人工智能控制的电池有望容量提高10% 寿命延长25%

人工智能控制的电池有望容量提高10%寿命延长25%AI-BMS-on-chip可"释放"电池额外10%的容量，并将电池寿命延长多达25%。它通过监控电池的健康状态（SoH）和充电状态（SoC）来实现这一目标，其精确度远远高于传统的BMS设备。Syntiant的NDP120神经决策处理器可实时分析电池性能，并利用预测诊断技术及早发现潜在问题，然后做出决策以防止故障、提高电池安全性并优化性能。NDP120设计用于轻松集成到商用和消费电子产品的现有BMS应用中。通过集成到电池本身，片上人工智能BMS系统消除了与基于云的系统相关的任何连接、延迟或隐私问题。"AI-BMS芯片满足了各种应用对实时、高效电池管理的需求。"Syntiant首席商务官MallikMonturi说。"它能提高电池寿命、安全性和性能。这使它成为从消费电子产品到商用车辆的完美选择。"芯片上的人工智能电池管理系统（AI-BMS-on-chip）可以为电动汽车行业（从汽车到个人电动VTOL飞机）带来巨大利益，延长续航里程，延长更换电池的间隔时间，从而为消费者节省大量资金。这项具有预测能力的技术还能降低关键时刻电池发生故障的风险，例如在驾驶喷气式飞机下班回家的200英尺高空。现有的典型锂离子电池的最长寿命通常为500-1000次充电循环，然后电池才会开始衰减。EatronTechnologies的人工智能BMS有可能将这一寿命提高到625-1250次。在离网和房车应用中越来越常见的磷酸铁锂电池，使用标准BMS可以达到5000次以上的充电循环。NDP120有可能将这些数字提高到惊人的6250次以上。Eatron将在本周于德国斯图加特举行的2024年欧洲电池展上展示其AI-BMS片上技术。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1435313.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1435313.htm

OpenAI：我们刚刚全面提高API GPT-4 Turbo 的速率限制，使其增加了一倍，并且取消了所有每日使用上限。以下是您

OpenAI：我们刚刚全面提高APIGPT-4Turbo的速率限制，使其增加了一倍，并且取消了所有每日使用上限。以下是您现在可以达到的新的每分钟最大令牌数(TPM)。https://platform.openai.com/docs/guides/rate-limits/usage-tiers?context=tier-five投稿：@TNSubmbot频道：@TestFlightCN

研究显示SSD二氧化碳排放量可能是HDD的两倍

研究显示SSD二氧化碳排放量可能是HDD的两倍一项新的研究指称，尽管固态硬盘的能源效率更高，但其造成的碳排放却明显高于HDD。然而，不同的使用场景可能会改变这种情况。威斯康星大学麦迪逊分校和英属哥伦比亚大学的研究人员最近发表了一项研究，声称固态硬盘可能导致两倍于硬盘驱动器的碳排放。该研究分析了不同设备和部件在其生命周期内的碳影响。研究人员承认，操作SSD比HDD消耗的能源更少，但声称制造固态硬盘导致的排放要高得多。假设制造过程仍然主要依赖化石燃料，那么SSD的大部分碳排放在人们开始使用它之前就已经发生了。该研究认为，在采用SSD的系统中，SSD的排放量是最高的，占PC总排放量的38%。相比之下，硬盘可能占系统排放的9%，GPU占11%，CPU占4%，主板占17%，内存占9%，PSU占4%，机箱占6%。这一比例是以512GB的固态硬盘为前提的，但有趣的是，据称固态硬盘在制造过程中的碳成本随着容量的增加而线性增加。比较两种存储设备从制造到报废的理论排放量，研究得出的结论是，在5到10年的时间里，HDD比SSD使用更多的能源，但比制造SSD的能源少。研究人员假设在两种存储介质的生命周期中，有20%的活动周期和80%的空闲周期。在类似的工作负载下，固态硬盘的速度可能会导致更少的活动周期，从而增加其能源效率对硬盘的领先优势。该研究提出了减少存储排放的方法。设计寿命更长的固态硬盘是一个明显的解决方案，因为它可以导致更少的使用能源消耗。回收和重复使用闪存，也有助于环保。此外，固态硬盘并不总是适合各种情况的最佳存储。硬盘每千兆字节的价格仍然很便宜，这就是为什么用户和公司采用它们来进行冷存储，而将固态硬盘保留给经常使用的文件是明智之举。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1303431.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1303431.htm

研究发现一种较弱的粘合剂可使聚合物强度提高10倍

研究发现一种较弱的粘合剂可使聚合物强度提高10倍这些类橡胶聚合物通常用于汽车零部件，也经常用作3D打印物体的“墨水”。研究人员目前正在探索将这种方法扩展到其他类型材料的可能性，例如橡胶轮胎。麻省理工学院化学教授耶利米·约翰逊(JeremiahJohnson)表示：“如果你能让橡胶轮胎的抗撕裂能力提高10倍，这可能会对轮胎的使用寿命和脱落的微塑料废物量产生巨大影响。”该研究的资深作者之一，该研究于6月22日发表在《科学》杂志上。当这种聚合物网络被拉伸时，较弱的交联键（蓝色）比任何强聚合物链更容易断裂，从而使裂纹更难以在材料中传播。图片来源：研究人员提供，由麻省理工学院新闻编辑这种方法的一个显着优点是它似乎不会改变聚合物的任何其他物理特性。“聚合物工程师知道如何使材料变得更坚韧，但这总是涉及到改变材料的一些其他你不想改变的特性。在这里，韧性的增强没有任何其他物理特性的显着变化——至少我们可以测量到——并且它是通过仅替换整体材料的一小部分来实现的。”杜克大学也是该论文的资深作者。该项目源于约翰逊、克雷格和杜克大学教授迈克尔·鲁宾斯坦（MichaelRubinstein）之间的长期合作，迈克尔·鲁宾斯坦也是该论文的资深作者。该论文的主要作者是麻省理工学院的博士后王舒，他在杜克大学获得了博士学位。最薄弱的环节聚丙烯酸酯弹性体是由通过分子连接在一起的丙烯酸酯链制成的聚合物网络。这些构建块可以以不同的方式连接在一起，以创建具有不同属性的材料。这些聚合物经常使用的一种结构是星形聚合物网络。这些聚合物由两种类型的结构单元制成：一种是具有四个相同臂的星形结构，另一种是充当连接体的链。这些连接器与恒星每条臂的末端结合，形成一个类似于排球网的网络。在2021年的一项研究中，克雷格、鲁宾斯坦和麻省理工学院教授布拉德利·奥尔森联手测量了这些聚合物的强度。正如他们所预期的那样，他们发现当使用较弱的末端连接体将聚合物链固定在一起时，材料会变得更弱。这些较弱的连接体含有称为环丁烷的环状分子，与通常用于连接这些结构单元的连接体相比，可以用小得多的力来破坏这些较弱的连接体。作为该研究的后续行动，研究人员决定研究一种不同类型的聚合物网络，其中聚合物链在随机位置与其他链交联，而不是在末端连接。这次，当研究人员使用较弱的连接体将丙烯酸酯构件连接在一起时，他们发现该材料变得更耐撕裂。研究人员认为，这种情况的发生是因为较弱的键随机分布在整个材料中的强链之间，而不是最终链本身的一部分。当这种材料被拉伸到断裂点时，任何穿过材料传播的裂纹都会试图避开较强的键，而通过较弱的键。这意味着与所有键强度相同时相比，裂纹必须破坏更多的键。“尽管这些键较弱，但更多的键最终需要被打破，因为裂缝会穿过最弱的键，最终会成为一条更长的路径，”约翰逊说。坚韧材料通过这种方法，研究人员发现，掺入一些较弱连接基的聚丙烯酸酯比采用较强交联分子制成的聚丙烯酸酯更难撕裂9至10倍。即使弱交联剂仅占材料总成分的2%左右，也能实现这种效果。研究人员还表明，这种改变的成分不会改变材料的任何其他特性，例如加热时的抗分解性。约翰逊说：“两种材料在网络层面具有相同的结构和相同的性能，但在撕裂方面却具有几乎数量级的差异，这是非常罕见的。”研究人员目前正在研究这种方法是否可以用于提高包括橡胶在内的其他材料的韧性。“关于其他类型的材料可以获得何种程度的增强以及如何最好地利用它，还有很多值得探索的地方，”克雷格说。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1367383.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1367383.htm

Intel Lunar Lake架构全公开：功耗大降40％、E核性能飙升4倍

IntelLunarLake架构全公开：功耗大降40％、E核性能飙升4倍现在，Intel完全公开了LunarLake的架构设计细节，涵盖模块化结构、封装工艺、P性能核、E能效核、混合架构与线程调度、GPU核显、NPUAI引擎、平台连接等部分。我们逐一来看。【模块化与封装】首先说一句，Intel尚未明确公布LunarLake的制造工艺，目前第三方说法是主要采用台积电N3B，也就是台积电第二代3nm。不过Intel强调，如今的处理器设计理念是架构、工艺彼此99％的解耦分离，不再互相依赖，可以各自独立推进路线图。LunarLake延续了MeteorLake的分离式模块化设计，但又截然不同，首先是简化为计算模块(ComputeTile)、平台控制器模块(PlatformControllerTile)两大部分，角落里还有个填料模块(FillerTile)，不具备实际电路和功能，只是将整体凑成一个方形以保证结构强度。它们通过底部的基础模块，结合Foveros封装工艺，组合在一起。其次，LunarLake还整合封装了两颗内存。计算模块内包含最多四个P核、最多四个E核、GPU核显、媒体引擎、显示引擎、IPU图像处理单元、NPUAI单元、NOC、MSC(内存侧缓存)等。其中，MSC缓存最大容量8MB，独立于二三级缓存，主要用于IO引擎的缓存配合，可以减少对系统内存的依赖，提升延迟与带宽。平台计算模块则包含PCIe5.0/4.0控制器、雷电4控制器(没有雷电5)、USB控制器、Wi-Fi与蓝牙控制器、安全引擎等。注意，MeteorLake上的超低功耗E核取消了，因为它改变了模块组合，并且引入了新的“低功耗岛”(LowPowerIsland)，不再是单一物理模块管理节能，而是将是所有可节能的模块纳入统一管理，整体按需开关，效率更高。计算模块内部通过HomeAgent、CoherencyAgent等连接主要单元，平台控制器模块内部也有IOCoherency，确保彼此一致性地高效通信。而在两大模块之间，通过可扩展的第二代交叉总线，以及D2D界面进行彼此互连，这相比LunarLake的四大模块更加简单高效。这是Intel第一次在处理器内部封装整合内存，称之为“MemoryonPackage”，也就是“封装级内存”(MOP)。它采用的是LPDDR5X规格，最高频率8500MHz，每颗芯片四个16-bit通道，总容量最高32GB。官方称这种设计可以节省40％的功耗，并节省多达250平方毫米的主板面积，从而可以显著提升电池续航，并留出空间给笔记本的其他设计。但是注意，LunarLake笔记本不再支持独立的SO-DIMM内存，不能扩展和升级。值得一提的是，LunarLake还设计了全新的独立电源管理单元，一共四组，可以提供更多供电电路，动态调节电压。【P性能核与E能效核】这是P核结构简图，代号LionCove，在微架构上进行了全面的彻底改进，大幅提升IPC并增强可扩展性，优化了每瓦性能(尤其是单线程)，以及单位面积的性能。它共有多达18个执行端口，吞吐量和效率更高，预测宽度也提升了8倍。缓存系统大大增强，每核心一级数据缓存48KB，一级指令缓存192KB，二级缓存最多达2.5MB(ArrowLake上最多3MB)，同时所有核心共享最多12MB三级缓存。频率控制也更加精细，间隔从100MHz大大缩小到16.7MHz，效果自然是能效更高。官方宣称，新性能核的IPC性能比上代有着平均14％的提升，而且功耗越低，提升越明显，超低功耗下可达18％。如果频率也能进一步提升，性能自然会更好，这一点要到后续公布具体型号规格的时候才知道了。E能效核代号Skymont，也是全新设计的，号称Intel最节能的架构。它重点扩展了工作范围、提升了多线程性能，也提高了整体的扩展性，以及加强预测以快速寻找指令、调度端口增至26个、队列加深以更快并行处理、分配和回退加快等等，通过四个128位FP浮点单元和SIMD矢量单元，带来了两倍的矢量性能和AI吞吐量，可以更好地执行VNNI，对于AIPC的整体表现提升有很大裨益。缓存机制与P核截然不同，每个核心有32KB一级数据缓存，所有核心共享最多4MB二级缓存，没有自己的三级缓存。单线程性能可以在1/3的功耗下，平均提升多达68％，最高可接近翻倍。多线程性能方面，四个E核组成一个集群，相比于MeteorLake上的双核集群，只需要1/3的功耗，就能带来2.9倍的性能，单纯比较性能更是最高可以带来惊人的4倍提升。P、E核组合，前者峰值性能提升超过50％，后者能效提升20-80％，可以更灵活地适应对高性能、低功耗等不同应用场景的需求，覆盖各种能效范围。针对混合架构的调度，Intel12代酷睿就引入了硬件线程调度器(ThreadDirector)，LunarLake上进行了全新升级，结合操作系统的调度器，带来了动态的调度策略、增强的算法、更精细的控制等。还设置了操作系统隔离区，加强了电源管理，可以将应用能效降低多达35％。P核和E核之间，只要工作负载合适，就会首选分配给单个P核，多线程负载时再扩展到其他能效核，并按需导向性能核。上图就是Office办公下的核心调度实例。此外，Intel也给予了OEM厂商更大的灵活度，可以选择设置性能模式、能效模式。【GPU核显】LunarLake的核显升级为第二代Xe2微架构，也就是和即将发布的Battlemage独立显卡是同宗同源的，只是针对低功耗、高能效进行了优化。Xe2GPU架构引入了8个第二代Xe2核心、全新的XMX引擎(INT8整数操作每秒4096和FP16浮点操作每秒2048)、最多8个更强的光追单元、更大的XeSS内核、Xe2矢量引擎(优化能效和AI性能)、8MB二级缓存、eDP1.5视频输出等等。官方称其性能提升了多达50％，AI算力也高达67TOPS。全新的媒体引擎支持AV1硬件编解码、H.266/VVC视频硬解码。其中VVC，一如之前从H.264到H.265/HEVC，可以在保持同等画质的前提下继续降低码率、文件体积，并支持自适应分辨率码率，更加灵活，还支持屏幕内容编码流(SCC)、360度全景码流。显示引擎支持HDMI2.1、DP2.1、eDP1.5，最多三个屏幕，其中eDP1.5自然是配合笔记本自带屏幕，可以更好地适应屏幕自刷新以进一步节能，使用提前传输进行选择性的显示内容更新。【NPUAI引擎】NPUAI单元别看是第二次独立提出，但是按照Intel的技术演进，号称已经是4.0版本(背刺隔壁第三代)，在设计理念上增加大小以适应下一代AI负载，提升频率和能效，并针对现代AI进行优化以高效地运行新的大语言模型和Transformer。NPU4配备了6个神经计算引擎、12个增强的SHAVEDSP、能效优化的MAC阵列，带来了2倍的带宽和48TOPS的算力，峰值性能提升可多达4倍。相比于AMDStrixPoint也就是锐龙AI300系列的第三代NPU，算力略逊了一筹，后者达到了50TOPS。LunarLake处理器的整体算力将达到120TOPS，其中NPU适用于持续性的AI负载，能效非常高，GPU适合高性能的游戏和创作AI应用，CPU算力只有5TOPS，适合轻型、通用型AI负载。AMD尚未公布锐龙AI300系列中CPU、GPU的算力，整体孰强孰弱还有待观察。【平台连接】IO与连接方面，LunarLake提供最多四条PCIe5.0、四条PCIe4.0总线通道，可以连接两块SSD，或者一块SSD和其他扩展。无线升级到了Wi-Fi7(5GGig)，最高速率达5.8Gbps，还有蓝牙5.4。当然更少不了Intel独家的雷电4，带宽40Gbps，最多三个连接，而且支持新的雷电共享技术，可以在不同PC之间快捷分享、传输、控制。【产品上市】这就是LunarLake在架构设计上的主要情况了，可以说进步是方方面面的，就看最终的实际性能表现了。Intel已经向厂商和开发者提供一个迷你机形式的开发套件，但没有公布具体情况，而且Intel也不再做NUC迷你机了，殊为可惜。今年第三季度开始，我们将看到超过20家厂商的超过80款LunarLake笔记本陆续上市。AIPC应用也在迅速丰富起立，Intel平台上已有100多家厂商的300多个AI软件功能，优化的大模型也已超过500个。Intel预计到202...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1433619.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1433619.htm

存储行业，活过来了

存储行业，活过来了Gartner报告显示，2023年全球存储器市场规模下降了37%，成为半导体市场中下降最大的细分领域。彼时几家存储大厂集体经营亏损预估达破纪录的50亿美元，创下过去15年来最严重的低迷。存储原厂相继减产、降价、减少开支...，以应对行业低迷。存储市场的“溃败”尚历历在目，每一位行业玩家和亲历者仍心有余悸。然而，纵使每一道车辙都留下了时代的印记，但周期轮转的车轮始终在滚滚向前。自2023年尾，2024年以来，随着芯片库存调整卓有成效，市场需求回暖推动，全球存储芯片价格正从去年的暴跌中逐步回升。这一在上论行业周期中跌宕最大，损失最惨重的赛道，似乎正在走出低谷。无论是存储原厂的业绩表现，还是调研机构的市场观察，都在印证这一观点。可以理解为：存储市场，活过来了。存储大厂业绩加速回暖随着手机、PC及服务器等行业市场需求的逐渐复苏，加上存储原厂产能削减措施的逐步实施，部分大类存储产品的价格已触底反弹，步入上升通道。涨价潮令上游存储大厂业绩加速回暖。三星电子：利润暴增931.3%，创历史最高在行业复苏的背景下，三星电子凭借其在内存芯片市场的领先地位，实现了营业利润的暴涨，为行业带来强烈的震动。4月5日，三星电子表示，随着芯片价格反弹，预计第一季度营业利润将增长931%。（三星将于4月30日公布包含详细的完整财报）从三星此次公布的财务预报来看，当季营收约为71万亿韩元，同比上涨11.4%；营业利润大幅上涨至6.6万亿韩元，同比暴增931.3%。近几个季度以来，存储芯片价格的持续上涨起到了积极作用。早在去年四季度，三星就开始率先对其存储芯片进行了涨价。据此前消息显示，三星在去年四季度对NANDFlash芯片报价上调10%至20%之后，又在今年一季度和二季度再逐季涨价20%，涨价幅度远超乎业界预期。在涨价的同时，三星还对于NANDFlash和DRAM进行了增产。NAND方面，三星电子正在提升其位于中国西安NANDFlash闪存厂的产能利用率，目前已恢复到了70%左右。自2023年二季度减产之后，三星西安NANDFlash厂的产能利用率在2023下半年一度滑落至20%~30%的低谷，但是随着2023年四季度市场需求的回暖，三星西安NANDFlash厂的产能利用率也开始逐步回升。DRAM方面，三星电子的目标是到2024年第四季度晶圆产量达到200万片，比去年的数字增长41%。三星现在的目标是通过提高生产水平来挽回损失的利润，预计未来需求将会增加。三星电子凭借其先进的生产工艺和庞大的产能规模，成功抓住了市场机遇，实现了业绩的快速增长。其中，内存芯片业务的销售额和利润的大幅增长，成为推动公司整体业绩提升的重要力量。在日前举行的年度股东大会上，三星预计2024年旗下存储半导体部门销售额有望恢复至2022年的水平，同时还定下了更高的目标——要在两到三年内，重新夺回全球芯片市场第一的位置。除了芯片周期的回暖，三星还可能在近期迎来更多好消息。上个月，英伟达CEO黄仁勋暗示，英伟达有意采购三星的HBM芯片。有韩媒爆料称，英伟达最快将从9月开始大量购买三星电子的12层HBM3E。倘若消息落实，这将为三星电子未来的业绩进一步增长带来潜在动力。美光科技：HBM在2024年销售一空3月20日，美国存储芯片大厂美光公布了截至2024年2月29日的2024财年第二季财报，美光第二财季受益于DRAM和NANDFlash需求及价格同步上升，该季营收58亿美元，同比大涨58%，环比增长23%。美光2024财年第二季财报（图源：美光财报）从具体产品划分收入构成来看，美光第二财季DRAM收入环比增长21%至42亿美元，占总收入的71%。这主要得益于该季DRAM平均价格上涨了10%，出货量也有个位数百分比的增长；第二财季NAND收入环比增长了27%至16亿美元，占美光总收入的27%。根据此前美光公布的财报数据显示，其第二财季DRAM平均价格上涨了10%；NANDFlash的平均价格涨幅超过了30%。同时财报也显示，产品涨价带动了美光的整体毛利率提升了19个百分点。据悉，美光在该季营收、毛利率、净利均大超预期，并成功结束连续五个季度的亏损，扭亏为盈。从各应用领域收入来看，来自数据中心领域的营收增长是最为迅猛，环比增长超过一倍。这主要得益于AI服务器的需求正在推动HBM、DDR5和数据中心SSD的快速增长。这进而也导致了先进的DRAM和NAND的供应处于供不应求当中，对所有存储器和存储终端市场的定价产生了积极的连锁反应。美光在财报中强调：“我们的HBM在2024年销售一空，2025年的绝大多数供应已经分配完毕。我们继续预计HBM比特份额将在2025年的某个时候与我们的整体DRAM比特份额相等。”美光预计，接下来每个季度的芯片价格都会上涨，重申2025财年将实现创纪录的收入，云收入也将呈现季度翻倍增长，同时客户的库存已经减少，急需补充新品。不过需要指出的是，2024财年，美光的业绩增长动力主要还是来自于DRAM和NANDFlash的价格上涨及需求的增长。而HBM所能够为美光带来的营收贡献仍比较有限。美光最新业绩以及业绩展望数据表明，美光已经熬过整个芯片行业周期的最糟糕时期，并且重新走向盈利模式，AI热潮带来的存储需求激增可谓核心驱动力。美光首席执行官SanjayMehrotra在业绩会议上向投资者承诺，2024年将标志着存储行业大幅反弹，2025年则将达到创纪录的销售额水平。但这也意味着美光需要加大产能制造足够数量的HBM存储，这需要与英伟达等AI芯片厂商紧密合作，帮助数据中心运营商们加快AI基础设施建设步伐以及开发更多的人工智能软件。SK海力士：率先扭亏为盈SK海力士是存储巨头中率先实现全公司单季度扭亏的公司。据财报显示，SK海力士2023财年第四季度结合并收入为11.306万亿韩元，营业利润为0.346万亿韩元，成功实现扭亏为盈。SK海力士仅时隔一年就摆脱了从2022年第四季度以来一直持续的营业亏损。SK海力士季度毛利率和净利率表现（图源：SK海力士财报）顺应高性能DRAM需求的增长趋势，SK海力士将顺利进行用于AI的存储器HBM3E的量产和HBM4的研发，同时将DDR5DRAM和LPDDR5TDRAM等高性能、高容量产品及时供应于服务器和移动端市场。对于市况复苏相对缓慢的NAND闪存，SK海力士2023年主要集中于投资和费用的效率化。后续，SK海力士决定通过以eSSD等高端产品为主扩大销售，改善盈利并加强内部管理。除此之外，从铠侠、西部数据以及存储器终端厂商发布的最新财报中也可以看出，各大厂商业绩均迎来较好表现。2024年，存储行业步入上行周期眼下存储芯片最核心的三大应用市场，即手机、PC和服务器，已基本突破了“黑暗期”。同时，以智能汽车、AI为代表的新兴市场的兴起，将在未来推动存储产业的需求进一步增加。从行业角度看，根据TrendForce预测数据，不论是DRAM还是NANDFlash，2024年的整体存储合约均价有望呈现逐季上涨态势，同时通过观察以三星、SK海力士为代表的头部存储厂商近期业绩的环比改善变化，存储行业有望在2024年步入上行周期。有业内人士表示，去年三、四季度是存储大厂减产限制供应所带动的涨价；而如今涨价主要是因为新需求增加所带动的，接下来延续涨价没有悬念。此前韩国公布今年3月份芯片出口额年增35.7%，达到117亿美元，创下2022年3月以来的最佳单月表现。这一数据也显示出，目前半导体市场在经历低谷之后，已经开始逐步反弹。TrendForce集邦咨询的统计显示，今年一季度DRAM芯片价格较前一季度增加约20%，而NANDFlash芯片价格涨幅在23%-28%之间。展望第二季度，TrendForce预估DRA...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1427317.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1427317.htm