中科院上海光机所等在超大容量超分辨三维光存储研究中取得突破
中科院上海光机所等在超大容量超分辨三维光存储研究中取得突破该团队依托于丰厚的研究基础和创新技术方案,基于双光束超分辨技术及聚集诱导发光存储介质,在信息写入和读出均突破了衍射极限的限制,实现了点尺寸为54nm、道间距为70nm的超分辨数据存储,并完成了100层的多层记录,单盘等效容量约1.6Pbit。经老化加速测试,光盘介质寿命大于40年。发表在《自然》(Nature)上。
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