发烧友将QLC SSD转换为SLC 大幅提高了耐用性和性能

发烧友将QLC SSD转换为SLC 大幅提高了耐用性和性能 他使用的是美光 Crucial BX500 512 GB 固态硬盘,主控是 Silicon Motion SM2259XT2 单核 ARC 32 位 CPU,主频为 550 MHz,双通道运行速度为 800 MT/s(400 MHz),不带 DRAM 缓存。这款特殊的固态硬盘使用了四个美光公司生产的 NAND 闪存芯片,部件编号为 NY240。每个通道控制两个芯片。这些 NAND 闪存芯片的设计工作频率为 1600 MT/s(800 MHz),但在实际应用中,该硬盘的工作频率仅为 525 MT/s。在 NANDs FortisFlash 中,这些硬盘的平均耐用性为 1500 P/E 周期,在 Mediagrade 中约为 900 P/E 周期。在 pSLC 中,同一硬盘的耐用性将分别提高到 100000 次和 60000 次。如何实现这一目标才是最棘手的部分,要做到这一点,必须从网站下载 Silicon Motion SM2259XT2 控制器的 MPtools,并找到固态硬盘中使用的正确芯片。然后,仔细修改软件,修改配置文件以允许 SLC 模式,迫使芯片作为 SLC NAND 闪存芯片运行。最后,还需要触及固件文件夹,并将存档文件从目录向上移动,这在视频中可以看到。硬盘启动后,容量从 512 GB 降至 114-120 GB。不过,固态硬盘的耐用性跃升至 4000 TBW(写入循环),增幅约为 3000%。此外,性能也有所提高,更多详情可查看下面的视频。 ... PC版: 手机版:

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铠侠发布Exceria Pro与G2系列M.2 NVMe SSD新品 EXCERIA PRO 固态硬盘采用 PCIe 4.0×4 通道,EXCERIA G2 固态硬盘则采用 PCIe 3.0×4 两款固态硬盘均采用自家的 BiCS FLASH 3D NAND 闪存芯片,均为 M.2 2280 规格

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已经降价的固态硬盘为什么突然涨价了?

已经降价的固态硬盘为什么突然涨价了? 什么是固态硬盘?固态硬盘(Solid State Disk)简称SSD,是一种主要以闪存(NAND Flash)作为存储介质的长期性存储器。这里面有两个概念需要重点说明一下:第一,对于存储介质来说,传统的机械硬盘是依靠“碟片”存储数据。上图为东芝DT02 7200RPM 2TB机械硬盘的拆解图,其中圆形的部分就是存储数据的“碟片”。而固态硬盘则是依靠芯片存储数据。具体来说,市面上大多数硬盘是依靠NAND Flash芯片来存储数据。不过也有少数固态硬盘依靠其它芯片存储数据,比如英特尔的900P、905P、P4800X、P5800X均采用了3D XPoint作为存储介质。而3D XPoint简而言之就是介于NAND和DRAM之间的产品。第二,固态硬盘是长期性存储器。这点主要是为了说明固态硬盘与内存的不同。由于固态硬盘和内存都能存储数据,且都以芯片作为存储介质,所以这两者经常会被一些人混淆。特别是对于手机产品来说,混淆的情况更加严重。简单来说,断电之后数据全没的是内存,断电之后数据能保持相当长时间的(比如几年)是固态硬盘。固态硬盘的价格一般固态硬盘主要由3类芯片组成,如上图所示:1、NAND芯片:这是存储数据的芯片2、DRAM芯片:用于缓存(并非必须,有些固态硬盘会将DRAM芯片阉割掉)3、主控芯片:用于完成数据存取等工作而在上述3类芯片中,固态硬盘成本的大头一般是在NAND芯片,主控芯片和DRAM芯片在总成本中占较小。也因此固态硬盘的售价往往和NAND芯片价格直接关联。从中长期来看,NAND芯片的价格主要受两个因素影响:1、技术迭代2、产能调整技术迭代:比如出现了新的存储技术,可以有效降低存储芯片单位容量的成本,这样NAND芯片的价格会整体下降。目前,存储密度提升的主要技术路径包括提高存储单元的可存储数位(bit)量和提升3D NAND Flash的堆叠层数。根据每个存储单元存储的可存储数位量,NAND Flash分为SLC、MLC、TLC、QLC。SLC(Single-level Cell)为每个存储单元存储的数据只有1位,而MLC(Multi-level Cell)、TLC(Triple-level Cell)和QLC(Quad-Level Cell)每个存储单元存储的数据分别为2位、3位与4位,存储密度梯度提升。传统NAND Flash为平面闪存(2D NAND),3D NAND使用多层垂直堆叠技术,拥有更大容量、更低功耗、更优耐用性以及更低成本的优势。简单来说就是,如果将来PLC(Penta-Level Cell)普及了,或者有厂商能造出堆叠层数更高的NAND芯片,那么NAND芯片价格又会迎来一波下降。产能调整:比如上游存储芯片原厂增加资本支出扩张产能,导致供过于求,NAND芯片的市场价格就会呈现下降趋势。反之亦然,当上游存储芯片原厂削减产能,导致供不应求,NAND芯片的市场价格就会呈现上升趋势。从短期来看,NAND芯片的价格主要受下游需求波动影响。比如固态硬盘价格的上涨可能导致固态硬盘下游客户短期内加大采购量,价格下跌则可能导致下游客户短期内减少采购量,从而对固态硬盘的供需产生影响,导致固态硬盘的市场价格波动幅度高于上游NAND芯片市场价格的波动。QLC的普及NAND芯片价格为什么先降后涨?简单来说可以归结为两个因素:QLC的普及和NAND芯片减产。QLC从诞生之日起,来自性能和寿命方面的质疑就始终不绝于耳。但在2022年,众多服务器厂商开始接受并大量配置QLC固态硬盘进入到自己的产品中。以戴尔为例,戴尔科技集团在2022年宣布专为非结构化数据而生的PowerScale率先引入QLC SSD。其中PowerScale F600和F900这两款支持NVMe的节点提供了15TB和30TB两种QLC SSD的选择。特别是30TB的QLC SSD将提供PowerScale产品组合中密度最高的闪存。单个PowerScale F900节点就可支持高达736TB的原始容量或者900TB的有效容量(每个节点都开启数据缩减的情况下),而整个存储集群容量更提高至高达186PB,这将是以前最大容量的两倍。其实服务器厂商对于QLC固态硬盘表现出“真香”的态度并不让人意外。一方面随着行业的发展,需要存储的数据量在不断增长。那么配置大容量固态硬盘就是必须的。另一方面,QLC真的便宜。或者按官方的话说:“引入QLC固态硬盘可以进一步降低企业部署全闪存储的整体TCO成本”。至于QLC的性能和寿命嘛,其实也没有那么大的问题。在寿命方面,虽然QLC的寿命低于TLC,但在“产品生命周期”内,QLC的寿命其实还是够用的。性能方面则可以通过其它技术进一步优化。对于基于QLC的固态硬盘产品,目前固态硬盘的供应商其实会通过多种技术对性能进行补偿,比如多通道、多die、利用高并发对性能进行补偿等。而服务器厂商则可以通过对存储系统的优化和创新对性能进行补偿,比如戴尔的PowerScale通过其存储系统整体性能的优化,使得使用QLC SSD的节点的性能和使用TLC SSD的节点维持在了同一个水平。具体来说,PowerScale本身是一个横向扩展,且通过多个节点和高速网络连接组合而成的存储集群系统,因此在实现读写功能时,或者说当有一个文件进来之后,PowerScale会把文件进行切片,然后分散给到所有的节点,让节点自己去实现落盘而背后代表的含义就是,数据不会只单独写到每一个节点之中,而是所有相关节点的多块存储介质分散地写,这样性能就得到了保障。在此基础上,PowerScale还有一个NVDIMM系统,也就是说它提供非易失性内存的能力,因此当数据写入每个节点之中时,并不是直接落盘,而是先落在每个节点的NVDIMM里,等在NVDIMM中攒够了一批再落盘。这样无论是TLC或者QLC的SSD,对PowerScale而言几乎都是没有任何区别的,由此也最大化的利用了存储介质性能,并保证了对整个存储系统写操作的性能发挥。NAND芯片减产根据TrendForce的数据显示,五大NAND芯片厂商在2023年第三季度占据了大约95.4%的市场份额。也就是说三星、海力士、西部数据、铠侠、美光这五大厂商只要开始减产,NAND芯片涨价就只是时间问题。铠侠:对四日市和北上闪存工厂进行生产调整,从2022年10月开始将其晶圆产量减少约30%。西部数据:在2022年第四季度业绩电话会议上表示,将把NAND闪存晶圆产量减少30%。美光:在2022年11月,美光就宣布了要将DRAM和NAND晶圆产量减少约20%(与截至9月1日的2022财年第四季度相比),并且美光首席执行官Sanjay Mehrotra还表示将继续监测行业状况,并根据需要作出进一步调整。这意味着美光实际减少的产能可能高于20%。海力士:在2022年10月海力士发布第三季度财报时,海力士曾表示今后将以收益性较低的产品为中心减少产量。也就是说,在一定时期内,将保持投资缩减和减产的基调,使市场的供需平衡恢复正常。三星:三星在一份声明中表示:“根据评估,公司已经获得了足够的产量,以应对未来的存储芯片需求变化,三星正在调整将存储芯片产量降至有意义的水平,重点是已经获得额外供应的产品,以及优化生产线运营。”而对于三星具体的减产措施,2023年9月有业内人士透露,三星电子已加大NAND闪存减产力度,预计到2023年底减产幅度将达50%。三星已在2023年上半年将NAND闪存产量削减了20%。2023年下半年以来,三星减产的步伐有所加快,三星已将NAND闪存产量缩减约40%。所以由于五大NAND芯片厂商都进行了大规模的减产策略,等到市场上的存量芯片消耗差不多了,NAND芯片也就会迎来涨价了。固态硬盘涨价NAND芯片涨价了,作为“下游产品”的固态硬盘也会随之涨价。不过在这个过程中,下游厂商对于涨价这件事会表现出比较积极的态度。以江波龙为例,江波龙电子主要从事Flash及DRAM存储器的研发、设计和销售。拥有嵌入式存储、... PC版: 手机版:

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假冒“三星1080 PRO NVMe SSD”现身网购市场 性能表现可想而知

假冒“三星1080 PRO NVMe SSD”现身网购市场 性能表现可想而知 同样,韩国爱好者网站Quasarzone发现了一个打着三星1080 PRO旗号的独特假冒固态硬盘,事实上三星的这后续一型号还未发布,并且也很难说会不会用这一型号。在好奇心的驱使下,该网站的编辑决定在一家中国的电商网站上订购了这枚三星1080 Pro固态硬盘,价格4万韩元左右,这和将近30美元,显然有些不对劲。该硬盘的额定容量为4 TB,标称最高速度为15800 MB/s,这个数字显然也不对,因为目前使用最快的 Phison E26 控制器的最快 Gen5 SSD 最高速度也只有 14.6 GB/s。收到包裹时,固态硬盘被装在一个普通的盒子里,没有三星的品牌标识。所谓三星 1080 PRO 固态硬盘装在一个塑料盒中,上面贴有展示品牌的贴纸,但字体和整体质量都很糟糕。它在很多方面都很像三星的 980 PRO 硬盘,尤其是在外观上,但印刷电路板的配置却与之大相径庭。该固态硬盘采用单颗 NAND 闪存,而对于宣传的 4 TB 容量,至少需要多个堆叠的 NAND 芯片,但这里的情况却并非如此。测试中,Quasarzone 注意到所谓三星 1080 PRO 固态硬盘与它的宣传正好相反。Windows 磁盘管理显示,该硬盘板载容量为 4TB,但它并没有通过 MediaTester 基准测试,而 MediaTester 是一款用于检测假冒存储设备的应用程序。接着,在 CrystalDiskInfo 上分析该硬盘时发现,该固态硬盘采用 PCIe 3.0 x4 接口,也不如 980 PRO 的首发接口。Quasarzone 提供了多个基准测试,以显示三星 1080 PRO 固态硬盘的性能有多么糟糕,并将其与三星 980 PRO 进行了比较。总体而言,读取和写入速度的差距分别高达 12 倍和 59 倍。通过 CrystalDiskMark、ATTO Disk Benchmark 等应用程序的测试,证明选择假固态硬盘路线是不值得的,尽管其价格和功能看起来很诱人。此类骗局在全球范围内屡打不绝,为了避免购买到假冒产品,我们建议用户在购买个人电脑组件之前选择经过认证的零售商。 ... PC版: 手机版:

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集邦咨询认为固态硬盘价格将继续上涨10%~15% 企业级SSD情况更明显 不过集邦咨询已经发布新的分析报告,在报告中集邦咨询认为由于市场需求等问题,无论是闪存芯片还是固态硬盘,接下来的价格都会继续上涨。具体来说,2024 年第二季度 NAND 闪存合同价格将进一步出现两位数 (百分比,下同) 的上涨,这与 2024 年第一季度的涨幅还要高。闪存芯片的价格上涨自然也会刺激固态硬盘价格继续上涨,所以集邦咨询预测 2024 年第二季度消费者固态硬盘价格将上涨 10%~15%,这个上涨幅度虽然与第一季度的 23%~28% 来说涨幅降低了,但还是上涨了。对企业来说情况可能要更糟糕些,在第一季度企业级 SSD 已经出现 23%~28% 的上涨,而在第二季度将继续维持 20%~25% 的增长,这意味着企业级 SSD 的价格还会继续涨并且还保持较大涨幅。目前还没有第三季度的市场预估,不过按照目前的情况来看,短时间消费者固态硬盘价格下跌概率比较低,这个时候已经不是囤积 SSD 的好时候,建议非必要那就先不要买了。另外 6 月份国内电商网站会有 618 促销,确实有需要的话用户,如果可以等待的话,那可以看看后面 6 月份的促销价格。 ... PC版: 手机版:

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三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产 首先,三星已开始量产其 HBM3E"Shinebolt"内存,本月将首先出货 8-Hi 堆栈,随后将在第二季度推出 12-Hi 变体。下一代内存解决方案将在 8 模块芯片(如 AMD 的 MI300X)上提供每个堆栈 36 GB 的容量,最高可达 288 GB 的产品。据报道,AMD 已经与三星代工厂签订了协议,后者将提供 HBM3E DRAM,用于现有和下一代产品,如更新的MI350/MI370 GPU,据说这些产品的内存容量都会增加。在 DDR5 DRAM 方面,三星将于 2024 年第二季度推出 1b(nm) 32 Gb 内存模块,并投入量产。这些内存 IC 将用于开发高达 128 GB 的模块。三星已经向客户交付了下一代 DDR5 解决方案的首批样品。最后,三星将在固态硬盘 V-NAND 领域推出 64 TB 数据中心固态硬盘。这些固态硬盘将于 2024 年第二季度向客户提供样品,该公司还预计将于第三季度开始量产第 9 代 V-NAND 固态硬盘。第 9 代 V-NAND 固态硬盘将采用 QLC(四层单元)设计。有报道称, TLC V-NAND(第 9 代)将于本月开始生产,其传输速度将提高 33%,达到 3200 MT/s。这些固态硬盘将采用最新的 PCIe Gen5 标准。 ... PC版: 手机版:

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