阿斯麦 High-NA EUV 光刻机取得重大突破，成功印刷 10 纳米线宽图案

阿斯麦 High-NA EUV 光刻机取得重大突破，成功印刷 10 纳米线宽图案 ASML 公司在声明中表示：“我们位于埃因霍芬的高数值孔径 EUV 系统首次印刷出 10 纳米线宽（dense line）图案。此次成像是在光学系统、传感器和移动平台完成粗调校准后实现的。接下来我们将致力于让系统达到最佳性能表现，并最终在现实生产环境中复制这一成果。”

中国光刻机“”弯道超车”

中国光刻机“”弯道超车” 真正的SSMB-EUV光源方案 加速器周长100~150米，输出EUV功率>1KW 美国的极限制裁极大的加速了中国EUV光刻机的研发速度。 中国目前采取的是一种全新的“技术路线方案” 目前中国有三条光刻机研发路线。 1.国外正统路线，也就是ASML的EUV光刻机路线。HW+上海光机所+宇量升，国家队，走500W LPP光源+复杂镜头组的技术路线。现在进度最快，技术复杂度相对最高，特别是超高功率、超高重复频率二氧化碳激光器技术难度非常高。进度保密 2.改进型路线。广东智能机器研究院(广智院)+华中科技大，他们在尝试一种采用分时高功率光纤激光器射击液态锡靶的方式绕开超高功率、超高重复频率二氧化碳激光器的技术路线。如果他们那个400路光纤激光器能够成功，将是使用二氧化碳激光器的LPP光源功率的数倍。何时成功还是未知。 3.颠覆式全新路线。清华大学主导的1千瓦级SSMB-EUV光源，直接把光刻机光源变成基础设施同步辐射光源。直接把光源变成类似工业园中的电力、蒸汽、纯水等可购买原料。比如：深圳产业光源系统规划了EUV光刻线站和EUV检测线站等合计四条光束线，六个实验站。 第三条。颠覆性技术路线如果全面成功，可以秒杀上面两条路线。光源外置、极大简化的光路直接把EUV光刻机变成体积大，但是成本相对较低的批量产品。且更匹配中国极高的基础设施建设能力！！！