电子科技大学开发出耐疲劳铁电材料 实现存储芯片无限次擦写

电子科技大学开发出耐疲劳铁电材料 实现存储芯片无限次擦写 铁电材料在经历反复极化切换后，极化只能实现部分翻转，导致铁电材料失效，即铁电疲劳。这一问题早在1953年就已被研究者发现报道，但至今铁电材料的疲劳问题仍未得到有效的解决。针对这一问题，刘富才教授研究团队发现新型的滑移铁电体具有天然的耐疲劳特性。这是因为滑移铁电机制与传统铁电材料的离子位移机制有明显的不同。之前有关TLC、QLC的争议不断，前者成本低，容量大，但速度慢，寿命短（企业级TLC普遍在7000~10000PE），而后者的寿命则更差，不过之前长江存储宣布，旗下QLC闪存擦写4000次，而如果上述新材料被运用到这些领域，可能会带来行业新的变革。据悉，不少欧美大厂已经注意到上述新技术，并且保持密切关注。 ... PC版： 手机版：

iPhone 14 系列手机使用长江存储的存储芯片可能是个乌龙？

iPhone 14 系列手机使用长江存储的存储芯片可能是个乌龙？ 先前报道引用的凭据是威锋科技波哥早期的拆解评测视频。 而波哥近日表示“iPhone 14 Pro Max与SE3上使用的长江存储的硬盘体积相同。我们一开始也以为这也是长江存储的，但其实它是东芝。” 苹果设备关键芯片上的丝印只有一行字母数字组合，再加上一个内部识别所用的二维码，连生产厂商标记都没有。 在没有相关厂商内部文档，仅凭封装方式判断很容易翻车。

中国科学家实现二维金属碲化物材料的批量制备

中国科学家实现二维金属碲化物材料的批量制备 二维过渡金属碲化物材料是一类新兴的二维材料，由碲原子（Te）和过渡金属原子（如钼、钨、铌等）组成，其微观结构类似于“三明治”，过渡金属原子被上下两层的碲原子“夹”住，形成层状二维材料。因具有奇特的超导、磁性、催化活性等物理和化学性质，二维过渡金属碲化物材料在量子通讯、催化、储能、光学等领域展现出重要应用潜力，受到了国际学术界的广泛关注。科学家实现二维金属碲化物材料的批量制备（中国科学院大连化学物理研究所供图）“比如，二维过渡金属碲化物具有高导电性和大比表面积，可作为高性能超级电容器和电池的电极材料；同时二维过渡金属碲化物纳米片表面具有丰富可调的活性位点，可用作制备绿氢和双氧水的电催化剂，提高催化剂的选择性、效率和性能；此外，该材料还展现出特有的量子现象，如超导和巨磁电阻等，可作为下一代低功耗器件和高密度磁性存储器件的材料。”论文共同通讯作者、中国科学院大连化物所研究员吴忠帅解释。然而，目前该材料还无法实现高质量的批量制备，阻碍了其实际应用。二维过渡金属碲化物材料一般采用“自上而下”的制备方法，如同拆解积木，通过机械力或化学作用方式将其一层一层剥离下来，从而制备出单层的二维纳米片。常用的“自上而下”方法有化学插层剥离法、球磨法、胶带剥离法、液相超声法等，其中化学插层剥离法的剥离效率虽然最高，但剥离仍需要数小时。批量化可控制备二维过渡金属碲化物纳米片（中国科学院大连化学物理研究所供图）科学家们大多采用有机锂试剂作为插层剂，即将含有锂离子的插层剂插入块体层状结构材料的片层中，并利用锂和水的反应使插层剂“膨胀”，在每一层间形成一个“气压柱”，将叠在一起的纳米片层层“撑开”，就如同使用了一把“化学刮刀”一层一层地将纳米片“刮”下来，这种层间的气体膨胀作用力远大于机械剥离力，可以提高剥离效率。“但是，有机锂是一种易燃易爆的液体试剂，具有很大的安全隐患。因此，实现安全、高效的化学剥离成为科学家努力的目标。”吴忠帅说。此次，科研人员创新性地采用固相化学插层剥离方法，筛选出了一种固相插层试剂硼氢化锂。硼氢化锂具有强还原性质，在干燥空气中稳定，可用于高温固相插锂反应，解决了插层反应速度慢的问题，从而实现了安全、高效、快速的插层剥离。整个插层剥离过程只需10分钟，可批量制备出百克级（108克）碲化铌纳米片，与液相化学插层剥离法制备量均小于1克相比，此方法的产量提升了两个数量级。值得关注的是，科研人员还利用此方法制备出了五种不同过渡金属的二维过渡金属碲化物纳米片和十二种合金化合物纳米片，证明这种方法具有普适性。“该方法简单、快速、高效，对二维材料的宏量制备具有普适意义。”《自然》审稿人对该方法给予了高度评价。吴忠帅表示，利用该方法制备出的二维过渡金属碲化物纳米片的溶液和粉体具有良好的加工性能，可以作为各种功能性浆料，实现薄膜、丝网印刷器件、3D打印器件、光刻器件的高效和定制化加工等，有望在高性能量子器件、柔性电子、微型超级电容器、电池、催化、电磁屏蔽、复合材料等方向发挥重要作用。 ... PC版： 手机版：

三星宣布存储芯片将继续减产，将重点转向高端人工智能芯片

三星宣布存储芯片将继续减产，将重点转向高端人工智能芯片 三星电子在今年第二季度，存储芯片部门运营亏损 34 亿美元后，继续削减其存储芯片生产，包括用于智能手机和 PC 的 NAND 闪存。在过去六个月中，这家全球最大的存储芯片制造商的半导体业务出现了约 70 亿美元的营业亏损。 在今天的财报电话会议上，三星内存部门执行副总裁Jaejune Kim 表示，三星将继续削减内存芯片的产量，并针对特定产品进行调整，但将把包括 HBM 在内的高性能内存芯片的产能提高一倍，因为对这些先进内存芯片的需求预计将持续增长。

苹果搁置在其产品中使用长江存储芯片的计划

苹果搁置在其产品中使用长江存储芯片的计划 多个消息来源告诉日经亚洲，苹果已经搁置了在其产品中使用中国长江存储技术有限公司（YMTC）的存储芯片的计划。 此举是在美国对中国科技行业实施最新一轮出口管制的情况下发生的，这表明美国政府的打压正在对供应链产生寒蝉效应。

自Android 15起 系统将支持显示存储芯片的剩余寿命并进行智能维护

自Android 15起 系统将支持显示存储芯片的剩余寿命并进行智能维护 不过大家似乎没有关心过手机存储芯片的寿命，一般来说智能手机的使用年限不会持续太多年，这种情况下存储芯片的寿命似乎不需要关心。但如果智能手机提供长达七年的更新支持，那可能就需要关心存储芯片的容量缩减问题，在谷歌承诺为 Pixel 设备提供七年支持后，谷歌也开始提交代码用来检测存储芯片寿命。据 Android Authority 发布的消息，谷歌工程师已经向 AOSP 提交代码用来构建一个新的 API，这个 API 主要功能就是检测并返回存储芯片的容量，例如 API 返回 90，则代表存储芯片的剩余使用寿命只有 90%，也就是说有一部分存储空间已经无法继续使用。有趣的是这部分代码虽然还没有合并到 AOSP，但在 Android 15 Beta 1 中已经启用了，所以谷歌的想法估计是其他 OEM 可能也需要使用这个功能。API 负责将存储芯片寿命信息传递给应用程序，应用程序则可以根据 API 显示存储芯片的寿命，例如呈现给用户，亦或者针对存储空间进行优化和维护。谷歌的目的是为了空闲维护，即 Android 系统自动修剪文件系统中没有使用的存储块，如果过度修剪未使用的存储块实际上会缩短存储芯片的寿命，这也是为什么应该先检查芯片寿命之后再进行修剪的原因，这样就可以在空闲的时候进行智能维护，尽可能优化和延长存储芯片的寿命。此功能预计会通过 Android 15 向 Google Pixel 8 及之后的设备提供，其他品牌的安卓智能手机就只能等待 OEM 进行适配了，如果他们愿意的话。 ... PC版： 手机版：