半导体 ETF (159813) 涨超 4%，全球半导体在持续回暖，费城半导体指数六连涨

半导体 ETF (159813) 涨超 4%，全球半导体在持续回暖，费城半导体指数六连涨 A 股快速拉升，半导体等板块领涨，截至 14:05，半导体 ETF 成分股长电科技、闻泰科技涨停，通富微电、瑞芯微涨超 8%，半导体 ETF (159813) 涨 4.12%。消息面上，隔夜美股市场费城半导体指数收涨 1.93%，为连续第六日上涨，创 6 月 20 日以来新高，6 个交易日累涨 6.3%。从行业基本面看，全球半导体在持续回暖。2024 年 5 月全球半导体销售额为 491.5 亿美元，同比增长 19.3%，环比增长 4.1%，连续 7 个月同比增长；其中中国半导体销售额为 149.1 亿美元，同比增长 24.2%，环比增长 5.0%。平安证券研报指出，当前半导体制造出现改善迹象，国产替代如火如荼，半导体设备企业订单充裕，行业景气向上趋势得以维持；此外，各大厂在 AI 终端方面持续投入，具备 AI 性能的芯片不断推陈出新，有望驱动新一轮换机需求。半导体 ETF (159813)，联接基金 (A 类：012969，C 类：012970)

中信证券：2024 年国内半导体设备市场继续引领全球，关注新品拓展和先进产能增量

中信证券：2024 年国内半导体设备市场继续引领全球，关注新品拓展和先进产能增量 中信证券研报指出，SEMI 预计 2024 年全球半导体设备市场规模将同比 + 3.4%，达到 1090 亿美元，其中中国占比 32%；受益于中国大陆扩产及 AI 的持续高增需求，SEMI 预计 2025 年全球半导体设备市场将实现 17% 增长至 1280 亿美元。我们认为，2024/25 年全球半导体设备市场规模持续提升，其中中国大陆市场领先全球，国内半导体制造产能尚存在较大缺口，设备国产化率还有较大的提升空间。受益于下游需求提升及国产化率的快速增长，建议持续关注国内设备、零部件和材料企业在 “卡脖子” 领域的新品布局和先进产能带来的订单增量，我们预计未来 2~3 年国内设备公司的订单将快速提升。

日韩半导体产业再次走向合作

日韩半导体产业再次走向合作 “日韩关系改善，经营者和技术人员的往来增加，营业收入也有所增加”，一家日资设备制造商的韩国现地企业高管带着如释重负的神情表示。在前劳工问题等导致日韩两国政府关系恶化的背景下，日本于2019年7月开始加强针对日本企业市占份额较高的氟化氢、光刻胶（感光剂）和氟化聚酰亚胺等3种产品的出口管制。根据韩国贸易协会的数据，韩国自日本的氟化氢进口额在同年8月降至零。在采取出口管制措施的背景下，韩国推进了半导体材料的国产化替代。2019年韩国前总统文在寅曾呼吁韩国要摆脱对于日本的依赖。以纯度不高的材料为主，部分半导体制造工序开始使用韩国产品。围绕半导体供应链，还出现了中美对立这一结构变化。各国和地区的政府都在努力构建自主供应链，韩国政府也提出到2030年将材料的国产化比例从2023年的3%提高到20%、设备的国产化比例从15%提高到40%这一“自立目标”。提出了成立专注于支援材料和设备开发的基金和建设工业园区的方针。日本企业则探索了继续与韩国企业开展业务的方法。日本东京应化工业和住友化学推进在韩国生产用于形成半导体电路的感光剂。围绕尖端半导体开发展开竞争的韩国三星电子和SK海力士的意向也对吸引日资企业发挥了作用。随着日本于2023年解除了对于韩国的出口管制的收紧，韩国氟化氢的进口在2024年1～5月达到1191万美元，同比增长48%，维持在5年来的最高水平。不过，由于这5年间韩国也推进了国产化，韩国氟化氢的进口额仅恢复到了2018年平均水平的5成左右。韩国半导体相关人士表示，“这样的契机令人们认识到缺了日本技术就无法制造尖端半导体产品”。2019年正是三星宣布在尖端半导体代工领域与台积电正面对决的时机。由于越来越难以采购到日本生产的高品质材料，结果导致三星在尖端产品的量产技术等方面与台积电的差距扩大。韩国的证券分析师认为，“日韩半导体供应链的紊乱也是主要原因”。在地缘政治风险和半导体制造难度加大的背景下，彼此各具优势的日韩半导体产业将再次走向合作。两国企业考虑到全球半导体市场的激烈竞争，将摸索建立起不受政治左右的合作关系。 ... PC版： 手机版：

招商证券：半导体行业景气边际改善趋势明显 关注三条主线

招商证券：半导体行业景气边际改善趋势明显 关注三条主线 招商证券研报指出，当前半导体行业景气边际改善趋势明显，AI 终端等创新产品渗透率望逐步提升。从确定性、景气度和估值三因素框架下，建议关注三条主线：1）把握 AI 终端等消费电子和智能车等新品带来的产业链机会；2）关注叠加 AI 算力需求爆发的自主可控逻辑持续加强的 GPU、封测、设备、材料等公司；3）把握确定性 + 估值组合，可关注望受益于行业周期性拐点来临的设计公司。

工程师们制造出充电速度比锂离子电池快一亿倍的Cheema电容器

工程师们制造出充电速度比锂离子电池快一亿倍的Cheema电容器 电容器由介电材料制成并在电场中存储能量。与利用化学反应来储存能量的电池相比，它们非常耐用，可以提供高功率水平和快速充电。但电容器的能量密度（在给定面积内可以存储的能量）通常远低于电池。这使得将它们缩小到芯片尺寸变得特别具有挑战性。一个工程师团队通过采用复合材料中出现的一些奇怪的电子特性来解决这个限制。他们制作了氧化铪和氧化锆的复合薄膜，该薄膜表现出自发电极化。一些区域是铁电性的，所有偶极子都指向相同的方向，而另一些区域是反铁电性的，偶极子指向多个方向，因此这些区域无法存储电荷。当对这些材料施加电场时，反铁电区域会转变，变成铁电体，并且薄膜可以存储大量电荷比严格的铁电材料多得多。麻省理工学院的材料科学家Suraj Cheema表示，这种所谓的负电容效应意味着“你可以获得更多的电荷存储”。Cheema 是加州大学伯克利分校电气工程和计算机科学教授Sayeef Salahuddin博士后期间开发新型微电容器设备的团队的一员。但仅靠负电容不足以制造具有高能量密度的微电容器这些层只有 2 纳米厚。该团队必须弄清楚如何使这些薄膜更厚，同时保持其负电容背后的独特晶体结构。他们能够通过分层一些非晶态氧化铝来构建 100 纳米厚的电容器。该中断层从每个覆盖层中“隐藏”介电材料的结构，确保整个材料保持正确的晶体结构。为了在不增加面积的情况下进一步提高这些设备的能量密度，研究人员使用了当今 DRAM 单元电容器中常见的设计。这些 3D 结构是在硅芯片表面挖出的 U 形沟槽。该设计在给定的占地面积内包含了更多的电荷存储材料。沟槽电容器可以通过原子层沉积（ALD）来制造。该技术与半导体制造兼容，但很难扩大规模，为电动汽车等产品制造更大的电容器。Cheema 表示，微型电容器每平方厘米可存储 80 毫焦耳的能量，仅比锂离子电池小一个数量级。但是，虽然微型电池在高端只能充电 1,000 次，但这些微型电容器可以充电数十亿次。Cheema 说，它们的充电速度快了一亿倍。“这是一种智能工程方法，导致能量密度取得重大进步，”未参与这项工作的德雷克塞尔大学材料科学家尤里·戈戈西 (Yury Gogotsi)说道。他后来在电子邮件中补充道，“考虑到每部手机中约有 1,000 个多层陶瓷片式电容器，一辆汽车中约有 3,000 至 8,000 个，这项技术的影响可能非常重大。”就目前的形式而言，该技术可用于增加 DRAM 中的电荷存储。这些设备还可用于使电源更接近计算机芯片上的处理器，从而节省目前在运输过程中损失的能源。如果电容器可以按比例放大，它们可以在机器人和手机等大型设备中得到应用。Cheema 目前正在利用麻省理工学院林肯实验室的设施，将这些单独的微电容器连接起来，制造更大的能量存储设备。能量密度可以用平方厘米来测量，但到目前为止他们只制造了 50 微米 x 1 微米的设备。 ... PC版： 手机版：