消息称三星酝酿NAND存储晶圆涨价,报价渐趋强硬-IT之家https://www.ithome.com/0/698/562.htm

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低于1.6美元拒绝出货存储巨头或酝酿涨价但买方仍在观望据台湾电子时报昨日消息,在NANDFlash调涨趋势下,大陆存储模组厂近日暂停报价及接单,将配合原厂报价调高8%-10%。尽管买卖双方仍处拉锯阶段,但产业涨价风向愈趋明确,NAND价格逐步朝制造成本线靠拢。值得注意的是,三星内部规划将暂停平泽P1产线,预计将延续至少1个月或更久,该产线主打的便是128层堆叠的第6代V-NAND成熟制程产品。而近一年多以来,三星积极去化的主力就是V6产品,由于V6产能规模庞大,目前库存水位仍有不少,但去化带来成效,也有助于降低短期出货压力。由于存储芯片原厂积极推动去化库存,不时会要求特定存储芯片模组配合拿货。台媒指出,先前曾传出3家大陆模组厂商于二季度与三星签下大单,各家将承接6000万颗512GbIC,将分批在未来6个月内完成拉货,成本价格约在1.45美元。近期NAND涨价传言不断,许多中小型客户均计划趁涨价前再拉低价囤货。随着原厂减产动作发酵,存储芯片模组业者也配合涨价,有助于推动OEM客户重启备货。此外,从存储芯片业界近期释出的信号来看,产业景气确有接近谷底迹象。例如封测厂南茂在2023年下半年展望中明确指出,DRAM订单回温,NAND模组厂也已陆续恢复拉货,2024年有望进入复苏周期。存储芯片控制IC设计厂商慧荣科技也指出,公司第三季营收有望环比增长15%-20%,毛利率则持稳往上。NANDFlash跌幅有望收敛但涨价效应有待继续观察展望第三季,进入传统备货旺季之后,NAND报价跌幅有望进一步收敛。TrendForce便预估,第三季NANDFlash报价将环比下降3%-8%,跌幅收敛。存储芯片厂商则指出,整体而言,存储芯片报价有落底现象,大厂全面启动减产,效应预估第三季开始反应,报价已非全面下跌,HBM在AI风潮带动下,需求大增,价格也不错,预计存储芯片报价于2024年重回上涨周期的概率颇高。不过,存储芯片短期出货有望反弹的预期,有一部分原因来自iPhone15即将上市、其他手机品牌也陆续推出新品。但目前终端需求疲软,iPhone15系列新机虽然将在秋季上市,但最新产业报告预估目标产量大降至7700万台,对电子产业的拉动效果恐不明朗。因此虽然产业链开始暂停报价、拟调涨报价,但买方仍在观望,涨价效应有待继续观察,特别是主流存储芯片报价上涨时间可能有所延后。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1377849.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1377849.htm

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