新突破!我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件
新突破!我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件 澎湃新闻从中国科学院微电子研究所获悉,我国在太空成功验证了首款国产碳化硅(SiC)功率器件,第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。功率器件是实现电能变换和控制的核心,被誉为电力电子系统的心脏,是最为基础、最为广泛应用的器件之一。随着硅(Si)基功率器件的性能逼近极限,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,以禁带宽度大、击穿场…… - 电报频道 - #娟姐新闻: @juanjienews
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