ASML正在开发hyper-NA EUV光刻机

ASML正在开发hyper-NA EUV光刻机  他表示，在未来十年内，ASML将构建一个集成低数值孔径、高数值孔径和超数孔径EUV系统的单一平台。 这一举措被视为减少工艺步骤数量、降低晶圆加工成本和能源消耗的关键。Van den Brink进一步强调了Hyper-NA EUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。值得注意的是，高数值孔径EUV（high-NA）光刻技术目前正处于起步阶段。ASML自去年12月开始出货高数值孔径工具，目前仅英特尔一家采用，而台积电则表示短期内不会采用。为了推动该技术的研发和应用，ASML将在几周内正式在费尔德霍芬开设高数值孔径实验室，该实验室将与Imec共同运营，为芯片制造商提供该工具的早期使用权。事实上，该实验室的系统已经投入使用，并成功打印了有史以来第一个10纳米线阵图案。据Van den Brink的最新更新，该系统已经能够产生8nm线阵图案，接近该工具的最大分辨率。这一成果进一步证明了ASML在EUV光刻技术领域的领先地位和持续创新的能力。 ... PC版： 手机版：

ASML 着眼未来：考虑推出通用 EUV 光刻平台，覆盖不同数值孔径

ASML 着眼未来：考虑推出通用 EUV 光刻平台，覆盖不同数值孔径 此外，ASML 还计划将其 DUV 和 EUV 光刻机的晶圆吞吐量从目前的每小时 200~300 片增加到每小时 400~500 片，从而提升单台光刻机的生产效率，在另一个侧面降低行业成本。

英特尔包圆 ASML 初始产能，获得今年全部高数值孔径 EUV 光刻机

英特尔包圆 ASML 初始产能，获得今年全部高数值孔径 EUV 光刻机 TheElec 表示，ASML 截至明年上半年绝大部分高数值孔径 EUV 设备的订单已经由英特尔承包，包括今年计划生产的五套设备将全部运给这家美国芯片制造商。 2023-12-22 2024-04-18

单价4亿美元的光刻机 ASML又卖了一台

单价4亿美元的光刻机 ASML又卖了一台 ASML 首席商务官 Christophe Fouquet 在该公司与分析师和投资者举行的财报电话会议上表示：“关于 High-NA（即 0.55 NA EUV），我们向客户交付了第一个系统，该系统目前正在安装中。” “我们本月开始发货第二个系统，安装也即将开始。”ASML 于 2023 年底开始向英特尔交付其首款高数值孔径 EUV 光刻工具 Twinscan EXE:5000。英特尔将使用该系统来学习如何使用此类机器，并将将该系统与英特尔一起投入14A 制造工艺的大规模生产。这还需要几年时间。通过尽早开始研究基于高数值孔径 EUV 的工艺技术，英特尔将能够制定下一代光刻的行业标准，这有望在未来几年成为竞争优势。ASML方面表示：“在 2 月份的 SPIE 行业会议上，我们首次宣布了位于 Veldhoven 的 ASML-Imec High-NA 联合实验室中的 High-NA 系统的亮相。” “此后，我们获得了第一张图像，分辨率低于 10 纳米，创下了新纪录，并预计在未来几周内开始曝光晶圆。所有高数值孔径客户都将使用该系统来尽早进行工艺开发。”虽然台积电和Rapidus似乎并不急于采用高数值孔径EUV光刻系统进行量产，但他们仍然必须在未来的某个时候这样做，这就是为什么ASML对这项技术的未来持乐观态度。事实上，全球最大的晶圆厂工具制造商正在探索 Hyper-NA、EUV 光刻工具，其投影光学器件的数值孔径高于 0.7。“客户对我们的 [高数值孔径] 系统实验室的兴趣很高，因为该系统将帮助我们的逻辑和内存客户为将高 NA 插入他们的路线图做好准备，”Fouquet 说。“相对于 0.33 NA，0.55 NA 系统提供了更精细的分辨率，在相似的生产率下，晶体管密度几乎增加了 3 倍，支持低于 2 纳米的逻辑和低于 10 纳米的 DRAM 节点。”近日，ASML 宣布其首款具有 0.55 数值孔径 ( High-NA ) 投影光学器件的极紫外 (EUV) 光刻工具已打印出第一个图案。该公告对于 ASML 和高数值孔径 EUV 光刻技术来说都是一个重要的里程碑。ASML 在一份声明中写道：“我们位于 Veldhoven 的高数值孔径 EUV 系统打印了有史以来第一条 10 纳米密集线。” “成像是在光学器件、传感器和平台完成粗略校准后完成的。下一步：使系统充分发挥性能。并在现场取得相同的结果。”ASML 似乎是第一家宣布使用高数值孔径 EUV 光刻系统成功图案化的公司，这对于整个半导体行业来说是一个重要的里程碑。ASML 将仅将其 Twinscan EXE:5000 用于自己的开发和完善自己的技术。相比之下，英特尔将使用其 Twinscan EXE:5000 来学习如何使用高数值孔径 EUV 光刻技术来批量生产芯片。英特尔将通过其英特尔18A（1.8纳米级）工艺技术将该工具用于研发目的，并计划部署下一代Twinscan EXE：5200扫描仪在其14A（1.4纳米级）生产节点上制造芯片。ASML 的 Twinscan EXE:5200 配备 0.55 NA 镜头，设计用于打印 8 纳米分辨率的芯片，这比当前 EUV 工具的 13 纳米分辨率有了显着改进。与低数值孔径工具相比，该技术可通过单次曝光打印尺寸小 1.7 倍的晶体管，并实现高 2.9 倍的晶体管密度 。尽管低数值孔径系统可以匹配此分辨率，但它们必须使用昂贵的双图案技术。实现 8 纳米对于制造 3 纳米以下工艺芯片至关重要，这些芯片预计将于 2025 年至 2026 年问世。高数值孔径 EUV 技术的引入将消除对 EUV 双图案化的需求，从而简化生产流程，潜在地提高产量并降低成本。然而，每个高数值孔径工具的成本高达 4 亿美元，并带来了众多挑战，这使得向领先工艺技术的过渡变得复杂（将在本世纪下半叶发生）。 ... PC版： 手机版：

阿斯麦向客户交付第二台 High NA EUV 光刻机，买家身份成谜

阿斯麦向客户交付第二台 High NA EUV 光刻机，买家身份成谜 然而，ASML 对买家身份讳莫如深，只能猜测其身份，路透社指出英特尔、台积电和三星都是潜在客户。事实上，英特尔已经购买了首台高数值孔径 EUV 光刻机，用于其即将推出的 14A 制程节点。正如 ASML 在提交给美国证券交易委员会的文件（第 13 页）中提到的，英特尔在 2024 年初于其位于俄勒冈州希尔斯伯勒的工厂接收了首台 TWINSCAN EXE:5200 系统。台积电和三星也已经确认有意采用 ASML 的高数值孔径 EUV 光刻机。

ASML首台高数值孔径EUV光刻机已创下新的芯片制造密度记录

ASML首台高数值孔径EUV光刻机已创下新的芯片制造密度记录 他概述了一项计划，通过大幅提高未来 ASML 工具的速度到每小时 400 到 500 个晶圆 (wph)，这是目前 200 wph 峰值的两倍多，从而降低 EUV 芯片制造成本。他还为 ASML 未来的 EUV 工具系列提出了一种模块化统一设计。Van der Brink 表示，经过进一步调整，ASML 现已使用其开创性的高数值孔径 EUV 机器打印出 8nm 密集线条，这是专为生产环境设计的机器的密度记录。这打破了该公司在 4 月初创下的记录，当时该公司宣布已使用位于荷兰费尔德霍芬 ASML 总部与 imec 联合实验室的开创性高 NA 机器打印出 10nm 密集线条。从长远来看，ASML 的标准低 NA EUV 机器可以打印 13.5nm 的临界尺寸（CD可以打印的最小特征），而新的High NA EXE:5200 EUV 工具旨在通过打印 8nm 特征来制造更小的晶体管。因此，ASML 现在已经证明其机器可以满足其基本规格。“今天，我们已经取得了进展，能够显示创纪录的 8nm 成像，在整个视野范围内得到校正，但也有一定程度的重叠，”Van der Brink 说道，“顺便说一句，这不是完美的数据，但它只是为了向你展示进展。今天，我们有信心，凭借High NA 技术，我们将能够在未来的时间里跨越到终点线。”这一里程碑代表了 10 多年的研发和数十亿欧元投资的成果，但仍有更多工作要做，以优化系统并为主要芯片制造商的大规模生产做好准备。这项工作已经在荷兰开始，而英特尔是已知唯一一家已经完全组装High NA 系统的芯片制造商，它正紧随 ASML 的脚步，在俄勒冈州的 D1X 工厂投入运营自己的机器。英特尔将首先将其 EXE:5200 High NA 机器用于研发目的，然后将其投入生产 14A 节点。Van der Brink 还再次提出了一种新的超数值孔径 EUV 机器，但尚未对该机器做出最终决定ASML 似乎正在衡量行业兴趣，但只有时间才能证明它是否会实现。当今的标准 EUV 机器使用波长为 13.5nm 且数值孔径 (NA收集和聚焦光的能力的量度) 为 0.33 的光。相比之下，新的高数值孔径机器使用相同的光波长，但采用 0.55 NA 来打印更小的特征。Van der Brink 提出的超数值孔径系统将再次使用相同波长的光，但将 NA 扩大到 0.75，以能够打印更小的特征。我们不确定提议的临界尺寸，但上面的 ASML 晶体管时间线显示它正在 16nm 金属间距（A3 节点）处拦截并延伸到 10nm（A2 以下节点）。根据上述路线图，Hyper-NA 可能适用于单次曝光 2DFET 晶体管，但目前尚不清楚使用 High-NA 和多重曝光是否也能产生如此精细的间距。如您在上面的第一张幻灯片中看到的，这台机器要到 2033 年左右才会问世。今天的 High-NA 机器已经花费了大约 4 亿美元。由于需要更大、更先进的镜子和改进的照明系统，Hyper-NA 将是一个更昂贵的选择。与其前代产品一样，Hyper-NA 的目标是通过单次曝光打印更小的特征，以避免多重曝光技术（同一区域的多次曝光），这些技术往往会增加芯片制造过程的时间和步骤，同时也会增加出现缺陷的可能性，所有这些都会增加成本。Van Der Brink 表示，继续开发光刻机和先进掩模将是提高印刷特征分辨率的关键。Hyper-NA 还将使用改进的照明系统以获得最佳效果。ASML 没有详细说明，但可以合理地认为，改进后的照明器将与更高功率的光源配对，以帮助增加剂量，以抵消 0.75 NA 使用的更高镜面角度并提高产量。Van der Brink 还提议将公司未来机器的产量从目前的约 200 wph 提高到未来的 400 到 500 wph。这是 ASML 可以控制成本的另一个杠杆，从而对抗每一代新芯片中每个晶体管价格上涨的趋势。为了加快开发速度并降低成本，ASML 已经使用其现有的Low NA Twinscan NXE:3600 EUV 机器作为其新High NA 机器的构建模块。ASML 的Low NA 型号采用模块化设计，使该公司能够利用成熟的技术和模块为其新工具服务，并且该公司只在需要时添加新模块。但是，还有更多优化空间。Van der Brink 认为，在未来十年内，该公司在创建新工具时将加倍采用模块化设计理念。拟议的长期路线图显示，Low NA、High NA 和Hyper NA 都具有越来越通用的模块化平台和共享组件。这种设计是 ASML 可以控制成本的另一个杠杆。芯片行业似乎拥有通过使用Low NA 和High NA 工具构建的全栅极 (GAA) 和互补场效应晶体管 (CFET) 的坚实未来发展跑道，但除了超 NA 之外，还没有真正的候选者站出来可能实现未来几代工艺节点技术。与往常一样，成本是关键因素，但 ASML 显然已经在考虑如何让 Hyper-NA 定价方程对其客户更具吸引力。台积电改变心意？台积电先前一再表示，阿斯麦（ ASML）的高数值孔径极紫外光机台（High-NA EUV），太过昂贵，2026年前使用没有太大的经济效益，但日前台积电总裁魏哲家密访ASML总部，让外界不禁猜测，台积电是否改变心意。综合科技媒体wccftech和韩媒BusinessKorea报导，消息人士指出，魏哲家缺席23日登场的台积电2024年技术论坛台湾场，于26日造访了ASML荷兰总部，以及工业雷射公司创浦（TRUMPF）的德国总部。金融分析师奈斯泰德（Dan Nystedt） 28日在X平台发文写道，台积电似乎加入了追逐下一世代EUV设备之战，即High-NA EUV机台，理由是魏哲家访问ASML与雷射供应商创浦，而非参与在台湾举行的技术论坛。业界推断，魏哲家的到访，显示台积电想买High-NA EUV，此种设备对2纳米以下制程极为关键。ASML去年底已出货首台High-NA EUV给英特尔。分析指出，台积电管理层似乎决定拜访ASML，确保全球半导体的主导地位。台积电原本打算2026年下半量产1.6纳米制程后，再导入High-NA EUV。High-NA EUV 设备报价高达3.8亿美元，约新台币123亿元，较EUV高出逾一倍。台积电的竞争对手英特尔和三星电子，都已有所行动。英特尔想借着High-NA EUV，达到难以超越的领先优势。最先出货的几台High-NA EUV，都送往英特尔的晶圆代工部门。英特尔想先在1.8纳米试用此种设备，之后正式导入于1.4纳米制程。三星集团会长李在镕则已在4月亲访ASML关键伙伴蔡司的德国总部，拜会ASML执行长傅凯与蔡司执行长兰普雷希特，以强化三方的半导体联盟。 ... PC版： 手机版：