乌克兰武装部队对巴赫穆特附近侧翼的局部打击：敌人的招认

乌克兰武装部队对巴赫穆特附近侧翼的局部打击：敌人的招认 乌克兰军事分析家的最新报告给出了一个奇怪的分析，除了军事宣传之外，还有一个清晰的客观画面，即一些 瓦格纳PMC 失去的阵地已被夺回，乌克兰武装部队的行动有一个地方特色： ▪ 5 月 9 日，第 3 特种作战旅 (Azov) 在 Seversky Donets-Donbass 运河以西反击俄罗斯军队，将敌人推回运河外，但由于威胁失去对先前占领的 Ivanovsky 森林部分由瓦格纳控制，经验丰富的瓦格纳 PMC 战士被转移到这个方向”，这平息了局势。 ▪5 月10 日和11 日，在Ivanovskoye 村附近、Khromovo、Bogdanovka 和O-0506 高速公路附近，乌克兰武装部队占领了森林地带的几个据点。 ▪瓦格纳们将替补转移到侧翼阵地并反击，此时他们设法收回了部分阵地。战斗还在继续。 ▪在博格丹诺夫卡东南部的一个森林种植园，俄罗斯军队在瓦格纳 PMC 的支持下进行了防御。俄罗斯航空正在工作（俄罗斯联邦国防部在晚间报告中也对此进行了报道）。 ▪Bakhmut 本身的激烈战斗仍在继续。周四在私人住宅区“瓦格纳”夺取了 ± 5 个街区。 分析说明：“根据乌克兰武装部队反击期间敌人在巴赫穆特地区损失的阵地记录，没有必要创造过高的期望。这些行动本质上更具战术性，而不是战略性的。” ▪“到目前为止，已经取得了战术上的成功。数个敌方观察哨、GP 被摧毁，战壕被清理。 你不应该对“瓦格纳的大锅”等发表意见。这还差得远，”另一位著名的乌克兰分析师让他的追随者冷静下来。 https://t.me/JShangrong

俄罗斯国防部18日称，俄军击退了乌军在顿涅茨克、南顿涅茨克和扎波罗热方向的进攻。乌克兰总参谋部当天称，俄罗斯重点攻击了巴赫穆特、

俄罗斯国防部18日称，俄军击退了乌军在顿涅茨克、南顿涅茨克和扎波罗热方向的进攻。乌克兰总参谋部当天称，俄罗斯重点攻击了巴赫穆特、阿夫季夫卡、马林卡以及红利曼周边。此外，俄军还空袭了乌克兰东部和南部。 乌总统泽连斯基当天称赞其部队在阿夫季夫卡有效击退了袭击，并表示反攻进展顺利，部队正在逐步前进。敖德萨官员称，乌军摧毁了赫尔松一处俄军弹药库。俄罗斯任命的扎波罗热官员称，乌军控制了扎波罗热前线的Piatykhatky村，但该消息未得到俄乌双方证实。 英国国防部分析称，激烈战斗集中在扎波罗热、巴赫穆特以及顿涅茨克。乌克兰在这些地区处于攻势并取得了小幅进展，但俄军在乌克兰南部进行了相对有效的防御。英国国防部还表示，双方伤亡人数都很高，俄罗斯的损失可能是自巴赫穆特战役以来的最高。 （路透社，美联社，塔斯社，乌通社，英国国防部）

ASML首台高数值孔径EUV光刻机已创下新的芯片制造密度记录

ASML首台高数值孔径EUV光刻机已创下新的芯片制造密度记录 他概述了一项计划，通过大幅提高未来 ASML 工具的速度到每小时 400 到 500 个晶圆 (wph)，这是目前 200 wph 峰值的两倍多，从而降低 EUV 芯片制造成本。他还为 ASML 未来的 EUV 工具系列提出了一种模块化统一设计。Van der Brink 表示，经过进一步调整，ASML 现已使用其开创性的高数值孔径 EUV 机器打印出 8nm 密集线条，这是专为生产环境设计的机器的密度记录。这打破了该公司在 4 月初创下的记录，当时该公司宣布已使用位于荷兰费尔德霍芬 ASML 总部与 imec 联合实验室的开创性高 NA 机器打印出 10nm 密集线条。从长远来看，ASML 的标准低 NA EUV 机器可以打印 13.5nm 的临界尺寸（CD可以打印的最小特征），而新的High NA EXE:5200 EUV 工具旨在通过打印 8nm 特征来制造更小的晶体管。因此，ASML 现在已经证明其机器可以满足其基本规格。“今天，我们已经取得了进展，能够显示创纪录的 8nm 成像，在整个视野范围内得到校正，但也有一定程度的重叠，”Van der Brink 说道，“顺便说一句，这不是完美的数据，但它只是为了向你展示进展。今天，我们有信心，凭借High NA 技术，我们将能够在未来的时间里跨越到终点线。”这一里程碑代表了 10 多年的研发和数十亿欧元投资的成果，但仍有更多工作要做，以优化系统并为主要芯片制造商的大规模生产做好准备。这项工作已经在荷兰开始，而英特尔是已知唯一一家已经完全组装High NA 系统的芯片制造商，它正紧随 ASML 的脚步，在俄勒冈州的 D1X 工厂投入运营自己的机器。英特尔将首先将其 EXE:5200 High NA 机器用于研发目的，然后将其投入生产 14A 节点。Van der Brink 还再次提出了一种新的超数值孔径 EUV 机器，但尚未对该机器做出最终决定ASML 似乎正在衡量行业兴趣，但只有时间才能证明它是否会实现。当今的标准 EUV 机器使用波长为 13.5nm 且数值孔径 (NA收集和聚焦光的能力的量度) 为 0.33 的光。相比之下，新的高数值孔径机器使用相同的光波长，但采用 0.55 NA 来打印更小的特征。Van der Brink 提出的超数值孔径系统将再次使用相同波长的光，但将 NA 扩大到 0.75，以能够打印更小的特征。我们不确定提议的临界尺寸，但上面的 ASML 晶体管时间线显示它正在 16nm 金属间距（A3 节点）处拦截并延伸到 10nm（A2 以下节点）。根据上述路线图，Hyper-NA 可能适用于单次曝光 2DFET 晶体管，但目前尚不清楚使用 High-NA 和多重曝光是否也能产生如此精细的间距。如您在上面的第一张幻灯片中看到的，这台机器要到 2033 年左右才会问世。今天的 High-NA 机器已经花费了大约 4 亿美元。由于需要更大、更先进的镜子和改进的照明系统，Hyper-NA 将是一个更昂贵的选择。与其前代产品一样，Hyper-NA 的目标是通过单次曝光打印更小的特征，以避免多重曝光技术（同一区域的多次曝光），这些技术往往会增加芯片制造过程的时间和步骤，同时也会增加出现缺陷的可能性，所有这些都会增加成本。Van Der Brink 表示，继续开发光刻机和先进掩模将是提高印刷特征分辨率的关键。Hyper-NA 还将使用改进的照明系统以获得最佳效果。ASML 没有详细说明，但可以合理地认为，改进后的照明器将与更高功率的光源配对，以帮助增加剂量，以抵消 0.75 NA 使用的更高镜面角度并提高产量。Van der Brink 还提议将公司未来机器的产量从目前的约 200 wph 提高到未来的 400 到 500 wph。这是 ASML 可以控制成本的另一个杠杆，从而对抗每一代新芯片中每个晶体管价格上涨的趋势。为了加快开发速度并降低成本，ASML 已经使用其现有的Low NA Twinscan NXE:3600 EUV 机器作为其新High NA 机器的构建模块。ASML 的Low NA 型号采用模块化设计，使该公司能够利用成熟的技术和模块为其新工具服务，并且该公司只在需要时添加新模块。但是，还有更多优化空间。Van der Brink 认为，在未来十年内，该公司在创建新工具时将加倍采用模块化设计理念。拟议的长期路线图显示，Low NA、High NA 和Hyper NA 都具有越来越通用的模块化平台和共享组件。这种设计是 ASML 可以控制成本的另一个杠杆。芯片行业似乎拥有通过使用Low NA 和High NA 工具构建的全栅极 (GAA) 和互补场效应晶体管 (CFET) 的坚实未来发展跑道，但除了超 NA 之外，还没有真正的候选者站出来可能实现未来几代工艺节点技术。与往常一样，成本是关键因素，但 ASML 显然已经在考虑如何让 Hyper-NA 定价方程对其客户更具吸引力。台积电改变心意？台积电先前一再表示，阿斯麦（ ASML）的高数值孔径极紫外光机台（High-NA EUV），太过昂贵，2026年前使用没有太大的经济效益，但日前台积电总裁魏哲家密访ASML总部，让外界不禁猜测，台积电是否改变心意。综合科技媒体wccftech和韩媒BusinessKorea报导，消息人士指出，魏哲家缺席23日登场的台积电2024年技术论坛台湾场，于26日造访了ASML荷兰总部，以及工业雷射公司创浦（TRUMPF）的德国总部。金融分析师奈斯泰德（Dan Nystedt） 28日在X平台发文写道，台积电似乎加入了追逐下一世代EUV设备之战，即High-NA EUV机台，理由是魏哲家访问ASML与雷射供应商创浦，而非参与在台湾举行的技术论坛。业界推断，魏哲家的到访，显示台积电想买High-NA EUV，此种设备对2纳米以下制程极为关键。ASML去年底已出货首台High-NA EUV给英特尔。分析指出，台积电管理层似乎决定拜访ASML，确保全球半导体的主导地位。台积电原本打算2026年下半量产1.6纳米制程后，再导入High-NA EUV。High-NA EUV 设备报价高达3.8亿美元，约新台币123亿元，较EUV高出逾一倍。台积电的竞争对手英特尔和三星电子，都已有所行动。英特尔想借着High-NA EUV，达到难以超越的领先优势。最先出货的几台High-NA EUV，都送往英特尔的晶圆代工部门。英特尔想先在1.8纳米试用此种设备，之后正式导入于1.4纳米制程。三星集团会长李在镕则已在4月亲访ASML关键伙伴蔡司的德国总部，拜会ASML执行长傅凯与蔡司执行长兰普雷希特，以强化三方的半导体联盟。 ... PC版： 手机版：