三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存SK海力士出局而SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。今年2月27日，三星电子官宣成功开发出业界首款36GB12H（12层堆叠）HBM3EDRAM内存。据介绍，HBM3E12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量，相比于8层堆叠的HBM38H，在带宽和容量上提升超过50%。同时相比于8层堆叠，其AI训练速度平均提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。在此前的GTC2024大会上，英伟达正式发布了B200和GB200系列芯片。据黄仁勋介绍，B200拥有2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型，还通过单个GPU提供20petaflops的AI性能。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424907.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424907.htm

在人工智能热潮中 SK海力士酝酿“差异化”HBM内存

在人工智能热潮中SK海力士酝酿“差异化”HBM内存SKHynix高级封装开发主管HoyoungSon以副总裁的身份表示："开发客户专用的人工智能存储器需要一种新方法，因为技术的灵活性和可扩展性变得至关重要。"在性能方面，采用1024位接口的HBM内存发展相当迅速：从2014-2015年的1GT/s数据传输速率开始，到最近推出的HBM3E内存设备，其数据传输速率已达到9.2GT/s-10GT/s。随着HBM4的推出，内存将过渡到2048位接口，这将确保带宽比HBM3E有稳步提升。但这位副总裁表示，有些客户可能会受益于基于HBM的差异化（或半定制）解决方案。HoyoungSon在接受BusinessKorea采访时说："为了实现多样化的人工智能，人工智能存储器的特性也需要变得更加多样化。我们的目标是拥有能够应对这些变化的各种先进封装技术。我们计划提供能够满足任何客户需求的差异化解决方案。"由于采用2048位接口，根据我们从有关即将推出的标准的官方和非官方信息中了解到的情况，许多（如果不是绝大多数）HBM4解决方案很可能是定制的，或者至少是半定制的。一些客户可能希望继续使用内插器（但这一次内插器将变得非常昂贵），而另一些客户则倾向于使用直接接合技术将HBM4模块直接安装在逻辑芯片上，但这种技术也很昂贵。生产差异化的HBM产品需要复杂的封装技术，包括（但肯定不限于）SKHynix的高级大规模回流模塑底部填充（MR-RUF）技术。鉴于该公司在HBM方面的丰富经验，它很可能会推出其他产品，尤其是差异化产品。HoyoungSon说："要实现不同类型的人工智能，人工智能存储器的特性也需要更加多样化。我们的目标是拥有一系列先进的封装技术，以应对不断变化的技术环境。展望未来，我们计划提供差异化的解决方案，以满足所有客户的需求。"...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1422033.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1422033.htm

SK 海力士：12 层堆叠 HBM3E 开发三季度完成 下半年整体内存供应可能面临不足

SK海力士：12层堆叠HBM3E开发三季度完成下半年整体内存供应可能面临不足SK海力士表示，12层堆叠（12Hi）HBM3E内存开发有望三季度完成，而下半年整体内存供应可能面临不足。今年客户主要聚焦8HiHBM3E内存，SK海力士将为明年客户对12HiHBM3E需求的全面增长做好准备。SK海力士预估，如果下半年PC和智能手机需求复苏导致现有库存耗尽，内存市场将面临紧张局势。