三星2年内关停DDR3生产线,产能限制支撑价格看涨-IT之家https://www.ithome.com/0/585/674.htm

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SK海力士将扩大无锡工厂DDR3/4的产能消费级DRAM价格难以反弹TrendForce报告称,SKhynix曾计划将其无锡工厂的主流工艺从1Ynm过渡到1Znm,减少传统工艺的产出。然而,由于美国禁令的限制,该公司转而选择增加其21纳米生产线的份额,专注于DDR3和DDR44Gb产品。SKhynix的长期战略包括将其产能扩张转移回韩国,而无锡工厂则满足中国国内需求和传统工艺的消费类DRAM市场。DDR3和DDR44Gb芯片在SKhynix的整体消费类DRAM出货量中占不到30%。然而,该公司正在扩展其传统生产线,这意味着低密度消费类DRAM的供应将逐渐增加。对台湾供应链的分析显示,南亚、华邦和PSMC(协助IC设计公司生产DRAM)都供应DDR34Gb;只有南亚提供大规模出货的DDR44Gb。三家主要供应商和南亚的DDR34Gb的工艺节点约为20纳米。三星目前同时为DDR44Gb提供20纳米和1X纳米的工艺节点,并计划在2023年下半年过渡到1Z纳米,在工艺结构上处于领先地位。然而,美光不提供这种特定的芯片密度,而SKhynix和南亚都在20纳米左右。总的来说,其他台湾制造商主要专注于DDR3产品,他们的产品节点仍在25纳米。尽管华邦和PSMC正在开发20纳米工艺,但在大规模生产方面,它们仍然落后于其竞争对手。由于早期电视库存的消化,需求略有回升,导致SoC订单小幅增加,但市场仍然面临挑战。汽车需求相对稳定,但市场规模仍然有限,网络通信行业对芯片需求的能见度仍然很低。TrendForce断言,尽管DRAM供应商已经削减了消费类DRAM的产量,但考虑到库存水平,目前的供应和去化状况仍倾向于供过于求。因此,23年第二季度的平均价格应该会下降10-15%。从长远来看,无锡工厂的产量增加可能会给供应商带来额外的压力,使消费类DRAM价格更加难反弹。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1358145.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1358145.htm

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