英特尔完成世界首台商用High NA EUV光刻机的组装，计划用于推动下一代芯片制造技术

英特尔完成世界首台商用HighNAEUV光刻机的组装，计划用于推动下一代芯片制造技术英特尔在其位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的FabD1X研发晶圆厂完成了世界首台商用HighNA（0.55NA）EUV光刻机的组装。这台型号为TWINSCANEXE:5000的光刻机是ASML的首代产品，价值约3.5亿美元。目前，该光刻机已进入光学系统校准阶段。High-NAEUV光刻机相较于现有的0.33NAEUV光刻机，在一维密度上拥有1.7倍的提升，意味着在二维尺度上可以实现190%的密度提升。这将允许在更精细的尺度上制造半导体，从而继续推动摩尔定律的发展。英特尔计划从2025年的18A新技术验证节点开始，在其先进芯片的开发和制造中同时使用0.55NA和0.33NA的EUV光刻机。线索：@ZaiHuabot投稿：@TNSubmbot频道：@TestFlightCN