第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20%

第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20% 在花莲地震之前，TrendForce 最初预测 DRAM 合约价格将季节性上涨 3-8%，NAND Flash 将上涨 13-18%。这主要是由于人工智能应用之外的需求低迷，尤其是笔记本电脑和智能手机的需求没有复苏迹象。库存水平逐渐增加，尤其是个人电脑原始设备制造商的状况所带来。此外，由于 DRAM 和 NAND 闪存的价格已经连续上涨了两三个季度，买家接受进一步大幅提价的意愿已经减弱。地震后，市场上出现了一些零星的报道，称 PC OEM 供应商出于特殊考虑，接受 DRAM 和 NAND Flash 合同价格的大幅上涨，但这只是个别交易。到 4 月下旬，在新一轮合同价格谈判完成后，涨幅超过了最初的预期。这促使 TrendForce 上调了第二季度 DRAM 和 NAND Flash 的合约价格涨幅，这不仅反映了买方希望支持其库存价值的愿望，也反映了对人工智能市场供需前景的考虑。TrendForce 报告称，制造商对 HBM 产能的潜在挤出效应保持警惕。具体而言，三星采用 1Alpha 工艺节点的 HBM3e 产品预计到 2024 年底将使用约 60% 的产能。这一大幅分配预计将限制 DDR5 供应商，尤其是在第三季度 HBM3e 产量大幅增加的情况下。为此，买家在第二季度战略性地增加库存，为第三季度开始的 HBM 短缺做好准备。随着能效对人工智能推理服务器越来越重要，北美 CSP 正在采用 QLC 企业固态硬盘作为首选存储解决方案。这一转变推动了对 QLC 企业级固态硬盘的需求，导致一些供应商的库存迅速耗尽，并使他们对销售犹豫不决。此外，由于消费产品需求的复苏尚不明朗，供应商对非 HBM 晶圆容量的资本投资普遍持保守态度，尤其是对 NAND 闪存的投资，因为目前 NAND 闪存的价格处于盈亏平衡点。 ... PC版： 手机版：

厂商对AI需求展望极具信心 明年HBM内存价格最高再涨10%

厂商对AI需求展望极具信心 明年HBM内存价格最高再涨10% 1、HBM买方对AI需求展望仍具高度信心，愿意接受价格续涨；2、HBM3e的TSV良率目前仅约40%-60%，因此买方愿意接受涨价以锁定质量稳定的货源；3、未来HBM每Gb单价可能因DRAM供应商的可靠度，以及供应能力产生价差，可能影响供应商获利。前不久SK海力士CEO曾表示，公司按量产计划2025年生产的HBM产品基本售罄，主要由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求。不仅如此，此前SK海力士还宣布其2024年HBM的产能已被客户抢购一空。SK海力士认为，目前HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%，预计到2028年这一比例可以达到61%。 ... PC版： 手机版：

TrendForce：2024年DRAM和闪存合约价或持续上涨

TrendForce：2024年DRAM和闪存合约价或持续上涨  NAND闪存方面，合约价自2022年第三季度开始下跌，已经连续下跌四个季度，至2023年第三季度起涨。面对2024年市场需求展望仍趋于保守的前提下，DRAM和NAND闪存价格走势均取决于供应商产能利用率情况。2024年第一季度，预计DRAM合约价季涨幅约13~18%；NAND闪存则是18~23%。目前市场对第二季度整体需求看法偏于保守，DRAM和NAND闪存供应商从2023年第四季度下旬到2024年第一季度调整了产能利用率，买方也在第一季度陆续完成库存回补，因此DRAM和NAND闪存第二季度合约价季涨幅减少至3~8%。第三季度是传统的旺季，来自北美云端服务业者（CSP）的补货动能较强，预计DRAM和NAND闪存在产能利用率尚未恢复满载的情况下，合约价季涨幅同步扩大至8~13%。其中DRAM因DDR5和HBM渗透率提升，平均单价的提高，带动DRAM涨幅扩大。第四季度在供应商维持有效产能控制的前提下，涨势将延续，预计DRAM合约价季涨幅约8~13%，而NAND闪存则是0~5%。 ... PC版： 手机版：

TrendForce 报告：NAND闪存市场格局将发生变化 终于出现复苏迹象

TrendForce 报告：NAND闪存市场格局将发生变化 终于出现复苏迹象 NAND闪存产业链动态频出，部分厂商表示有提价或提高产能利用率的意愿。NAND闪存供应商SIMO总经理Wallace C. Kou表示，第二季度NAND闪存的价格已经尘埃落定，将上涨20%；部分供应商第一季度已经开始盈利，第二季度后大部分供应商都将盈利。PHISON公司首席执行官Pua Khein Seng认为，SSD固态硬盘价格的进一步上涨可能会大大降低市场需求。如果价格过高，需求可能又会开始动摇。他建议 NAND 制造商停止减产，开始满足需求，而不是任由低供应、高需求推高价格。从产业链的角度来看，三星西安晶圆厂已经大幅提高了开工率，Kioxia也在考虑调整减产计划。三星方面，据韩国媒体"The Elec"报道，三星电子位于中国西安的NAND闪存工厂已将开工率恢复到70%左右。23 年下半年，三星将该工厂的开工率降至 20%-30%。这是自 2022 年下半年内存价格和需求开始下滑以来该工厂的最低点。西安晶圆厂是三星电子在韩国以外唯一的内存半导体生产基地，月产能为 20 万片 300mm 晶圆，占三星整体 NAND 产量的 40%。三星电子计划将西安 NAND 闪存工厂升级为 236 层 NAND 工艺，并启动大规模扩产。据了解，该公司将于 2024 年在西安工厂逐步引进能够生产 236 层 NAND 的设备。至于 Kioxia，该公司最近表示，将重新评估自 2022 年起实施的电子设备中使用的内存介质闪存的减产计划，并提高产量。Kioxia预计，到今年3月，其NAND工厂的利用率将恢复到90%左右，这取决于需求。不过，TrendForce指出，先前预测NAND Flash在第1季的合约价格季增率约为20-25%。尽管第二季度的整体需求前景仍然保守，但NAND闪存供应商已经从23年第四季度末和24年第一季度初开始调整产能利用率。此外，NAND 闪存买家已开始逐步补充第一季度的库存。因此，第二季度 NAND 闪存合同价格的季度环比增幅将收敛至 10-15%。市场格局：三星仍占主导地位，两大制造商或将合并目前，NAND 闪存市场仍由五大厂商主导，其中三星和 SK Hynix 占据了绝大部分份额。根据TrendForce 3月6日的调查，23年第四季度，三星仍牢牢占据着NAND闪存市场的头把交椅，市场份额从上一季度的31.4%增至36.6%；其次是SK集团，市场份额从上一季度的20.2%增至21.6%。紧随其后的是西部数据，其市场份额从上一季度的 16.9% 降至 14.5%；Kioxia，其市场份额从上一季度的 14.5% 降至 12.6%；美光，其市场份额从上一季度的 12.5% 降至 9.9%。值得注意的是，西部数据与 Kioxia 的合并计划自 2021 年开始实施，目前尚未结束。据日本媒体 47news 报道援引消息人士的话称，合并谈判遭到了竞争对手的反对，导致谈判终止。日本媒体朝日新闻早些时候的报道指出，双方可能在 4 月底恢复合并谈判。据报道，贝恩资本正在与相关公司进行谈判，以重启西部数据与 Kioxia 的合并谈判。如果合并成功，新成立的公司将控制全球三分之一的 NAND 闪存市场。如果合并成功，西部数据和 Kioxia 成立的新公司的市场份额将超过 30%，从而导致 NAND 闪存市场格局的变化。近日，西部数据再次出手。3月5日，该公司宣布分拆NAND闪存业务后，将保留原名，专注于核心硬盘业务。该公司还表示，分拆交易预计将在下半年完成。根据公告，西部数据现任全球运营执行副总裁 Irving Tan 将担任剩余独立硬盘公司的首席执行官，继续以西部数据品牌运营。现任首席执行官大卫-戈克勒（David Goeckeler）将被调往新成立的公司负责 NAND 闪存部门，并担任新公司的首席执行官。西部数据将剥离长期受供过于求困扰的 NAND 闪存业务，这一消息引发了业界的广泛讨论。但该公司认为，此举将加速创新，带来新的发展机遇。同时，由于资本结构独立，两个实体的运营效率将高于统一的公司。展望：第一季度 NAND 闪存行业收入或将环比增长 20%在产业营收方面，根据 TrendForce 的最新研究显示，NAND Flash 产业营收在 23 年第 4 季达到 114.9 亿美元，较前一季成长 24.5%。这主要得益于年末促销带来的终端需求回暖，以及元器件市场因涨价带来的订单扩大，以及比特出货量较去年同期旺盛。同时，各公司继续发布 2024 年需求表现将好于 2023 年的观点，并已开始战略备货。展望 2024 年第一季度，TrendForce 认为，在供应链库存水平显著改善、价格仍在上涨的情况下，客户继续增加采购订单，以避免供应短缺和成本上升的风险。因此，TrendForce 预估，尽管目前为传统淡季，但由于订单规模持续扩大，刺激 NAND Flash 合约价格平均上涨 25%，第一季 NAND Flash 产业营收仍将较去年同期成长 20%。 ... PC版： 手机版：

报告称台湾地震对第二季度DRAM产量的影响微乎其微

报告称台湾地震对第二季度DRAM产量的影响微乎其微 台湾有四家内存制造商：美光（Micron）是岛内"三大"内存制造商的唯一成员，拥有两座工厂。与此同时，规模较小的厂商有南亚（拥有一座工厂）、华邦（在一座工厂生产特种内存）和力积电（在一座工厂生产特种内存）。研究发现，这些 DRAM 生产商很快就恢复了全面运营，但不得不丢弃一些晶圆。TrendForce称，地震对第二季度的DRAM生产影响较小，1%的影响可以忽略不计。事实上，随着美光在其 1alpha 和 1beta 纳米工艺技术上加大 DRAM 的生产力度，内存的位产量也随之增加，这将对 2025 年第二季度的商品 DRAM 供应产生积极影响。地震发生后，DRAM 合同市场和现货市场的报价都暂时停止。不过，现货市场报价已基本恢复，而合约价格尚未完全重启。值得注意的是，美光（Micron）和三星（Samsung）在地震发生后立即停止了移动 DRAM 的报价，截至 4 月 8 日也没有提供最新报价。相比之下，SK hynix 在地震当天恢复了面向智能手机客户的报价，并对第二季度移动 DRAM 提出了较为温和的价格调整。TrendForce预计，第二季度移动DRAM的季节性合约价格涨幅在3%到8%之间。这种温和增长的部分原因是 SK hynix 采取了更为克制的定价策略，这可能会影响整个行业的整体定价策略。据TrendForce称，地震对服务器DRAM的影响主要波及美光的先进制造节点，可能导致美光服务器DRAM的最终销售价格上涨。不过，未来价格的确切走向仍有待观察。与此同时，台湾以外的 DRAM 工厂没有受到地震的直接影响。这包括美光位于日本广岛的 HBM 生产线，以及三星和 SK hynix 位于韩国的 HBM 生产线，它们显然都在照常运营。总体而言，DRAM 行业在地震面前表现出了顽强的生命力，受到的影响很小，恢复也很快。DDR4 和 DDR5 库存充足，加上需求疲软，这表明地震造成的轻微价格上涨预计都会很快恢复正常。唯一可能的例外是 DDR3，其商业寿命即将结束，产量已经在减少。 ... PC版： 手机版：

业界预期存储器价格可能在二季度提前反应

业界预期存储器价格可能在二季度提前反应 存储器产业2024年从价格谷底回升，业界预期，即使上半年的市场终端需求不如预期，原厂仍将力撑DRAM及NAND Flash价格温和调涨，为了应对传统旺季加剧供应紧俏，不排除二季度再掀起一波补货涨价潮，预计存储器价格可能提前反应，二季度存储器的价格涨势将成为下半年产业风向标。 消息来源: 科创板日报