贝恩资本据悉接洽SK海力士，寻求重启铠侠与西部数据合并谈判

贝恩资本据悉接洽SK海力士，寻求重启铠侠与西部数据合并谈判 日本共同社援引知情人士说法称，贝恩资本正与SK海力士洽谈，寻求重启存储芯片制造商西部数据与日本半导体公司铠侠的合并谈判。 SK海力士在去年10月表示，反对铠侠与西部数据的潜在合并，“考虑到这对我们投资资产价值的影响，我们目前并不同意合并，但我们会为包括铠侠以及股东在内的所有利益相关者做出决定”。 2018年，贝恩资本牵头的财团以180亿美元收购东芝半导体部门并将其更名为铠侠，其中SK海力士出资近26.7亿美元。 、、

SK海力士正研究在日本、美国生产HBM的可能性

SK海力士正研究在日本、美国生产HBM的可能性 崔泰源表示，鉴于在韩国境外生产HBM需要额外投资，公司正在“调查在日本和美国等其他国家生产产品的可能性”。在为新的芯片生产基地选址时，崔泰源强调清洁能源采购是满足客户对整个供应链去碳化需求的最重要因素。SK海力士于2013年成为全球首家开发出HBM芯片的公司，目前在该领域保持着领军地位。今年5月早些时候，SK海力士CEO郭鲁正在新闻发布会上表示，到2025年为止，该公司的HBM芯片产能几乎已被预订一空。崔泰源会长表示，作为全球第二大存储器芯片制造商，其目标是加强与日本芯片制造设备制造商和芯片材料供应商的联系，以生产最先进的芯片。为此，该公司将考虑增加在日本的投资，并在日本开设一个新的研发基地。SK海力士还在考虑投资其在邻国的关联公司，其中可能包括日本存储制造商铠侠。SK海力士通过一家投资公司持有铠侠34%的股份。两家公司已经开始技术合作。“作为投资者，我们希望铠侠能够发展壮大。我们将探索进一步合作的新机遇。”崔泰源说。在韩国，SK海力士已拨出总计20万亿韩元（约合146亿美元）的专款，在忠清北道一处原本用于建设NAND闪存工厂的场地上新建一座存储芯片制造厂，以提高HBM的产量。崔泰源补充说，虽然中美紧张局势增加了地缘政治风险，但SK海力士在中国设有半导体工厂，并计划在可预见的未来继续保持在中国的业务。 ... PC版： 手机版：

西部数据与铠侠终止内存业务合并谈判

西部数据与铠侠终止内存业务合并谈判 据悉，西部数据的半导体存储器业务和日本公司铠侠（Kioxia Holdings）的谈判已经终止。 西部数据周四已通知铠侠将退出谈判，此前该合并未能获得铠侠的间接股东SK海力士的批准，也未能与铠侠最大的股东贝恩资本就合并条件达成一致。 两家公司原希望在10月底之前达成协议。西部数据股价一度下跌9.5%。

传西部数据和铠侠将于4月底重启合并谈判

传西部数据和铠侠将于4月底重启合并谈判 自2021年以来，西部数据和铠侠的合并谈判一直断断续续。据报道，SK海力士曾表示，由于对公司投资价值的影响，它不同意铠侠和西部数据的闪存业务合并。西部数据在2022年6月宣布，正在探索战略选择，包括分离其闪存和HDD业务。在此之前，激进投资公司艾略特管理(Elliott Management)在2022年5月披露了其在西部数据的持股，并推动该公司探索分离业务的可能性。 ... PC版： 手机版：

加注AI SK海力士计划将HBM产能增加一倍以上

加注AI SK海力士计划将HBM产能增加一倍以上 消息显示，韩国半导体制造商SK海力士（SK hynix Inc．）将扩大其高带宽内存（High Bandwidth Memory）生产设施投资，以应对高性能AI产品需求的增加。该公司计划，对通过硅通孔（TSV）相关的设施投资将比2023年增加一倍以上，力图将产能翻倍，并计划在2024年上半年开始生产其第五代高带宽内存产品HBM3E。SK海力士财报显示，该公司第四财季实现了1131万亿韩元（约84.6亿美元）的营收和3460亿韩元（约2.59亿美元）的运营利润，这标志着该公司连续五个季度营业亏损后再度转为盈利。SK海力士扭亏为盈主要归因于HBM3（High Bandwidth Memory 3）和DDR5（Double Data Rate 5）的强劲销售。与上一年相比，SK海力士在2023年的DDR5和HBM3销售额分别增加了四倍和五倍以上。为了继续这一上升趋势，SK海力士计划开始大规模生产人工智能芯片HBM3E，并加快第六代HBM4的开发。“我们预计HBM3E产品在2024年将会有巨大的需求，计划在年初开始大规模生产。我们打算根据这一需求将TSV产能翻倍，”公司在一次电话会议中表示。关于是否追加投资，公司还表达了更谨慎的立场，“要等经过对长期需求、市场条件和供应链状况的慎重考虑后再做决定。”SK海力士计划准备生产MCRDIMM和LPCAMM2，前者是一种将多个DRAM集成到一个基板上的高容量服务器模块，后者是一种基于低功耗（LP） DDR5X的高性能移动模块，二者旨在满足AI服务器需求和设备端AI市场。在专注于生产高附加值产品的同时，SK海力士计划将资本支出的增长最小化，强调稳定的业务运营。“与上一年相比，我们将投资削减了一半以上，以应对需求疲软的情况。我们在2024年的策略是保持谨慎的态度，专注于确保增长和盈利的领域，同时避免增加投资导致进入供应过剩的周期。”首席财务官金宇贤表示。SK海力士解释说，自从2023年第三季度以，该公司来一直保持谨慎的生产策略，包括减产，导致销售超过了生产，随后改善了库存水平。“我们将继续保持谨慎的生产策略，直到2024年实现库存正常化，同时预计DRAM的产量将在上半年保持稳定，NAND闪存的产量将在下半年保持稳定，”该公司表示。分析师预计，该芯片制造商2024年的的运营利润将10万亿韩元（约合88.5亿美元）。还有分析师预计该公司2024年运营利润将达到10.6万亿韩元（约合94.2亿美元），分析师认为，主要因为人工智能芯片需求预计将增加。自2023年年初以来，SK海力士股价因其AI能力上涨近50%。 ... PC版： 手机版：

SK海力士宣布下一代HBM计划

SK海力士宣布下一代HBM计划 在最近一次负责HBM芯片的新任高管圆桌讨论中，SK海力士副总裁与营销负责人金基泰表示：“纵观当前的市场形势，大型科技客户正在加快新产品的发布时间，以确保在AI领域领先。因此，我们也在提前讨论今年和明年的计划，以确保及时供应下一代HBM产品。” SK海力士是三星电子全球第二大存储器芯片制造商，但却是HBM的主要供应商，HBM是一种对生成式AI设备至关重要的高性能堆栈式DRAM芯片。该公司是首家于2013年开发第一代HBM芯片的内存供应商，并在随后几年推出了后续产品HBM2、HBM2E 以及最新的第四代 HBM3 芯片。2023年 4 月，SK 开发出全球首款12层HBM3 DRAM 产品， 内存容量为 24 千兆字节 (GB)，为业内最大。2023年 8 月，该公司推出了业界性能最佳的第五代 HBM DRAM HBM3E，用于 AI 应用， 并向其客户 NVIDIA Corp. 提供了样品以进行性能评估。今年 3 月，SK 海力士开始大批量生产 HBM3E 芯片，这是业界推出的另一个公司，同时表示将把第六代 HBM4 芯片的量产提前到 2025 年。大容量 NAND 受到业界关注SK 海力士副总裁兼 HBM 工艺集成（PI）负责人 Kwon Un-oh 表示：“通过先发制人地确保技术和量产专业知识，我们已经能够建立起稳固的竞争力。”先进封装开发部副总裁兼负责人Son Ho-young敦促公司为更好的存储器和系统芯片的融合。SK海力士表示，受AI学习和推理高端芯片需求不断增长的推动，预计今年全球DRAM市场规模将达到65%，达到117万亿韩元（850亿美元）。本月初，首席执行官Kwak Noh-jung在新闻发布会上表示，其HBM芯片产能几乎已被预订满到明年。SK海力士NAND先进工艺集成副总裁Oh Hae-soon表示，NAND闪存是AI时代的另一个前景光明的部分她表示：“随着对大规模AI服务器的需求不断增长，eSSD等NAND解决方案开始受到业界关注。”新兴存储芯片SK海力士革命技术中心 (RTC)副总裁Yi Jae-yun表示，公司还在密切关注新兴存储芯片，如仅选择器存储器 (SOM)、自旋存储器和突触存储器，这些芯片具有超高速、高容量和较低的价格，以及磁性 RAM (MRAM)、电阻式 RAM (RRAM) 和相变存储器 (PCM) 芯片。分析师表示，在存储芯片制造商中，SK海力士是AI应用爆炸式增长的最大受益者，因为它是NVIDIA Corp.的最大AI芯片供应商，而NVIDIA控制着80%的AI芯片市场。SK集团董事长崔泰源最近在接受日本媒体日经新闻采访时表示，如果SK海力士看到AI芯片融资需求，该公司正在考虑在韩国或美国建立HBM工厂的可能性。 ... PC版： 手机版：