三星否认HBM芯片存在发热/功耗高问题 已严格测试

三星否认HBM芯片存在发热/功耗高问题 已严格测试 HBM技术通过垂直堆叠多个DRAM芯片来显著提高数据处理速度，随着人工智能（AI）市场的快速增长变得越来越重要。HBM需求激增，三星电子和SK海力士陷入激烈的市场主导地位争夺战。尽管三星在存储半导体行业历来处于领先地位，但其在HBM领域处于下风，这种情况促使该公司内部发生重大战略转变。为了应对这些竞争压力，三星最近更换了负责监管半导体业务的设备解决方案（DS）部门的负责人。此次领导层变动凸显了三星重新在HBM市场站稳脚跟的承诺。今年4月，三星开始量产其第五代HBM产品8层HBM3E，并计划在今年第二季度开始量产业界首款12层HBM3E产品。三星电子重申了其对质量和可靠性的承诺。该公司表示：“我们正在努力提高所有产品的质量和可靠性。我们正在严格测试HBM产品的质量和性能，以便为客户提供最佳的解决方案。”尽管有这些保证，一些市场分析师仍然对三星在短期内缩小与其竞争对手差距的能力持怀疑态度。相关文章:路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试被曝未通过英伟达HBM芯片测试 三星回应：正与客户密切合作优化产品 ... PC版： 手机版：

三星股价大涨 有报道称其 HBM 芯片通过了英伟达的测试

三星股价大涨 有报道称其 HBM 芯片通过了英伟达的测试 三星电子股价一度上涨 3.6%，至 4 月 12 日以来最高。此前当地媒体报道称该公司的 HBM3e 芯片获得了英伟达的产品准备批准。SK 海力士股价一度下跌 4.7%，创下 6 月 24 日以来最大跌幅。（环球市场播报）

三星电子股价涨幅收窄 公司否认有关产品获英伟达批准的报道

三星电子股价涨幅收窄 公司否认有关产品获英伟达批准的报道 三星星电子涨幅收窄，SK 海力士收复大部分跌幅，三星否认了其 HBM3e 芯片通过了英伟达测试的报道。三星股价上涨 1.1%，稍早一度上涨 3.6%；SK 海力士股价下跌 0.2%，稍早一度下跌 4.7%。（环球市场播报）

三星电子就 HBM 芯片测试问题表态

三星电子就 HBM 芯片测试问题表态 三星电子24日表示，正与全球多家合作伙伴顺利进行高带宽内存（HBM）产品的供应测试。公司方面表示，将继续致力于提升所有产品的质量和可靠性，为客户提供最佳解决方案。外国媒体早前引述知情人士消息报道称，三星电子的 HBM 芯片因发热和功耗问题尚未通过美国半导体巨头英伟达的测试。