Kioxia 采用最新 BiCS FLASH 技术推出 2 Tb QLC 闪存

Kioxia 采用最新 BiCS FLASH 技术推出 2 Tb QLC 闪存 凭借最新的 BiCS FLASH 技术,Kioxia 通过专有工艺和创新架构实现了存储器芯片的纵向和横向扩展。此外,该公司还采用了 CBA(CMOS 直接绑定到阵列)技术,实现了更高密度的器件和业界领先的 3.6 Gbps 接口速度。这些先进技术共同应用于 2 Tb QLC 的制造,使其成为业界容量最大的存储器件。与 Kioxia 目前的第五代 QLC 器件相比,2 Tb QLC 的位密度高出约 2.3 倍,写入能效高出约 70%,是 Kioxia 产品中容量最高的器件。最新的 QLC 器件在单个存储器封装中采用 16 片堆叠架构,实现了业界领先的 4 TB 容量。它的封装尺寸更小,为 11.5 x 13.5 毫米,封装高度为 1.5 毫米。除了 2 Tb QLC,Kioxia 还在其产品组合中增加了 1 Tb QLC 存储器。与容量优化的 2 Tb QLC 相比,性能优化的 1 Tb QLC 的连续写入性能提高了约 30%,读取延迟提高了约 15%。1 Tb QLC 将部署在高性能应用中,包括客户端固态硬盘和移动设备。Kioxia 将继续开发业界领先的内存产品,以满足日益增长的数据存储解决方案需求。 ... PC版: 手机版:

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