ExplorerPatcher新版本不再支持切换到Windows 10任务栏样式

ExplorerPatcher新版本不再支持切换到Windows 10任务栏样式 按理说回到 Windows 10 任务栏样式是使用 ExplorerPatcher 用户的刚需，为什么要删除这个功能呢？原因在于这个功能将被微软永久删除。StartAllBack 以及 ExplorerPatcher 等软件之所以还能切换到 Windows 10 任务栏样式是因为 Windows 11 中还隐藏着残留代码，而 Windows 11 24H2 版中微软已经决定删除之前样式的代码。所以后续这类第三方软件都无法再让 Windows 11 任务栏样式回到 Windows 10 的那种，除非完全构建一个新的 UI 界面完全覆盖 Windows 11 任务栏样式，这就不是修改了，像 Start11 就不依赖微软的代码，不过这款软件是需要单独付费的。ExplorerPatcher 新版本已经在 Windows 11 Build 22621.3296、22621.3447 和 22621.3527 版中进行测试，如果你使用的是其他版本需要自行下载测试看看是否有兼容性问题。另外由于潜在的兼容性问题，微软此前已经默认阻止用户安装 StartAllBack 以及 ExplorerPatcher，如果用户遇到安装问题，只需要将文件名修改下即可安装。你可以从这里下载 ExplorerPatcher 最新版： ... PC版： 手机版：

Windows 11已被NTDEV极限缩减至100MB 图形界面也被舍弃

Windows 11已被NTDEV极限缩减至100MB 图形界面也被舍弃 在通过Tiny11项目创建了一个最小的功能性 Windows 11 修改版之后，NTDEV 又在尝试对最新的微软操作系统做一些不同的事情。根据一位粉丝提出的想法，这位开发者想知道他能把 Windows 11 做得多小，而且还能启动。NTDEV 的实验结果是一个不到 100 兆字节大小的 Windows 映像，一个几乎无法运行的操作系统，它放弃了图形用户界面或任何其他图形元素，回到了纯文字的根源。微软在 Windows 95 中放弃了基于文本提示的模式，但 Windows 11 似乎仍然是 Windows，即使它已经变成了一个缓慢移动的文本外壳。NTDEV 从微软一个名为 "MinWin "的老项目中获得灵感，该项目创建了一套简约、自足的 Windows Vista（以及后来的 Windows 7）组件，作为 "核心 "用户界面。NTDEV 将这一新模式命名为 "NT-DOS"。观众们认为，这种赤裸裸的文本外壳从一开始就应该是 Windows Server 的样子。"NT-DOS"模式启动时只有一个最小的外壳，只能通过提示命令进行操作。尽管支持一些基本的批处理文件，但这个精简版操作系统仍然是 Windows 操作系统，甚至可以提供一些多任务处理功能。NTDEV 对 Windows 进行调整和修改已经有一段时间了。这位开发者使用 Tiny11 将标准 Windows 11 安装程序（64GB）压缩到仅 2GB，将操作系统安装在 4GB USB 闪存驱动器（Live11）中，并在GeForce RTX 3050GPU 的帧缓冲区内运行。Winception 实验将嵌套 Windows 虚拟化推向了前所未有的极限。与 Tiny11 不同，NT-DOS 还没有可供下载的公开版本。NTDEV 博客解释说，其项目都是由了解 Windows 操作系统家族内部运作的开发人员挑选并 "在无聊时完成的"。Tiny11和Tiny10是 NTDEV 制作的最 "用户友好 "的产品，它们都有公开的下载版本，供那些有兴趣尝试最新 Windows 版本的用户下载，而不会像标准安装那样 "过于繁琐"。 ... PC版： 手机版：

iPhone 16配置对比前代至少有15项以上的改进与升级

iPhone 16配置对比前代至少有15项以上的改进与升级 iPhone 15 vs iPhone 16（渲染图）下面这篇文章列出了，非Pro版的iPhone 16机型与其前身相比预计将出现的变化。设计苹果预计将iPhone 16 Pro的尺寸增加至6.3英寸，将iPhone 16 Pro Max的尺寸增加至6.9英寸，这是多年来iPhone首次尺寸升级。但尺寸变化将仅限于Pro机型，iPhone 16机型将保持与iPhone 15机型相同的尺寸。不过尽管尺寸在变化，但设计基本保持不变。iPhone 16据称，新型号最显著的变化是后置摄像头改为垂直排列，以方便空间视频捕捉。苹果测试了标准iPhone 16机型的多种设计，但最终决定采用垂直摄像头排列。苹果可以通过新的镜头排列来缩小相机模块的尺寸。相机模组里容纳了一颗广角和一颗超广角镜头。麦克风将位于镜头旁边，而相机闪光灯将位于模块之外。在iPhone的左侧，苹果计划将iPhone 16上的静音开关替换为去年Pro机型上的“操作”按钮，可以执行多种功能，例如激活手电筒、打开相机、启动快捷方式、启用或禁用对焦模式、使用翻译、打开/关闭静音模式等。音量按钮将位于“操作”按钮下方。还将引入全新的“捕捉”按钮。虽然该按钮预计是机械式的而不是电容式的，但它将能够对压力和触摸做出响应。iPhone用户将能够通过在按钮上左右滑动来放大和缩小，轻按聚焦，用力按压激活录音。捕捉按钮将在所有四款iPhone 16机型上提供，用于拍摄照片和视频。除了新的垂直镜头排列和拍摄（捕捉）按钮外，iPhone 16机型的总体设计与iPhone 15机型相同，机身形状、尺寸和重量都没有显著变化。芯片、运存和连接iPhone 16和iPhone 16 Plus预计将使用A17芯片，但有传言称它不会是iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max中使用的A17 Pro芯片。苹果正在为iPhone 17 Pro芯片使用台积电的N3B工艺，但明年将在正在开发的标准“A17”芯片上使用成本较低的N3E工艺。N3B是台积电与苹果合作创建的原创3nm节点，而N3E是一种更实惠的节点，具有较低的晶体管密度、较低的效率和较高的良率。苹果通常不会专门为标准iPhone机型设计芯片，这些设备要么使用与Pro机型相同的芯片，要么采用前一年iPhone机型的芯片。虽然有传言称苹果将把标准iPhone 16机型中使用的芯片称为“A17”，但分析师Jeff Pu认为苹果将改用A18和A18 Pro命名，所有iPhone 16机型都配备某种A18系列芯片。Pu相信所有芯片都将采用N3E制造工艺，并且Pro芯片可能会拥有标准芯片所没有的额外GPU核心。苹果正在努力开发自己的调制解调器芯片和天线设置，以消除对高通的依赖，但苹果的调制解调器芯片预计不会在2024年首次亮相。标准的iPhone 16机型预计将使用高通X70芯片，该芯片已经在iPhone 15机型中使用。iPhone 16运存可能将增加33%，这意味着所有四款iPhone 16机型均配备8GB RAM，并将支持更快的WiFi 6E连接。电池和充电iPhone 16机型可能会在电池技术和充电方面进行一些重大改进，配备更密集的电池和更快的充电能力。值得注意的是，据传iPhone 16 Plus的电池比前身更小，但目前尚不清楚这将如何影响实际电池寿命。据传iPhone 16可能会采用堆叠电池技术提高能量密度并延长使用寿命。其中iPhone 16将配备3561mAh电池（+6%），iPhone 16 Plus将配备4006mAh电池（-9%），新机将支持高达40W的有线快充（快48%），并支持通过MagSafe进行20W充电（快25%）。其他功能和变化屏幕上，iPhone 16 OLED面板预计将使用微透镜技术来提高亮度并降低功耗。微透镜阵列或MLA在面板内使用数十亿个透镜的统一图案来减少内部反射。反射光在不增加功耗的情况下提高了感知亮度。由于材料的改进，iPhone 16系列中使用的OLED显示屏将更加节能。此外，苹果将在iOS 18中引入由大型语言模型支持的新Siri功能，而一些尖端的生成式AI功能可能仅限于iPhone 16机型。iPhone 16机型预计还将配备改进的麦克风，并伴随人工智能增强的Siri体验。苹果分析师郭明𫓹表示，该麦克风将具有更好的防水性和更好的信噪比，这将“显着改善Siri体验”。其他方面，iPhone 16机型预计将采用新的散热设计，以防止过热。据称，苹果正在为iPhone 16机型开发石墨烯散热系统，iPhone 16 Pro机型还可能包括金属电池外壳，以改善散热。发布日期iPhone 16和iPhone 16 Plus预计将于秋季推出。苹果通常每年9月都会举办一场发布会，发布新的iPhone机型，并在一周多后发布。写在最后值得一提的是，以上这些升级都是我们根据现有的爆料总结出来的，不一定完全准确，仅供参考。随着新机发布时间越来越近，之后网上关于该系列新机的爆料也会越来越多，我们将及时报道更新。 ... PC版： 手机版：

三星CXL全球首创 3D DRAM路线图公布

三星CXL全球首创 3D DRAM路线图公布 该扩展卡混合了高速DRAM和NAND闪存，旨在提供一种经济高效的方式来提高服务器的内存容量，而无需使用本地安装的DDR5内存，而这在超额认购的服务器中通常是不可行的。三星的解决方案在Compute Express Link (CXL)上运行，这是一种开放式行业标准，可在 CPU 和加速器之间提供缓存一致性互连，从而允许 CPU 使用与利用 CXL 的连接设备相同的内存区域。远程存储器（或者在本例中为混合 RAM/闪存设备）可通过 PCIe 总线访问，但代价是大约 170-250 纳秒的延迟，或者大约是 NUMA 跳的成本。CXL 于 2019 年推出，目前处于第三个版本，支持 PCIe 6.0。CXL 规范支持三种类型的设备：Type 1 设备是缺乏本地内存的加速器，Type 2 设备是具有自己内存的加速器（例如具有 DDR 或 HBM 的 GPU、FPGA 和 ASIC），Type 3 设备由内存设备组成。三星设备属于 Type 3 类别。CMM-H TM 是三星CMM-H CXL 内存解决方案的一个分支。三星表示，它是世界上第一个基于FPGA的分层 CXL 内存解决方案，旨在“应对内存管理挑战，减少停机时间，优化分层内存的调度，并最大限度地提高性能，同时显着降低总拥有成本。”这种新的 CMM-H 速度不如 DRAM；然而，它通过闪存增加了强大的容量，但通过扩展卡内置的巧妙的内存缓存功能隐藏了大量延迟。热数据被转移到卡的 DRAM 芯片中以提高速度，而较少使用的数据则存储在 NAND 存储中。三星表示，这种行为会自动发生，但某些应用程序和工作负载可以通过 API 向设备发出提高性能的提示。当然，这会增加缓存数据的一些延迟，这并不适合所有用例，特别是那些依赖严格 99% 性能的用例。三星的新型扩展卡将为客户提供扩展服务器内存容量的新方法。随着更先进的大型语言模型继续要求其主机和加速器提供更多内存，这种新的设计范例变得越来越重要。三星公布3D DRAM规划全球最大的存储芯片制造商三星电子公司计划于2025年推出人工智能行业游戏规则改变者三维(3D) DRAM，目前以规模较小的竞争对手SK海力士公司主导的全球人工智能半导体市场。3D为主导的DRAM芯片通过垂直互连单元而不是像目前那样水平放置它们，能将单位面积的容量增加了三倍。相比之下，高带宽内存（HBM）垂直互连多个DRAM芯片。据首尔的半导体行业消息知情人士周二透露，三星上个月在加利福尼亚州圣何塞举行的全球芯片制造商聚会Memcon 2024上公布了其3D DRAM开发路线图。这家总部位于韩国水原的巨头计划于2025年推出基于垂直沟道晶体管技术的早期版本3D DRAM，该技术在构成单元的晶体管中该垂直设置沟道（电子流动的通道），并用充当开关的门。公司还计划在2030年推出一个式DRAM，将包括在内部的所有单元都在一起。目前 DRAM 在主板上包含多达 620 亿个单元，晶体管在平面上密集集成，这使得不可能避免漏电流和干扰。由于 3D DRAM 中的晶体管由于可以在同一上放置更多单元，因此3D DRAM预计将增加单位芯片内的容量。3D DRAM的基本容量为100 GB，几乎是当前可用DRAM最大容量36 GB的三倍。有消息称，到2030年，全球3D DRAM市场可能会增长到1000亿美元，但由于市场仍处于起步阶段AI半导体市场的领导者该技术有望帮助三星审视全球AI半导体行业的王座，击败目前在AI芯片领域主导地位的SK海力士，他们在AI应用的HBM、DRAM全球市场中占有90%的份额”业内人士表示。尽管三星的竞争对手（包括SK海力士和美光科技公司）一直在研究该技术，但尚未公布任何3D DRAM的路线图。SK海力士在各个行业会议上介绍了其3D DRAM的概念。美光于2019年开始开发3D DRAM，拥有约30项该技术专利，是三大芯片制造商中最多的。十多年来，随着智能手机等配备DRAM的电子设备变得更小、功能更多，全球DRAM行业一直在开发具有更大数据处理能力的更小芯片。人工智能的快速发展需要快速大规模处理数据，这一趋势正在加剧。3DDRAM预计将满足此类芯片的需求，因为它比现有的DRAM更小，容量更大。短期内，新型半导体可能用于智能手机和笔记本电脑等小型信息技术设备，这些设备需要高性能 DRAM 来实现设备上的 AI 功能。汽车行业预计将长期使用 3D DRAM，因为电动汽车和自动驾驶汽车需要能够实时处理从道路收集的 DRAM 的大数据。三星正在开发主导3D DRAM领域的技术，以期到2027年至2028年将其关键尺寸缩小到8-9纳米(nm)。最新的DRAM预计为12 nm左右。该公司还积极扩大3D DRAM研发人员队伍它在其半导体研究中心针对该技术成立了下一代工艺开发团队。 ... PC版： 手机版：