SK Hynix 首款 300TB 固态硬盘即将问世

SK Hynix 首款 300TB 固态硬盘即将问世 在SK海力士看来,开发300TB的SSD很有必要,因为AI时代全球产生的数据总量将从2014年的15ZB增加到2030年的660ZB(ZB为泽它字节、2的70次方字节)。如此庞大的数据量必须存储在某个地方,而这就是100TB HDD和300TB SSD发挥作用的时候。此外,SK海力士CEO还表示,由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求,公司按量产计划2025年生产的HBM产品也基本售罄。此前,公司对外宣布2024年HBM的产能已被客户抢购一空。公司预测,未来专门用于人工智能的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增,目前像HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%,预计到2028年可以达到61%。 ... PC版: 手机版:

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SK海力士全球首家量产HBM3E内存 1秒处理超1TB数据

SK海力士全球首家量产HBM3E内存 1秒处理超1TB数据 随后SK海力士发布公告称,其最新的超高性能AI内存产品HBM3E已开始量产,并将从本月下旬起向客户供货。据介绍,在存储半导体三大巨头(三星电子、SK海力士、美光)中,SK海力士是首家实现量产HBM3E供应商。HBM3E每秒可处理1.18TB数据,相当于在1秒内可处理230部全高清(FHD)级电影。在散热方面,SK海力士表示其HBM3E采用了MR-MUF技术,散热性能较上一代产品提高了 10%,从而在散热等所有方面都达到了全球最高水平。SK海力士高管表示:“公司通过全球首次HBM3E投入量产,进一步强化了领先用于AI的存储器业界的产品线。”其还表示,公司积累的HBM业务成功经验,将进一步夯实与客户的关系,并巩固全方位人工智能存储器供应商的地位。 ... PC版: 手机版:

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SK海力士宣布下一代HBM计划

SK海力士宣布下一代HBM计划 在最近一次负责HBM芯片的新任高管圆桌讨论中,SK海力士副总裁与营销负责人金基泰表示:“纵观当前的市场形势,大型科技客户正在加快新产品的发布时间,以确保在AI领域领先。因此,我们也在提前讨论今年和明年的计划,以确保及时供应下一代HBM产品。” SK海力士是三星电子全球第二大存储器芯片制造商,但却是HBM的主要供应商,HBM是一种对生成式AI设备至关重要的高性能堆栈式DRAM芯片。该公司是首家于2013年开发第一代HBM芯片的内存供应商,并在随后几年推出了后续产品HBM2、HBM2E 以及最新的第四代 HBM3 芯片。2023年 4 月,SK 开发出全球首款12层HBM3 DRAM 产品, 内存容量为 24 千兆字节 (GB),为业内最大。2023年 8 月,该公司推出了业界性能最佳的第五代 HBM DRAM HBM3E,用于 AI 应用, 并向其客户 NVIDIA Corp. 提供了样品以进行性能评估。今年 3 月,SK 海力士开始大批量生产 HBM3E 芯片,这是业界推出的另一个公司,同时表示将把第六代 HBM4 芯片的量产提前到 2025 年。大容量 NAND 受到业界关注SK 海力士副总裁兼 HBM 工艺集成(PI)负责人 Kwon Un-oh 表示:“通过先发制人地确保技术和量产专业知识,我们已经能够建立起稳固的竞争力。”先进封装开发部副总裁兼负责人Son Ho-young敦促公司为更好的存储器和系统芯片的融合。SK海力士表示,受AI学习和推理高端芯片需求不断增长的推动,预计今年全球DRAM市场规模将达到65%,达到117万亿韩元(850亿美元)。本月初,首席执行官Kwak Noh-jung在新闻发布会上表示,其HBM芯片产能几乎已被预订满到明年。SK海力士NAND先进工艺集成副总裁Oh Hae-soon表示,NAND闪存是AI时代的另一个前景光明的部分她表示:“随着对大规模AI服务器的需求不断增长,eSSD等NAND解决方案开始受到业界关注。”新兴存储芯片SK海力士革命技术中心 (RTC)副总裁Yi Jae-yun表示,公司还在密切关注新兴存储芯片,如仅选择器存储器 (SOM)、自旋存储器和突触存储器,这些芯片具有超高速、高容量和较低的价格,以及磁性 RAM (MRAM)、电阻式 RAM (RRAM) 和相变存储器 (PCM) 芯片。分析师表示,在存储芯片制造商中,SK海力士是AI应用爆炸式增长的最大受益者,因为它是NVIDIA Corp.的最大AI芯片供应商,而NVIDIA控制着80%的AI芯片市场。SK集团董事长崔泰源最近在接受日本媒体日经新闻采访时表示,如果SK海力士看到AI芯片融资需求,该公司正在考虑在韩国或美国建立HBM工厂的可能性。 ... PC版: 手机版:

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SK海力士已售出2025年的大部分人工智能芯片产能

SK海力士已售出2025年的大部分人工智能芯片产能 在媒体招待会上,韩国存储芯片巨头SK海力士CEO介绍,由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求,公司按量产计划2025年生产的HBM产品也基本售罄。此前,公司对外宣布2024年HBM的产能已被客户抢购一空。公司预测,未来专门用于人工智能的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增,目前像HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%,预计到2028年可以达到61%。SK 海力士上个月表示,它计划斥资约 146 亿美元在韩国建造一座新的存储芯片工厂以满足这一需求。此外,该公司还将在印第安纳州建造一座耗资 40 亿美元的封装厂,这也是该公司在美国的第一座封装厂。在回答关于公司如何支付投资的问题时,首席财务官 Kim Woo-hyun 表示,他预计公司将从运营中产生足够的现金,为必要的项目提供资金。从中长期来看,公司计划在考虑现金生成和财务健康之间的平衡的情况下获得资金。 ... PC版: 手机版:

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厂商对AI需求展望极具信心 明年HBM内存价格最高再涨10%

厂商对AI需求展望极具信心 明年HBM内存价格最高再涨10% 1、HBM买方对AI需求展望仍具高度信心,愿意接受价格续涨;2、HBM3e的TSV良率目前仅约40%-60%,因此买方愿意接受涨价以锁定质量稳定的货源;3、未来HBM每Gb单价可能因DRAM供应商的可靠度,以及供应能力产生价差,可能影响供应商获利。前不久SK海力士CEO曾表示,公司按量产计划2025年生产的HBM产品基本售罄,主要由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求。不仅如此,此前SK海力士还宣布其2024年HBM的产能已被客户抢购一空。SK海力士认为,目前HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%,预计到2028年这一比例可以达到61%。 ... PC版: 手机版:

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SK海力士发布2023财年第三季度财务报告 SK海力士解释道:“因高性能半导体存储器产品为中心的市场需求增加,公司业绩在第一季度低点过后持续改善,特别是面向AI的代表性存储器HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移动DRAM等主力产品的销售势头良好,与上季度相比营业收入增长24%,营业损失减少38%。” 顺应这一趋势,SK海力士决定加大对HBM、DDR5、LPDDR5 DRAM等高附加值主力产品的投资。公司将进行以第四代10纳米级(1a)和第五代10纳米级(1b)DRAM为中心的生产线转换,同时扩大对HBM TSV技术的投资。

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四年十倍 HBM市场有望继续爆炸式增长 SK海力士占据“半壁江山”

四年十倍 HBM市场有望继续爆炸式增长 SK海力士占据“半壁江山” 据了解,HBM存储系统自2023年以来因AI芯片需求而呈现爆炸式增长。SK海力士和美光()一样,均已成为英伟达()新款 AI GPU的HBM存储系统供应商,提供的产品均为最新款的“HBM3E”。高盛日前发布研报称,由于更强的生成式人工智能(Gen AI)需求推动了更高的AI服务器出货量和每个GPU中更高的HBM密度,该行大幅提高了HBM总市场规模预估,现在预计市场规模将从2022年到2026年前增长10倍(4年复合年增长率77%),从2022年的23亿美元增长至2026年的230亿美元。高盛认为,HBM市场供不应求的情况未来几年将持续,SK海力士、三星和美光等主要玩家将持续受益。与同行的解决方案相比,海力士生产力和产量更佳。高盛预计,海力士在未来2-3年将保持其50%以上的市场份额。高盛继续认为,三星是全球唯一有能力提供一站式HBM服务的公司,这可能会在长期内帮助其保有市场份额。高盛认为,随着行业需求日益转向HBM3E,美光将受益。高盛预期美光可能从2025年开始超越同行,但能否获得显著市场份额将取决于如何快速扩大其相对较小的HBM产能。高盛重申对海力士、三星和美光的买入评级。相关文章:SK海力士全球首家量产HBM3E内存 1秒处理超1TB数据SK海力士计划在印第安纳州建造价值40亿美元的芯片封装厂 ... PC版: 手机版:

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