团队里的部分工程师已被重新分配到人工智能SoC团队，这是现阶段三星芯片开发的重点，集中了100到150名专业的芯片设计人员。三星在2018年推出了“Exynos Auto”品牌，开始进军高性能汽车半导体市场。去年三星推出了Exynos Auto V920芯片，这是其面向新型车载信息娱乐（IVI）系统推出的第三代汽车芯片，并与现代汽车展开合作，将芯片搭载到后者2025年的新车型里。除了各种车用芯片外，三星还针对汽车半导体市场推出了针对性的存储解决方案和半导体工艺。有三星内部人士透露，将重点转向人工智能芯片开发是明确的，但目前还没有确定组织结构调整的具体内容。 ... PC版： 手机版：

【三星正式发布 UFS . 闪存：顺序读取速度 MB/s】

【三星正式发布 UFS . 闪存：顺序读取速度 MB/s】 今日，三星正式公布了 UFS（通用闪存）. 存储解决方案。 据介绍，UFS . 提供每通道高达 .Gbps 的速度，是三星前代产品 UFS . 的两倍。 借助三星第 代 V-NAND 技术和专有的控制器，UFS . 将提供 MB/s的顺序读取速度和 MB/s的顺序写入速度。 同时，UFS . 的能效也得到了提高，UFS . 将提供每 mA（毫安）.MB/s的顺序读取速度，比上一代提高了 %，因此，在消耗同等电量下，用户可以传输更多数据。 三星指出，为了实现更有效的空间利用和设计便利，UFS . 将采用尺寸为 毫米 x 毫米 x 毫米的紧凑型封装，并将提供可达 TB 的各种容量选择，计划于今年第三季度开始量产。

三星开发业界首款36GB HBM3E存储芯片 12层堆叠

三星开发业界首款36GB HBM3E存储芯片 12层堆叠 三星电子存储产品规划执行副总裁Yongcheol Bae表示，业界AI服务供应商越来越需要更高容量的HBM，而我们开发的全新HBM3E 12H产品正是为满足这一需求设计的。技术方面，三星HBM3E 12H采用先进的热压非导电薄膜（TC NCF），使12层产品具有与8层HBM芯片相同的高度，以满足当前HBM封装要求。该技术预计将在未来带来更多优势，特别是更高层数堆叠方面，因为业界正在努力减轻芯片裸片变薄带来的翘曲问题。三星不断降低NCF材料的厚度，并实现了当前业界最小的芯片间隙（7微米），同时消除了层间空隙。与此前的HBM3 8H产品相比，新技术的进步使得垂直密度提高了20%以上。三星表示，TC NCF技术还能够通过在芯片之间使用不同大小的凸块，来改善HBM的热性能。在芯片键合层面，较小的凸块用于信号传输区域，而较大的凸块用于需要散热的区域；该方法还有助于提高产品产量。集微网了解到，英伟达目前的H200旗舰AI芯片宣布采用HBM3E存储，下一代B100预计将同样采用HBM3E，目前三大存储芯片巨头三星、SK海力士、美光均重点发力HBM。三星表示，HBM3E 12H将成为未来最佳解决方案，并降低数据中心总成本（TCO）。性能方面，新产品与HBM3 8H相比，人工智能训练平均速度可提高34%，用于推理服务支持的用户数量最高可增加11.5倍以上。目前三星已开始向客户提供HBM3E 12H样品，计划于今年上半年量产。 ... PC版： 手机版：