AMD的Zen 3和Zen 2 CPU易受 "Zenhammer"漏洞影响 导致内存泄漏
AMD的Zen 3和Zen 2 CPU易受 "Zenhammer"漏洞影响 导致内存泄漏 Rowhammer 是一个相当古老的漏洞，最初是在 2014 年通过卡内基梅隆大学和英特尔公司的合作研究发现的。该漏洞通过促使内存单元漏电来影响 DRAM 的内容，有可能使内存中的比特发生翻转，从而破坏内存中的数据。此外，它还可能导致入侵者获取敏感信息，该漏洞已扩展到 AMD 的 Zen 系统，因此现在被称为"Zenhammer"。来自苏黎世联邦理工学院（ETH Zurich）的独立研究人员找到了一种方法，通过翻转安装在 Zen 2 和 Zen 3 系统中的 DDR4 内存中的位，通过 Rowhammer 实现来破坏内存内容。以下是他们的研究成果：尽管 DRAM 具有非线性特性，但 ZenHammer 仍能反向设计 DRAM 寻址功能，使用专门设计的访问模式来实现适当的同步，并在模式中精心安排刷新和栅栏指令，以提高激活吞吐量，同时保留绕过 DRAM 内缓解措施所需的访问顺序。研究表明，AMD 系统存在漏洞，与基于英特尔的系统类似。在成功利用秘密 DRAM 地址功能后，研究人员能够调整定时例程，并通过大量测试，将 Rowhammer 的效果整合到系统中，在 Zen 2 和 Zen 3 系统中翻转内存内容。虽然这种情况对于相对较老的 AMD 消费者来说令人震惊，但 Team Red 已经对该问题做出了快速反应，并发布了一份安全简报来解决该问题。AMD 将继续评估研究人员关于首次在 DDR5 设备上演示 Rowhammer 位翻转的说法。AMD 将在完成评估后提供最新信息。AMD 微处理器产品包括符合行业标准 DDR 规范的内存控制器。对 Rowhammer 攻击的易感性因 DRAM 设备、供应商、技术和系统设置而异。AMD 建议您与 DRAM 或系统制造商联系，以确定是否容易受到这种新变种 Rowhammer 的攻击。AMD 还继续建议采用以下现有 DRAM 缓解 Rowhammer 式攻击，包括：使用支持纠错码 (ECC) 的 DRAM使用高于 1 倍的内存刷新率禁用内存突发/延迟刷新使用带有支持最大激活计数 (MAC) (DDR4) 内存控制器的 AMD CPU原代号为"那不勒斯"的第一代 AMD EPYC 处理器第 2 代 AMD EPYC 处理器，原代号为"罗马"原代号为"米兰"的第 3 代 AMD EPYC 处理器使用配备支持刷新管理 (RFM) (DDR5) 内存控制器的 AMD CPU原代号为"Genoa"的第四代 AMD EPYC™ 处理器对于特别关注 Zenhammer 的用户，建议自行实施AMD建议的缓解措施，以避免受到该漏洞的影响。与此同时，该公司正在对情况进行评估，并提供覆盖面更广泛的更新。 ... PC版： 手机版：
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