SK海力士四季度意外盈利：HBM3增长超过五倍 正在开发HBM4

SK海力士四季度意外盈利：HBM3增长超过五倍 正在开发HBM4 周四公布的财报显示，SK海力士去年Q4营收同比增长47%至11.31万亿韩元，高于分析师预期的10.4万亿韩元。运营利润3460.3亿韩元，好于分析师预期的亏损1699.1亿韩元，好于Q3的亏损1.79万亿韩元；净亏损1.38万亿韩元，超过了分析师预期的亏损0.41万亿韩元，但较前一季度亏损大幅缩窄。另外，Q4毛利润为2.23亿韩元，同比大增9404%；毛利润率为20%，为连续第三个季度回升；EBITDA（税息折旧及摊销前利润）为3.58亿韩元，同比增长99%。产品方面最亮眼的是，DDR5销售增长超过四倍，HBM3增长超过五倍。SK海力士表示，公司在筹备支持HBM3E方面稳步地取得进展，将推进大规模生产HBM3E，公司正处于开发下一代HBM4产品的正轨之上。DRAM销售稳步增长，由于平均售价上涨，芯片价格在减产后趋于稳定，该部门连续两个季度亏损后，在去年Q3开始扭亏为盈，相比之下，NAND复苏“相对缓慢”，公司将优先简化NAND（产品线的）投资流程和成本。2023年全年，SK海力士营收32.77万亿韩元，运营亏损达7.73万亿韩元。展望2024年，SK海力士预计2024年资本开支将较上年增加，今年将把资本开支的增幅最小化。公司预计2024年一季度DRAM BIT环比增速将位于10%-20%区间的中部，NAND BIG环比增速将位于0%-10%区间的中部，NAND BIT环比增速将位于0%-10%区间的中部。SK海力士发布财报的几天前，三星公布了令人失望的四季报，利润暴跌35%，反映出半导体市场低迷。但行业高管预计从2024年开始芯片行业将逐步反弹，特别是随着AI技术的加速发展以及更多利用新芯片技术的服务的出现。一些芯片巨头对行业复苏也持较为乐观的态度，台积电上周预计2024年收入将强劲增长，高端光刻设备制造商ASML Q4订单收入创纪录，净利润创历史新高。 ... PC版： 手机版：

加注AI SK海力士计划将HBM产能增加一倍以上

加注AI SK海力士计划将HBM产能增加一倍以上 消息显示，韩国半导体制造商SK海力士（SK hynix Inc．）将扩大其高带宽内存（High Bandwidth Memory）生产设施投资，以应对高性能AI产品需求的增加。该公司计划，对通过硅通孔（TSV）相关的设施投资将比2023年增加一倍以上，力图将产能翻倍，并计划在2024年上半年开始生产其第五代高带宽内存产品HBM3E。SK海力士财报显示，该公司第四财季实现了1131万亿韩元（约84.6亿美元）的营收和3460亿韩元（约2.59亿美元）的运营利润，这标志着该公司连续五个季度营业亏损后再度转为盈利。SK海力士扭亏为盈主要归因于HBM3（High Bandwidth Memory 3）和DDR5（Double Data Rate 5）的强劲销售。与上一年相比，SK海力士在2023年的DDR5和HBM3销售额分别增加了四倍和五倍以上。为了继续这一上升趋势，SK海力士计划开始大规模生产人工智能芯片HBM3E，并加快第六代HBM4的开发。“我们预计HBM3E产品在2024年将会有巨大的需求，计划在年初开始大规模生产。我们打算根据这一需求将TSV产能翻倍，”公司在一次电话会议中表示。关于是否追加投资，公司还表达了更谨慎的立场，“要等经过对长期需求、市场条件和供应链状况的慎重考虑后再做决定。”SK海力士计划准备生产MCRDIMM和LPCAMM2，前者是一种将多个DRAM集成到一个基板上的高容量服务器模块，后者是一种基于低功耗（LP） DDR5X的高性能移动模块，二者旨在满足AI服务器需求和设备端AI市场。在专注于生产高附加值产品的同时，SK海力士计划将资本支出的增长最小化，强调稳定的业务运营。“与上一年相比，我们将投资削减了一半以上，以应对需求疲软的情况。我们在2024年的策略是保持谨慎的态度，专注于确保增长和盈利的领域，同时避免增加投资导致进入供应过剩的周期。”首席财务官金宇贤表示。SK海力士解释说，自从2023年第三季度以，该公司来一直保持谨慎的生产策略，包括减产，导致销售超过了生产，随后改善了库存水平。“我们将继续保持谨慎的生产策略，直到2024年实现库存正常化，同时预计DRAM的产量将在上半年保持稳定，NAND闪存的产量将在下半年保持稳定，”该公司表示。分析师预计，该芯片制造商2024年的的运营利润将10万亿韩元（约合88.5亿美元）。还有分析师预计该公司2024年运营利润将达到10.6万亿韩元（约合94.2亿美元），分析师认为，主要因为人工智能芯片需求预计将增加。自2023年年初以来，SK海力士股价因其AI能力上涨近50%。 ... PC版： 手机版：

SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片 预期2026年投产

SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片 预期2026年投产 （来源：SK海力士）背景：什么是高带宽内存众所周知，高带宽内存是为了解决传统DDR内存的带宽不足以应对高性能计算需求而开发。通过堆叠内存芯片和通过硅通孔（TSV）连接这些芯片，从而显著提高内存带宽。SK海力士在2013年首次宣布HBM技术开发成功，后来被称为HBM1的芯片通过AMD的Radeon R9 Fury显卡首次登陆市场。后续，HBM家族又先后迎来HBM2、HBM2E、HBM3和HBM3E。SK海力士介绍称，HBM3E带来了10%的散热改进，同时数据处理能力也达到每秒1.18TB的水平。（HBM3E芯片成品，来源：SK海力士）技术的迭代也带来了参数的翻倍。举例而言，根据英伟达官方的规格参数表，H100产品主要搭载的是80GB的HBM3，而使用HBM3E的H200产品，内存容量则达到几乎翻倍的141GB。找台积电做些什么？在此次合作前，所有的海力士HBM芯片都是基于公司自己的制程工艺，包括制造封装内最底层的基础裸片，然后将多层DRAM裸片堆叠在基础裸片上。（HBM3E演示视频，来源：SK海力士）两家公司在公告中表示，从HBM4产品开始，准备用台积电的先进逻辑工艺来制造基础裸片。通过超细微工艺增加更多的功能，公司可以生产在性能、共享等方面更满足客户需求的定制化HBM产品。另外，双方还计划合作优化HBM产品和台积电独有的CoWoS技术融合（2.5D封装）。通过与台积电的合作，SK海力士计划于2026年开始大规模生产HBM4芯片。作为英伟达的主要供应商，海力士正在向AI龙头提供HBM3芯片，今年开始交付HBM3E芯片。对于台积电而言，AI服务器也是在消费电子疲软、汽车需求下降的当下，维持公司业绩的最强劲驱动因素。台积电预计2024财年的总资本支出大约在280-320亿美元之间，约有10%投资于先进封装能力。三巨头激战HBM市场根据公开市场能够找得到的信息，目前国际大厂里只有SK海力士、美光科技和三星电子有能力生产与H100这类AI计算系统搭配的HBM芯片。而眼下，这三家正隔着太平洋展开激烈的竞争。大概比SK海力士早大半个月，美光科技也在今年宣布开始量产HBM3E芯片。今年2月，正在加紧扩展HBM产能的三星也发布了业界容量最大的36GB HBM3E 12H芯片。英伟达上个月表示正在对三星的芯片进行资格认证，以用于AI服务器产品。研究机构Trendforce估算，2024年的HBM市场里，SK 海力士能够占到52.5%的份额，三星和美光则占42.4%和5.1%。另外，在动态随机存取存储器（DRAM）行业内，HBM的收入份额在2023年超过8%，预计在2024年能达到20%。对于SK海力士与台积电合作一事，普华永道高科技行业研究中心主任Allen Cheng认为是“明智的举措”。他表示：“台积电几乎拥有所有开发尖端AI芯片的关键客户，进一步加深伙伴关系，意味着海力士能吸引更多的客户使用该公司的HBM。” ... PC版： 手机版：

SK海力士宣布下一代HBM计划

SK海力士宣布下一代HBM计划 在最近一次负责HBM芯片的新任高管圆桌讨论中，SK海力士副总裁与营销负责人金基泰表示：“纵观当前的市场形势，大型科技客户正在加快新产品的发布时间，以确保在AI领域领先。因此，我们也在提前讨论今年和明年的计划，以确保及时供应下一代HBM产品。” SK海力士是三星电子全球第二大存储器芯片制造商，但却是HBM的主要供应商，HBM是一种对生成式AI设备至关重要的高性能堆栈式DRAM芯片。该公司是首家于2013年开发第一代HBM芯片的内存供应商，并在随后几年推出了后续产品HBM2、HBM2E 以及最新的第四代 HBM3 芯片。2023年 4 月，SK 开发出全球首款12层HBM3 DRAM 产品， 内存容量为 24 千兆字节 (GB)，为业内最大。2023年 8 月，该公司推出了业界性能最佳的第五代 HBM DRAM HBM3E，用于 AI 应用， 并向其客户 NVIDIA Corp. 提供了样品以进行性能评估。今年 3 月，SK 海力士开始大批量生产 HBM3E 芯片，这是业界推出的另一个公司，同时表示将把第六代 HBM4 芯片的量产提前到 2025 年。大容量 NAND 受到业界关注SK 海力士副总裁兼 HBM 工艺集成（PI）负责人 Kwon Un-oh 表示：“通过先发制人地确保技术和量产专业知识，我们已经能够建立起稳固的竞争力。”先进封装开发部副总裁兼负责人Son Ho-young敦促公司为更好的存储器和系统芯片的融合。SK海力士表示，受AI学习和推理高端芯片需求不断增长的推动，预计今年全球DRAM市场规模将达到65%，达到117万亿韩元（850亿美元）。本月初，首席执行官Kwak Noh-jung在新闻发布会上表示，其HBM芯片产能几乎已被预订满到明年。SK海力士NAND先进工艺集成副总裁Oh Hae-soon表示，NAND闪存是AI时代的另一个前景光明的部分她表示：“随着对大规模AI服务器的需求不断增长，eSSD等NAND解决方案开始受到业界关注。”新兴存储芯片SK海力士革命技术中心 (RTC)副总裁Yi Jae-yun表示，公司还在密切关注新兴存储芯片，如仅选择器存储器 (SOM)、自旋存储器和突触存储器，这些芯片具有超高速、高容量和较低的价格，以及磁性 RAM (MRAM)、电阻式 RAM (RRAM) 和相变存储器 (PCM) 芯片。分析师表示，在存储芯片制造商中，SK海力士是AI应用爆炸式增长的最大受益者，因为它是NVIDIA Corp.的最大AI芯片供应商，而NVIDIA控制着80%的AI芯片市场。SK集团董事长崔泰源最近在接受日本媒体日经新闻采访时表示，如果SK海力士看到AI芯片融资需求，该公司正在考虑在韩国或美国建立HBM工厂的可能性。 ... PC版： 手机版：

SK海力士全球首家量产HBM3E内存 1秒处理超1TB数据

SK海力士全球首家量产HBM3E内存 1秒处理超1TB数据 随后SK海力士发布公告称，其最新的超高性能AI内存产品HBM3E已开始量产，并将从本月下旬起向客户供货。据介绍，在存储半导体三大巨头（三星电子、SK海力士、美光）中，SK海力士是首家实现量产HBM3E供应商。HBM3E每秒可处理1.18TB数据，相当于在1秒内可处理230部全高清（FHD）级电影。在散热方面，SK海力士表示其HBM3E采用了MR-MUF技术，散热性能较上一代产品提高了 10%，从而在散热等所有方面都达到了全球最高水平。SK海力士高管表示：“公司通过全球首次HBM3E投入量产，进一步强化了领先用于AI的存储器业界的产品线。”其还表示，公司积累的HBM业务成功经验，将进一步夯实与客户的关系，并巩固全方位人工智能存储器供应商的地位。 ... PC版： 手机版：

抛三星、买海力士 市场认定了HBM赢家？

抛三星、买海力士 市场认定了HBM赢家？ SK海力士在外资净买入排名中上升同样引人注目，1月份时位居第三，2月份跃升至第二，本月超越现代成为最受青睐的股票。截至3月8日，SK海力士净买入额达到4900亿韩元，本月股价涨超10%，达到了171900韩元/股的新高。而三星则与SK海力士的强劲表现形成鲜明对比，本月股价略微下跌了0.14%，年内跌近7%。外资大幅抛售三星电子，1月份三星曾是最受外资欢迎的股票，到了2月份却跌至第七位，而在本月成为被外资抛售最多的股票之一。分析指出，由于英伟达业绩强劲，增加了对高带宽存储芯片（HBM）需求的预期，不少投资者转向在HBM市场拥有较大份额的SK海力士，去年其在HBM市场的份额达到54%。高盛研究员Kim Sun-woo指出：SK海力士在HBM市场的领先地位令其在AI发展趋势中受益，目前它与三星在下一代HBM技术上的差距正在扩大，这可能会进一步推动对SK海力士的需求。在HBM芯片领域，竞争已经达到了前所未有的高度。SK海力士仅今年就先进封装技术上已投资1.3万亿韩元，以提升其生产高端芯片的能力。今年它是Nvidia H100处理器的唯一HBM3芯片供应商，与英伟达签订HBM3E（H200的重要组成部分）优先供应协议。三星也在全速迎头赶上，该公司最近宣布已开发出36GB HBM3E 12H DRAM，是业内容量最大的HBM，凭借12层堆叠技术，其性能和容量可大幅提升50%以上。三星希望在今年上半年开始量产。美光也后来者居上，宣布开始量产HBM3E内存，将用于英伟达H200 AI芯片，对SK海力士和三星电子构成了挑战。 ... PC版： 手机版：