小变化,大影响:同位素研究有望改变二维半导体工程

小变化,大影响:同位素研究有望改变二维半导体工程 研究人员发现,改变单层二硫化钼半导体中钼的同位素质量,可以改变该层在光照下发出的光的颜色。这项研究揭示了同位素工程设计二维材料新技术的潜力。资料来源:Chris Rouleau/ORNL,美国能源部同位素是一种元素家族中的成员,它们的质子数相同,但中子数不同,因此质量也不同。同位素工程学传统上侧重于增强在三维(或三维)范围内具有统一特性的所谓块体材料。但由 ORNL 领导的新研究推进了同位素工程的前沿领域,即电流被限制在平面晶体内的二维(或二维)范围内,而且一层只有几个原子厚。二维材料前景广阔,因为它们的超薄特性可以实现对其电子特性的精确控制。ORNL科学家肖凯说:"当我们在晶体中置换一种较重的钼同位素时,我们在单层二硫化钼的光电特性中观察到了令人惊讶的同位素效应,这种效应为设计用于微电子、太阳能电池、光电探测器甚至下一代计算技术的二维光电器件带来了机遇。"研究小组成员于一玲利用不同质量的钼原子,生长出了原子薄二硫化钼的同位素纯二维晶体。在光激发或光刺激下,于发现晶体发出的光的颜色发生了微小变化。肖说:"出乎意料的是,钼原子较重的二硫化钼发出的光向光谱的红色端偏移得更远,这与人们对块状材料的预期偏移相反。红色偏移表明材料的电子结构或光学特性发生了变化。"肖和研究小组与中佛罗里达大学的理论家沃洛迪米尔-特科夫斯基(Volodymyr Turkowski)和塔拉特-拉赫曼(Talat Rahman)合作,发现声子(即晶体振动)一定会在这些超薄晶体的有限尺寸内以意想不到的方式散射激子(即光激发子)。他们发现这种散射如何使较重同位素的光带隙向光谱的红色端移动。"光带隙"是指材料吸收或发射光所需的最小能量。通过调整带隙,研究人员可以使半导体吸收或发射不同颜色的光,这种可调性对于设计新设备至关重要。ORNL 的 Alex Puretzky 描述了生长在基底上的不同晶体如何因基底的区域应变而导致发射颜色的微小变化。为了证明异常同位素效应,并测量其大小以便与理论预测进行比较,于培育了二硫化钼晶体,在一个晶体中含有两种钼同位素。肖说:"我们的工作是史无前例的,因为我们合成了含有两种相同元素但质量不同的同位素的二维材料,并在单层晶体中以可控和渐进的方式横向连接了同位素。这使我们能够在二维材料中观察到光学特性的内在异常同位素效应,而不会受到不均匀样品的干扰。"研究结果表明,即使原子薄的二维半导体材料中同位素质量发生微小变化,也会影响光学和电子特性,这一发现为继续研究提供了重要依据。"以前,人们认为要制造光伏和光电探测器等设备,我们必须将两种不同的半导体材料结合起来,制造结来捕获激子并分离它们的电荷。但实际上,我们可以使用相同的材料,只需改变其同位素,就能制造出捕获激子的同位素结,"肖说。"这项研究还告诉我们,通过同位素工程,我们可以调整光学和电子特性,从而设计出新的应用。"在未来的实验中,肖和团队计划与高通量同位素反应堆和美国国家实验室同位素科学与工程局的专家合作。这些设施可以提供各种高浓缩同位素前驱体,用于生长不同的同位素纯二维材料。然后,研究小组可以进一步研究同位素对自旋特性的影响,以便将其应用于自旋电子学和量子发射。描述这项研究的论文发表在《科学进展》(Science Advances)上。编译来源:ScitechDaily ... PC版: 手机版:

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麻省理工学院在将二维材料集成到设备方面取得突破 这幅艺术家的作品展示了麻省理工学院研究人员开发的一种新型集成平台。通过对表面力进行工程设计,他们只需一个接触和释放步骤,就能将二维材料直接集成到设备中。图片来源:Sampson Wilcox/电子研究实验室提供但是,将二维材料集成到计算机芯片等设备和系统中是众所周知的难题。这些超薄结构可能会受到传统制造技术的破坏,这些技术通常依赖于使用化学品、高温或蚀刻等破坏性工艺。为了克服这一挑战,麻省理工学院和其他大学的研究人员开发出了一种新技术,只需一步就能将二维材料集成到设备中,同时保持材料表面和由此产生的界面原始无缺陷。他们的方法依赖于纳米级的工程表面力,使二维材料可以物理叠加到其他预制设备层上。由于二维材料不会受损,研究人员可以充分利用其独特的光学和电学特性。所开发的平台利用行业兼容的工具集,使这一过程可以扩展。在这里,主要作者彼得-萨特斯韦特(Peter Satterthwaite)使用 MIT.nano 中修改过的配准工具进行图案化配准集成。他们利用这种方法制造出了二维晶体管阵列,与使用传统制造技术制造出的器件相比,实现了新的功能。他们的方法用途广泛,可用于多种材料,可在高性能计算、传感和柔性电子器件等领域广泛应用。释放这些新功能的核心是形成清洁界面的能力,所有物质之间存在的特殊力量(称为范德华力)将这些界面连接在一起。电子工程与计算机科学(EECS)助理教授、电子学研究实验室(RLE)成员 Farnaz Niroui 是介绍这项工作的新论文的资深作者。"范德华积分有一个基本限制,"她解释说,"由于这些作用力取决于材料的内在特性,因此无法轻易调整。因此,有些材料无法仅利用其范德华相互作用来直接相互整合。我们提出了一个解决这一限制的平台,以帮助范德华集成变得更加通用,从而促进具有新功能和改进功能的基于二维材料的设备的开发。"Niroui 与论文第一作者、电子工程与计算机科学研究生 Peter Satterthwaite,电子工程与计算机科学教授、RLE 成员 Jing Kong,以及麻省理工学院、波士顿大学、台湾国立清华大学、台湾国家科学技术委员会和台湾国立成功大学的其他人共同撰写了这篇论文,这项研究最近发表在《自然-电子学》上。纳米级表面力的多样性使研究人员能够将粘合剂基质转移到许多不同的材料上。例如,在这里,通过使用粘合聚合物,他们能够将图案化的石墨烯(一原子厚的碳薄片)从源基底(上图)转移到接收粘合聚合物(下图)上。图片来源:Niroui 小组提供使用传统制造技术制造计算机芯片等复杂系统可能会变得一团糟。通常情况下,像硅这样的硬质材料会被凿成纳米级,然后与金属电极和绝缘层等其他元件连接,形成有源器件。这种加工过程会对材料造成损害。最近,研究人员专注于使用二维材料和一种需要连续物理堆叠的工艺,自下而上地构建设备和系统。在这种方法中,研究人员不是使用化学胶水或高温将脆弱的二维材料粘合到硅等传统表面上,而是利用范德华力将一层二维材料物理集成到设备上。范德华力是存在于所有物质之间的自然吸引力。例如,壁虎的脚会因为范德华力而暂时粘在墙上。虽然所有材料都存在范德华力,但根据材料的不同,范德华力并不总是强大到足以将它们粘在一起。例如,一种名为二硫化钼的流行半导体二维材料会粘在黄金上,但不会通过与二氧化硅等绝缘体表面的物理接触直接转移到该表面上。然而,通过整合半导体层和绝缘层制成的异质结构是电子设备的关键组成部分。以前,实现这种集成的方法是将二维材料粘合到一个中间层(如金)上,然后使用该中间层将二维材料转移到绝缘体上,最后再使用化学品或高温去除中间层。麻省理工学院的研究人员没有使用这种牺牲层,而是将低粘性绝缘体嵌入高粘性基质中。这种粘合基质使二维材料粘附在嵌入的低粘合力表面上,提供了在二维材料和绝缘体之间形成范德华界面所需的力。制作矩阵为了制造电子设备,他们在载体基底上形成金属和绝缘体的混合表面。然后将该表面剥离并翻转,就会看到一个完全光滑的顶面,其中包含所需的器件构件。这种光滑度非常重要,因为表面和二维材料之间的间隙会阻碍范德华相互作用。然后,研究人员在完全洁净的环境中单独制备二维材料,并将其与制备好的器件堆栈直接接触。"一旦混合表面与二维层接触,无需任何高温、溶剂或牺牲层,它就能拾取二维层并将其与表面整合在一起。"萨特斯韦特解释说:"通过这种方式,我们可以实现传统上被禁止的范德华集成,但现在却可以实现,而且只需一步就能形成功能齐全的器件。"这种单步工艺可使二维材料界面保持完全清洁,从而使材料达到其性能的基本极限,而不会受到缺陷或污染的影响。而且,由于二维材料的表面也保持原始状态,研究人员可以对二维材料的表面进行工程设计,以形成与其他元件的特征或连接。例如,他们利用这种技术制造出了 p 型晶体管,而利用二维材料制造这种晶体管通常是具有挑战性的。他们的晶体管在以前的研究基础上有所改进,可以为研究和实现实用电子产品所需的性能提供一个平台。展望未来他们的方法可以大规模地制造更大的装置阵列。粘合基质技术还可用于一系列材料,甚至与其他力量结合使用,以增强这一平台的多功能性。例如,研究人员将石墨烯集成到器件上,利用聚合物基质形成所需的范德华界面。在这种情况下,粘附依靠的是化学作用,而不仅仅是范德华力。未来,研究人员希望以此平台为基础,整合各种二维材料库,在不受加工损伤影响的情况下研究其内在特性,并利用这些卓越功能开发新的设备平台。编译自:ScitechDaily ... PC版: 手机版:

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