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AMD Zen 5 CPU将于第二季度采用台积电3nm工艺制造 并于第三季度量产 另一方面,"Zen 5c"CCD,或高密度配置纯"Zen 5c"内核的芯片组,将在更先进的 3 纳米 EUV 代工节点上制造。这两种 CCD 都将在 2024 年第二季度投入量产,预计下半年推出产品。"Zen 5c"芯片组拥有庞大的 32 个内核,分布在两个各有 16 个内核的 CCX 中。每个 CCX 有 16 个内核,共享 32 MB 三级缓存。这 32 个内核每个都有 1 MB 的二级缓存,总共 64 MB 的三级缓存,这就是 AMD 转向 3 纳米代工节点的原因。另一个原因可能是电压,"Zen 5c"内核可以被看成"Zen 5"的高度紧凑型变体,它的工作电压带低于其较大的兄弟型号,但 IPC 或指令集没有任何变化。采用 3 纳米制程的决定可能是为了在较低的电压下提高时钟速度,以便在 IPC 和内核数量之外,利用时钟速度提高性能。采用"Zen 5c"芯片组的EPYC处理器将采用不超过 6 个这样的大型 CCD,最大核心数为 192 个。普通的"Zen 5"CCD 在单个 CCX 中仅有 8 个内核,内核之间共享 32 MB L3 高速缓存;TSV 提供 3D 垂直高速缓存,以便在特殊型号中增加 L3 高速缓存。在AMD Zen 5架构平台中,最关键的核心运算芯片是由台积电以3纳米制程制造。此外,HPC 平台 MI300 系列也已投入量产,采用台积电的 4 纳米和 5 纳米工艺。订单势头有增无减,台积电今年从 AMD获得的先进制程订单势头非常强劲。业内分析认为,3 纳米工艺的量产需要相对较长的时间。据估计,AMD 新的 3nm 工艺 Zen 5 架构平台将在第二季度左右进入晶圆量产阶段。届时,产能有望逐月提升。目前,关于 AMD Zen 5 内核架构的信息还不是很多,但从该公司的官方声明来看,它将提供更多的功能:提高性能和效率 前端重新管道化和宽幅问题 集成人工智能和机器学习优化... PC版: 手机版:

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