长江存储推出采用Xtacking 3.0架构的X3-9070 3D NAND闪存

长江存储推出采用Xtacking3.0架构的X3-90703DNAND闪存从1.0到3.0，YMTC的Xtacking技术，一个异构的3D集成架构，已经建立了一个成熟的成功记录，基于XtackingNAND的系统解决方案的多样化组合就是证明，包括SATAIII、PCIeGen3和Gen4SSD，以及用于移动和嵌入式应用的eMMC和UFS，并获得了领先OEM的认可。ForwardInsights的创始人兼首席分析师GregoryWong说："长江存储的专利Xtacking3.0架构的到来是3DNAND扩展竞赛中的一个突破。3DNAND技术的进步对存储器市场的创新至关重要，作为采用这种架构的最先进的闪存，YMTCXtacking3.0X3-9070是一个关键的行业里程碑。在未来，内存单元和逻辑电路的混合键合方式有望成为主流"。以Xtacking3.0为核心，YMTC的第四代3DNAND，即X3-9070，是一种尖端的产品，拥有更高的存储密度，优化的性能，并提高了耐久性、质量和可靠性，符合JEDEC等严格的测试标准。由于最近具体的工艺改进，现在还能以更高的成本效率获得增强的可扩展性。X3-9070的主要特点包括：性能：X3-9070实现了高达2400MT/s的I/O速度，符合ONFI5.0标准，与前一代产品相比，性能提高了50%。位密度：利用Xtacking3.0架构，X3-9070已成为YMTC历史上比特密度最高的闪存产品，在超紧凑的单晶片上实现了1Tb的存储容量。升级的系统级产品体验：创新的6平面设计，每个平面都支持同步多平面独立运行。多重并发和同步并发增强了系统I/O性能，包括顺序和随机访问。与典型的4平面架构相比，新架构的性能可提升50%，而功耗可降低25%，这种系统级的升级可以提高电源效率，使总拥有成本（TCO）更具吸引力。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1334851.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1334851.htm

长江存储 232 层 Xtacking 3.0 闪存 已实现量产

长江存储232层Xtacking3.0闪存已实现量产TechInsights于11月已在致态TiPlus7100系列SSD和海康威视的CC7002TBSSD上发现使用Xtacking3.03DNANDFlash闪存。此举领先于美光、三星和SK海力士等厂商。https://www.techinsights.com/disruptive-event/ymtc-232l-tlc-3d-nand

长江存储秘密开发新闪存 还是232层 但不排除隐藏大招

长江存储秘密开发新闪存还是232层但不排除隐藏大招https://www.cnbeta.com.tw/articles/tech/1397823.htmhttps://www.tomshardware.com/news/chinas-ymtc-xtacking-4.0（英文）下一代的晶栈Xtacking4.0，首批有两个版本，其中X4-9060是128层的TLC，X4-9070是232层的TLC，后续是否还有QLC暂不清楚。———有趣的是，其他的中文媒体在报道后撤稿了https://www.google.com/search?q=%22%E9%95%BF%E6%B1%9F%22+%22Xtacking+4.0%22&tbs=qdr:w

长江存储232层闪存揭秘：设计独特 存储密度世界第一

长江存储232层闪存揭秘：设计独特存储密度世界第一研究显示，长江存储1TbTLC芯片的存储密度已达15.47Gb每平方毫米，1TbQLC更是高达19.8Gb每平方毫米，在两种闪存类型中都无出其右者。两种闪存均基于晶栈3.0架构，数据传输率均为2400MT/s，可以搭配PCIe4.0、PCIe5.0主控，打造旗舰级SSD。不同之处在于，QLC用的是4-plane结构，可以理解为4颗芯片并排放在一起，总长度12.88毫米、宽度4.02毫米，重点优化与缩小核心面积。TLC用的则是6-plane结构，并排放置6颗芯片，追求性能最大化。TechInsights对于长江存储的成就予以了高度评价，尤其是在美国封锁之下，无法获取最新尖端技术和工具，仍然达成了世界最高存储密度，是非常了不起的，进一步凸显了其晶栈架构的优越性。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1393639.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1393639.htm

西数、铠侠宣布218层闪存：技术很像中国长江存储 但有232层

西数、铠侠宣布218层闪存：技术很像中国长江存储但有232层值得一提的是，西数、铠侠开发了新的CBA技术，也就是将CMOS直接键合在阵列之上(CMOSdirectlyBondedtoArray)，每个CMOS晶圆、单元阵列晶圆都使用最适合的技术工艺独立制造，再键合到一起，从而大大提升存储密度、I/O速度。是的没错，妥妥的长江存储晶栈Xtacing3.0技术的既视感。根据官方数据，新闪存的NANDI/O接口传输速度达到3.2Gbps，比上代提升多达60％，同时在写入性能、读取延迟方面改善了20％，整体性能、可用性再上新台阶。再加上工艺、架构方面的革新，成本方面也进一步优化。闪存类型方面，TLC、QLC都可以。不过，西数、铠侠并未透露218层新闪存何时商用，会首先用在哪些产品上。事实上，长江存储去年发布的晶栈3.0闪存就已经做到了232层，还有2400MT/sI/O速度，并应用于致态TiPlus7100SSD系列，但因为你懂的原因没有公开宣传。去年7月份，美光第一家公开了232层闪存，但受市场需求疲软影响，官方称暂时不会商用。随后，SK海力士宣布了238层堆叠，三星一般认为做到了236层。现在看来，NAND闪存这一轮的竞争，西数、铠侠不但速度最慢，反而还是最落后的了。长江存储232层闪存美光232层闪存...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1352187.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1352187.htm

消息：苹果暂缓采购长江存储NAND闪存

消息：苹果暂缓采购长江存储NAND闪存日媒引述消息人士报道，苹果暂缓了从中国新崛起NANDflash存储芯片供货商长江存储科技采购iPhone零部件的计划。据日经中文网报道，多位相关人士接受采访时透露，苹果一直计划在iPhone上采用长江存储科技生产的“NAND型闪存”，但由于地缘政治风险加大和受到美国当局批判，苹果改变了方针。一位相关人员说：“苹果进行了长江存储的产品验证，但开始量产（9月上市的）新款iPhone时，并没有把这些长江存储的存储芯片投入正式量产生产线”。苹果和长江存储科技对此均未发表评论。NANDflash芯片在智能手机、个人计算机及服务器等多种电子产品上都是必须的重要关键零组件。知情人士介绍，长江存储科技的产品虽然比韩国三星电子和美国美光科技落后一到二代，但是是中国企业中最领先拥有最强的技术实力的一家，同时如果采用长江存储芯片，采购成本会比采购世界一流供货商如三星，美光，铠侠要低20％以上。10月7日，美国政府以无法确认产品最终供货客户及用途为由，将长江存储科技列入了限制企业名单（UnverifiedList）。熟悉美国出口管制法律的哈利·克拉克(HarryClarke)律师介绍：“基本上，从清单上的企业采购零部件本身不会受限”，但美国企业如果没有获得批准，任何美国公司无法向这些企业提供设计、技术和档案。发布：2022年10月19日10:56AM