最新报告大幅上调二季度的内存和闪存价格涨幅预期

最新报告大幅上调二季度的内存和闪存价格涨幅预期 访问:Saily - 使用eSIM实现手机全球数据漫游 安全可靠 源自NordVPN 唯一利好的就是eMMC/UFS闪存,预计第二季度只会涨大约10%其实也不少了。集邦咨询表示,4月3日的花莲大地震是一个转折点。震前,内存和闪存现货价格和交易量都持续走低,上涨动力不足,主要是AI之外的智能手机、笔记本市场需求疲软,PC厂商库存也逐渐增加,买方也不愿意接受连续涨价。但是震后,PC厂商出于种种考虑开始接受内存、闪存合约价大幅上涨,尤其到了4月底,新一轮合约价谈判陆续完成,涨幅超过此前预期,一方面是买方有意愿增加库存,另一方面是AI需求持续强劲。尤其值得一提的是,AI对于HBM高带宽内存需求旺盛,原厂都在纷纷扩产。比如三星的HBM3E,使用了先进的1α工艺,尤其是第三季度会大幅扩产,预计到今年底这部分产能将占到大约60%,自然会排挤DDR5的产能,进一步加剧涨价。同时,AI推理服务器越来越考虑节能,优先采用企业级QLC SSD,也会占用相当大的产能,导致消费级的NAND出现紧缺。 ... PC版: 手机版:

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第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20%

第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20% 在花莲地震之前,TrendForce 最初预测 DRAM 合约价格将季节性上涨 3-8%,NAND Flash 将上涨 13-18%。这主要是由于人工智能应用之外的需求低迷,尤其是笔记本电脑和智能手机的需求没有复苏迹象。库存水平逐渐增加,尤其是个人电脑原始设备制造商的状况所带来。此外,由于 DRAM 和 NAND 闪存的价格已经连续上涨了两三个季度,买家接受进一步大幅提价的意愿已经减弱。地震后,市场上出现了一些零星的报道,称 PC OEM 供应商出于特殊考虑,接受 DRAM 和 NAND Flash 合同价格的大幅上涨,但这只是个别交易。到 4 月下旬,在新一轮合同价格谈判完成后,涨幅超过了最初的预期。这促使 TrendForce 上调了第二季度 DRAM 和 NAND Flash 的合约价格涨幅,这不仅反映了买方希望支持其库存价值的愿望,也反映了对人工智能市场供需前景的考虑。TrendForce 报告称,制造商对 HBM 产能的潜在挤出效应保持警惕。具体而言,三星采用 1Alpha 工艺节点的 HBM3e 产品预计到 2024 年底将使用约 60% 的产能。这一大幅分配预计将限制 DDR5 供应商,尤其是在第三季度 HBM3e 产量大幅增加的情况下。为此,买家在第二季度战略性地增加库存,为第三季度开始的 HBM 短缺做好准备。随着能效对人工智能推理服务器越来越重要,北美 CSP 正在采用 QLC 企业固态硬盘作为首选存储解决方案。这一转变推动了对 QLC 企业级固态硬盘的需求,导致一些供应商的库存迅速耗尽,并使他们对销售犹豫不决。此外,由于消费产品需求的复苏尚不明朗,供应商对非 HBM 晶圆容量的资本投资普遍持保守态度,尤其是对 NAND 闪存的投资,因为目前 NAND 闪存的价格处于盈亏平衡点。 ... PC版: 手机版:

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厂商对AI需求展望极具信心 明年HBM内存价格最高再涨10%

厂商对AI需求展望极具信心 明年HBM内存价格最高再涨10% 1、HBM买方对AI需求展望仍具高度信心,愿意接受价格续涨;2、HBM3e的TSV良率目前仅约40%-60%,因此买方愿意接受涨价以锁定质量稳定的货源;3、未来HBM每Gb单价可能因DRAM供应商的可靠度,以及供应能力产生价差,可能影响供应商获利。前不久SK海力士CEO曾表示,公司按量产计划2025年生产的HBM产品基本售罄,主要由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求。不仅如此,此前SK海力士还宣布其2024年HBM的产能已被客户抢购一空。SK海力士认为,目前HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%,预计到2028年这一比例可以达到61%。 ... PC版: 手机版:

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报告称台湾地震对第二季度DRAM产量的影响微乎其微 台湾有四家内存制造商:美光(Micron)是岛内"三大"内存制造商的唯一成员,拥有两座工厂。与此同时,规模较小的厂商有南亚(拥有一座工厂)、华邦(在一座工厂生产特种内存)和力积电(在一座工厂生产特种内存)。研究发现,这些 DRAM 生产商很快就恢复了全面运营,但不得不丢弃一些晶圆。TrendForce称,地震对第二季度的DRAM生产影响较小,1%的影响可以忽略不计。事实上,随着美光在其 1alpha 和 1beta 纳米工艺技术上加大 DRAM 的生产力度,内存的位产量也随之增加,这将对 2025 年第二季度的商品 DRAM 供应产生积极影响。地震发生后,DRAM 合同市场和现货市场的报价都暂时停止。不过,现货市场报价已基本恢复,而合约价格尚未完全重启。值得注意的是,美光(Micron)和三星(Samsung)在地震发生后立即停止了移动 DRAM 的报价,截至 4 月 8 日也没有提供最新报价。相比之下,SK hynix 在地震当天恢复了面向智能手机客户的报价,并对第二季度移动 DRAM 提出了较为温和的价格调整。TrendForce预计,第二季度移动DRAM的季节性合约价格涨幅在3%到8%之间。这种温和增长的部分原因是 SK hynix 采取了更为克制的定价策略,这可能会影响整个行业的整体定价策略。据TrendForce称,地震对服务器DRAM的影响主要波及美光的先进制造节点,可能导致美光服务器DRAM的最终销售价格上涨。不过,未来价格的确切走向仍有待观察。与此同时,台湾以外的 DRAM 工厂没有受到地震的直接影响。这包括美光位于日本广岛的 HBM 生产线,以及三星和 SK hynix 位于韩国的 HBM 生产线,它们显然都在照常运营。总体而言,DRAM 行业在地震面前表现出了顽强的生命力,受到的影响很小,恢复也很快。DDR4 和 DDR5 库存充足,加上需求疲软,这表明地震造成的轻微价格上涨预计都会很快恢复正常。唯一可能的例外是 DDR3,其商业寿命即将结束,产量已经在减少。 ... PC版: 手机版:

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TrendForce:2024年DRAM和闪存合约价或持续上涨  NAND闪存方面,合约价自2022年第三季度开始下跌,已经连续下跌四个季度,至2023年第三季度起涨。面对2024年市场需求展望仍趋于保守的前提下,DRAM和NAND闪存价格走势均取决于供应商产能利用率情况。2024年第一季度,预计DRAM合约价季涨幅约13~18%;NAND闪存则是18~23%。目前市场对第二季度整体需求看法偏于保守,DRAM和NAND闪存供应商从2023年第四季度下旬到2024年第一季度调整了产能利用率,买方也在第一季度陆续完成库存回补,因此DRAM和NAND闪存第二季度合约价季涨幅减少至3~8%。第三季度是传统的旺季,来自北美云端服务业者(CSP)的补货动能较强,预计DRAM和NAND闪存在产能利用率尚未恢复满载的情况下,合约价季涨幅同步扩大至8~13%。其中DRAM因DDR5和HBM渗透率提升,平均单价的提高,带动DRAM涨幅扩大。第四季度在供应商维持有效产能控制的前提下,涨势将延续,预计DRAM合约价季涨幅约8~13%,而NAND闪存则是0~5%。 ... PC版: 手机版:

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业界预期存储器价格可能在二季度提前反应 存储器产业2024年从价格谷底回升,业界预期,即使上半年的市场终端需求不如预期,原厂仍将力撑DRAM及NAND Flash价格温和调涨,为了应对传统旺季加剧供应紧俏,不排除二季度再掀起一波补货涨价潮,预计存储器价格可能提前反应,二季度存储器的价格涨势将成为下半年产业风向标。 消息来源: 科创板日报

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报告:第二季度全球AI初创公司融资240亿美元 环比翻番 Crunchbase数据显示,自OpenAI ChatGPT上市以来,AI首次成为领先行业(融资贡献)。尽管投资者对AI企业的营收和高估值感到担忧,但第二季度的融资额还是达到了240亿美元,是近年来AI企业的最高季度融资额。在六笔“十亿美元级融资”中,有五笔流向了AI公司。其中,埃隆·马斯克(Elon Musk)旗下的xAI融资60亿美元,AI基础设施提供商CoreWeave融资11亿美元,自动驾驶公司Wayve、AI数据和模型训练平台Scale AI和AI生物技术公司Xaira Therapeutics均筹集了数十亿美元。在AI之外,网络安全公司Wiz也获得了10亿美元的投资。医疗保健和生物技术是第二大行业,共融资170亿美元。此外,硬件公司融资110亿美元,这在很大程度上归功于AI基础设施和半导体领域的融资。而金融服务公司融资98亿美元。Crunchbase数据还显示,尽管第二季度融资额有所增加,但今年上半年的融资额出现了下滑。上半年,全球初创公司融资额为1470亿美元,同比下滑5%,低于2023年上半年的1540亿美元,但与2023年下半年持平。 ... PC版: 手机版:

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