SK 海力士韩国股价最近一年已经翻倍，华尔街投行不少于 19 位分析师已经在最近一个月上修对这家英伟达供应商的预期。

SK 海力士韩国股价最近一年已经翻倍，华尔街投行不少于 19 位分析师已经在最近一个月上修对这家英伟达供应商的预期。 现在，高盛和花旗也预计 SK 海力士股价将以进一步走高。 高盛上调股价目标至 290,000 韩元（折合 210 美元），意味着有望较 7 月 5 日收盘价涨 25%。 花旗上调目标价至 350,000 韩元，意味着存在涨约 50% 的空间。 首尔 Infinity Global Asset Management Co. 首席投资官 Roh Jongwon 认为，当前估值并没有考虑到高带宽存储器（HBM）的市场潜力，而是将其与传统存储芯片等同视之，但实际上，HBM 的盈利空间大约是传统存储芯片的两倍。

SK海力士2025年HBM产品基本售罄

SK海力士2025年HBM产品基本售罄 SK 海力士公司计划在今年第三季度开始量产其下一代内存芯片，以期利用对人工智能发展至关重要的半导体需求激增的机会。这家韩国公司在一份声明中表示，其 2025 年高带宽存储器 (HBM) 产能几乎已被全部预订。海力士上个月表示，计划斥资约 146 亿美元在韩国构建新的存储芯片产能。

加码10亿美元豪赌HBM SK海力士的狂飙

加码10亿美元豪赌HBM SK海力士的狂飙 该工艺的创新是 HBM 作为最受欢迎的 AI 内存的优势的核心，进一步的进步将是降低功耗、提高性能和巩固公司在 HBM 市场领先地位的关键。Lee 专注于组合和连接半导体的先进方法，随着现代人工智能的出现及其通过并行处理链消化大量数据，这种方法变得越来越重要。虽然 SK 海力士尚未披露今年的资本支出预算，但分析师平均估计该数字为 14 万亿韩元（105 亿美元）。这表明先进封装（可能占其中的十分之一）是一个主要优先事项。Lee 在接受采访时表示，“半导体行业的前 50 年一直是前端”，即芯片本身的设计和制造。“但接下来的 50 年将是后端（即封装）的全部。”在这场竞赛中率先实现下一个里程碑的公司现在可以使公司跻身行业领先地位。SK 海力士被 NVIDIA 公司选中为其制定标准的人工智能加速器提供 HBM，从而将这家韩国公司的价值推高至 119 万亿韩元。周四，该公司股价在首尔上涨约 1%，自 2023 年初以来已上涨近 120%。该公司目前是韩国第二大市值公司，表现优于三星和美国竞争对手美光科技公司。现年 55 岁的 Lee 帮助开创了一种封装第三代技术 HBM2E 的新颖方法，该方法很快被其他两家主要制造商效仿。这项创新对于 SK 海力士在 2019 年底赢得 NVIDIA 客户至关重要。Lee 长期以来一直热衷于通过堆叠芯片来获得更高的性能。2000 年，他在日本东北大学获得了微系统 3D 集成技术博士学位，师从 Mitsumasa Koyanagi，他发明了用于手机的堆叠式电容器 DRAM。2002 年，Lee 加入三星内存部门担任首席工程师，领导基于硅通孔 (TSV) 的 3D 封装技术的开发。这项工作后来成为开发 HBM 的基础。HBM 是一种高性能存储器，它将芯片堆叠在一起，并将它们与 TSV 连接起来，以实现更快、更节能的数据处理。但早在智能手机时代之前，三星就在其他地方下了更大的赌注。全球芯片制造商通常将组装、测试和封装芯片的任务外包给亚洲小国家。因此，当 SK 海力士和美国合作伙伴 Advanced Micro Devices Inc. 在 2013 年向世界推出 HBM 时，他们在两年内没有受到任何挑战，直到 2015 年底三星开发出 HBM2。三年后，Lee 加入了 SK 海力士。他们带着一丝自豪地开玩笑说，HBM 代表“海力士的最佳内存”。里昂证券韩国分析师桑吉夫·拉纳 (Sanjeev Rana) 表示：“SK 海力士管理层对这个行业的发展方向有更深入的了解，并且做好了充分准备。” “当机会来临时，他们用双手抓住了它。” 至于三星，“他们被发现在打瞌睡。”ChatGPT 于 2022 年 11 月发布，这是 Lee 一直在等待的时刻。当时，他的团队在他在日本的联系人的帮助下开发了一种新的封装方法，称为大规模回流成型底部填充（MR-MUF）。该工艺涉及在硅层之间注入液体材料，然后进行硬化，从而提高了散热性和产量。据一位知情人士透露，SK 海力士与日本 Namics Corp. 就该材料和相关专利进行了合作。Lee 表示，SK 海力士正在将大部分新投资投入到推进 MR-MUF 和 TSV 技术中。三星多年来一直被高层的继任传奇困扰，现在正在反击。NVIDIA 去年认可了三星的 HBM 芯片，这家总部位于水原的公司表示。2月26日，其开发出第五代技术HBM3E，拥有12层DRAM芯片，容量为业界最大36GB。同一天，总部位于爱达荷州博伊西的美光公司表示，它已开始批量生产 24GB、八层 HBM3E，这让业界观察人士感到惊讶，该产品将成为英伟达第二季度出货的 H200 Tensor Core 单元的一部分。Lee 致力于扩大和增强国内技术，并计划在美国建设耗资数十亿美元的先进封装设施，因此面对日益激烈的竞争，Lee 仍然看好 SK 海力士的前景。他认为目前的投资为满足未来几代 HBM 的更多需求奠定了基础。SK海力士的狂飙人工智能的繁荣在韩国股市造成了巨大的分歧：存储芯片制造商 SK 海力士今年股价飙升超过 16%，而更大的竞争对手三星电子则表现疲软。SK 海力士是高带宽内存（HBM）芯片的领先生产商，这些芯片与 NVIDIA 的图形处理器结合使用，以实现强大的人工智能计算。AI芯片和服务器的爆炸性需求使得SK海力士在韩国股市的股价今年以来上涨了16.5%。与此同时，由于芯片巨头三星电子在人工智能领域奋力追赶，其股价同期下跌了 8%。Hi Investment & Securities 在上周的一份报告中表示，SK 海力士“由于其在 HBM 领域的主导竞争力，致力于发展人工智能行业，因此享有高估值”。“由于该公司今年很有可能保持 HBM 的竞争力，我们相信该股将维持相对乐观的趋势。”三星是基准 KOSPI 指数中市值最高的公司，其次是 SK 海力士。两者之间出现不同寻常的差异之际，全球半导体公司都在寻求利用 OpenAI 推出 ChatGPT 引发的人工智能热潮。过去六个月，英伟达的市值几乎翻了一番，因为这家美国公司的图形处理单元（GPU）对于人工智能计算至关重要。总部位于台北的市场分析公司Trendforce表示，SK海力士作为HBM技术的领导者，是NVIDIA的主要供应商。Trendforce 在 1 月份的一份报告中表示：“SK 海力士的 HBM3 产品领先于其他制造商，并且是 NVIDIA 服务器 GPU 的主要供应商。而三星则专注于满足其他云服务提供商的订单。”SK海力士于2014年与AMD联合开发了全球首款用于游戏芯片的HBM产品。两家公司还联手开发高带宽、三维堆叠内存技术及相关产品。8月，SK海力士开发出HBM3E，这是目前适用于AI应用的最高规格DRAM。该芯片每秒处理高达 1.15 TB 的数据，相当于 230 多部全高清电影，每部 5 GB 大小。SK 海力士首席执行官 Kwak Noh-jung 一月份在 CES 上表示：“我们正在向市场和行业提供具有超高性能的多样化产品，例如 HBM3 和 HBM3E，这是世界上最好、最受追捧的产品。”野村证券对需求前景持乐观态度。该公司在上周的一份报告中表示：“在人工智能服务器繁荣时期，对 HBM 的需求极其强劲，因为人工智能公司的技术进步以及企业和消费市场的商业利用都好于预期。”券商进一步上调SK海力士股票的目标价，预计该公司将保持其在该行业的领先地位。Hi Investment & Securities 上周将目标价从 11 月份的 125,000 韩元上调至每股 169,000 韩元。与此同时，三星正在开发自己的 HBM 芯片以迎头赶上。该公司上周宣布开发出HBM3E 12H，这是业界首款12堆栈HBM3E DRAM，也是迄今为止容量最高的HBM产品。三星表示，将于今年上半年开始量产该芯片。不过，投资者对这一消息并不感到惊讶。该公司股价当天仅上涨0.1%。自1月份下跌7.4%以来，其股价自2月份以来一直徘徊在73,000韩元左右。 ... PC版： 手机版：

SK海力士宣布下一代HBM计划

SK海力士宣布下一代HBM计划 在最近一次负责HBM芯片的新任高管圆桌讨论中，SK海力士副总裁与营销负责人金基泰表示：“纵观当前的市场形势，大型科技客户正在加快新产品的发布时间，以确保在AI领域领先。因此，我们也在提前讨论今年和明年的计划，以确保及时供应下一代HBM产品。” SK海力士是三星电子全球第二大存储器芯片制造商，但却是HBM的主要供应商，HBM是一种对生成式AI设备至关重要的高性能堆栈式DRAM芯片。该公司是首家于2013年开发第一代HBM芯片的内存供应商，并在随后几年推出了后续产品HBM2、HBM2E 以及最新的第四代 HBM3 芯片。2023年 4 月，SK 开发出全球首款12层HBM3 DRAM 产品， 内存容量为 24 千兆字节 (GB)，为业内最大。2023年 8 月，该公司推出了业界性能最佳的第五代 HBM DRAM HBM3E，用于 AI 应用， 并向其客户 NVIDIA Corp. 提供了样品以进行性能评估。今年 3 月，SK 海力士开始大批量生产 HBM3E 芯片，这是业界推出的另一个公司，同时表示将把第六代 HBM4 芯片的量产提前到 2025 年。大容量 NAND 受到业界关注SK 海力士副总裁兼 HBM 工艺集成（PI）负责人 Kwon Un-oh 表示：“通过先发制人地确保技术和量产专业知识，我们已经能够建立起稳固的竞争力。”先进封装开发部副总裁兼负责人Son Ho-young敦促公司为更好的存储器和系统芯片的融合。SK海力士表示，受AI学习和推理高端芯片需求不断增长的推动，预计今年全球DRAM市场规模将达到65%，达到117万亿韩元（850亿美元）。本月初，首席执行官Kwak Noh-jung在新闻发布会上表示，其HBM芯片产能几乎已被预订满到明年。SK海力士NAND先进工艺集成副总裁Oh Hae-soon表示，NAND闪存是AI时代的另一个前景光明的部分她表示：“随着对大规模AI服务器的需求不断增长，eSSD等NAND解决方案开始受到业界关注。”新兴存储芯片SK海力士革命技术中心 (RTC)副总裁Yi Jae-yun表示，公司还在密切关注新兴存储芯片，如仅选择器存储器 (SOM)、自旋存储器和突触存储器，这些芯片具有超高速、高容量和较低的价格，以及磁性 RAM (MRAM)、电阻式 RAM (RRAM) 和相变存储器 (PCM) 芯片。分析师表示，在存储芯片制造商中，SK海力士是AI应用爆炸式增长的最大受益者，因为它是NVIDIA Corp.的最大AI芯片供应商，而NVIDIA控制着80%的AI芯片市场。SK集团董事长崔泰源最近在接受日本媒体日经新闻采访时表示，如果SK海力士看到AI芯片融资需求，该公司正在考虑在韩国或美国建立HBM工厂的可能性。 ... PC版： 手机版：

HBM需求暴增 占据90%市场份额的SK海力士市值突破千亿美元

HBM需求暴增 占据90%市场份额的SK海力士市值突破千亿美元 尽管其竞争对手三星电子的市值仍超过3600亿美元，但它在为人工智能开发存储芯片方面落后于SK海力士。三星股价在过去一年上涨了31%。             ... PC版： 手机版：

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度 22日讯，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。