存储芯片价格持续调涨，有望对利基存储器带来需求

存储芯片价格持续调涨，有望对利基存储器带来需求韩国两大存储芯片巨头股价双双走强：三星电子上涨0.62%，本月以来累计涨逾10%；SK海力士上涨5.33%，距离历史新高仅一步之遥。消息面上，三星电子将在今年三季度将服务器用DRAM和企业用NAND闪存价格上调15%至20%。此前，三星电子已在二季度将企业级NAND闪存的价格上调20%以上。随着人工智能的需求激增和对内存竞争的加剧，存储芯片行业业绩有望持续提升。国金证券认为，随着主流存储持续涨价，厂商库存持续消化，资金回笼后重点投向DDR5及HBM等未来需求强劲的领域，将加快退出利基存储市场。需求方面，今年一季度以来，非手机类消费电子特别是家电、耳机、IOT、电子烟等终端需求较快复苏，有望对利基存储器带来需求。（上证报）

野村证券：存储器产业将迎来更严峻的硬着陆

野村证券：存储器产业将迎来更严峻的硬着陆8月23日，野村证券（Nomura）发布报告称，随着市场需求疲软，预计近期存储器产业将迎来更严峻的硬着陆，但需求弹性及减产是潜在的正面催化剂。野村证券认为，科技硬件市场已进入严重衰退，且恶化速度快于整体宏观经济，该产业原本受惠于疫情期间的在家上班需求，但随着各国经济活动重新开放，以及俄乌战争推升通膨及财务负担，该产业趋势急转直下。野村证券表示，由于下游客户正在调整库存，存储器厂商的库存水平正在快速上升，定价权也迅速转移到存储器客户，预期存储器价格将进一步下跌。野村证券先前预期DRAM/NAND价格将在Q3季减10-12%，但现在预计将季减15%，预计Q4再季减15%（先前预计季减10-12%）。由于需求放缓，野村证券预计2022年DRAM出货成长年增5-10%，不如今年稍早预测的年增18%，以及1个月前预测的年增12%；预计NAND需求年增15-20%，不如今年稍早预测的年增30%，以及1个月前预测的年增22%。野村证券预期存储器厂商的库存将在2023年上半年期间达到8-11周。野村证券认为，就供需动态及价格而言，需求弹性及减产是潜在的正面催化剂，建议关注存储器市场的两个潜在拐点，首先是需求反弹，再来是存储器市场进一步恶化随之而来的减产。此前，花旗证券、摩根士丹利证券等投资机构也曾示警，由于需求疲软，将导致下半年存储器价格更快速下滑。花旗证券分析师PeterLee预计，由于Alphabet、亚马逊和微软等公司正在消化库存，前述企业下半年将不会下DRAM新订单。预计第四季度平均售价将较上季度下降17%，此前预期为下降13%。这一变化归因于“近期持续的宏观不确定性”。摩根士丹利证券指出，由于需求疲软，加上厂商与客户端的高库存水位，内存供应链将面临巨大的去库存压力，造成下半年价格将进一步下跌，且严重程度将大过市场预期。（校对/黎雯静）...PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1307865.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1307865.htm

【存储器价格触底反弹：三星Nand Wafer合约价已上调9%-11%】

【存储器价格触底反弹：三星NandWafer合约价已上调9%-11%】华尔街见闻从供应链多个信源处独家获悉，近期存储器市场价格触底回升，三星电子NandWafer合约价已上调9%-11%。智能手机行业已开始进入新一轮加单扩张阶段，PC市场也有所回暖。相应地，存储器价格触底回升。供应链人士还透露，除了三星电子，美光价格也上调了约10%；海力士和长江存储将很快加入涨价行列，#涨幅可能均达10%一线。另据摩根士丹利最新产业报告透露，因中国市场模组与智能手机客户需求增强，NA­ND价格已触底，部分客户已接受30%-35%价格上涨。（作者周源）

Gartner预计2023年全球半导体收入减少11% 存储器收入下降35.5%

Gartner预计2023年全球半导体收入减少11%存储器收入下降35.5%其中，存储器行业正面临产能和库存过剩问题，这将在2023年继续对平均销售价格（ASP）造成巨大的压力。预计2023年存储器市场收入总额为923亿美元，下降35.5%。但该市场将在2024年回升70%。尽管DRAM市场产量保持不变，但该市场将在2023年的大部分时间里由于疲软的终端设备需求以及DRAM厂商的高库存而出现明显的供应过剩。Gartner分析师预测，2023年DRAM市场收入总额为476亿美元，下降39.4%。但该市场将在2024年供不应求，DRAM收入将随着价格的回升而增长86.8%。Gartner预测在接下来的六个月中，NAND市场将面临与DRAM市场类似的状况。疲软的需求和厂商的大量库存将造成供应过剩，导致价格大幅下降。预计2023年NAND市场收入将减少至389亿美元，下降32.9%。但该市场的收入将在2024年由于严重供应短缺而增长60.7%。同时，Gartner分析认为半导体需求呈现明显分化。一方面，个人电脑、平板电脑和智能手机半导体市场的增长正处于停滞。预计2023年这些市场的收入总和为1676亿美元，占半导体收入的31%。另一方面，汽车、工业、军事/民用航空半导体市场将实现增长。预计2023年汽车半导体市场收入为769亿美元，增长13.8%。Gartner预计未来将出现更多但规模更小的终端市场。终端市场将进一步分化，增长将分散到汽车、工业、物联网和军事/航空航天领域的多个不同部门。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1358055.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1358055.htm

韩国科学技术院研发出用于神经形态计算的新型超低功耗存储器

韩国科学技术院研发出用于神经形态计算的新型超低功耗存储器韩国科学技术院（KAIST）（院长Kwang-HyungLee）4月4日宣布，电气工程学院ShinhyunChoi教授的研究团队开发出了下一代相变存储器*设备，具有超低功耗的特点，可以取代DRAM和NAND闪存。相变记忆体指的是一种存储和/或处理信息的存储器件，利用热量将材料的结晶状态改变为非晶态或结晶态，从而改变其电阻状态。现有的相变存储器存在一些问题，如制造高比例器件的制造工艺昂贵，运行时需要大量电力。为了解决这些问题，Choi教授的研究团队开发出了一种超低功耗相变存储器件，它不需要昂贵的制造工艺，而是通过电学方法形成非常小的纳米（nm）级相变丝。这一新研发成果具有突破性的优势，不仅加工成本极低，而且还能以超低功耗运行。DRAM是最常用的存储器之一，速度非常快，但具有易失性，当电源关闭时数据就会消失。存储设备NAND闪存的读/写速度相对较慢，但它具有非易失性特点，即使在电源切断时也能保存数据。图1.本研究开发的超低功耗相变存储器件的图示，以及新开发的相变存储器件与传统相变存储器件的功耗对比。资料来源：韩国科学技术院新兴纳米技术与集成系统研究所另一方面，相变存储器结合了DRAM和NAND闪存的优点，具有高速和非易失性的特点。因此，相变存储器作为可替代现有存储器的下一代存储器备受瞩目，目前正被作为一种存储器技术或模拟人脑的神经形态计算技术而积极研究。然而，传统的相变存储器件在运行时需要消耗大量电能，因此难以制造出实用的大容量存储器产品或实现神经形态计算系统。为了最大限度地提高存储器件运行时的热效率，以前的研究工作主要集中在通过使用最先进的光刻技术缩小存储器件的物理尺寸来降低功耗，但这些研究在实用性方面受到了限制，因为功耗的改善程度微乎其微，而成本和制造难度却随着每次改进而增加。为了解决相变存储器的功耗问题，ShinhyunChoi教授的研究团队创造了一种在极小面积内电形成相变材料的方法，成功实现了超低功耗相变存储器件，其功耗比使用昂贵的光刻工具制造的传统相变存储器件低15倍。ShinhyunChoi教授对这项研究未来在新研究领域的发展充满信心，他说："我们开发的相变存储器件意义重大，因为它提供了一种新颖的方法，可以解决生产存储器件过程中的遗留问题，同时大大提高制造成本和能源效率。我们期待我们的研究成果能成为未来电子工程的基础，实现包括高密度三维垂直存储器和神经形态计算系统在内的各种应用，因为它开辟了从多种材料中进行选择的可能性。我要感谢韩国国家研究基金会和国家纳米实验室中心对这项研究的支持。"4月4日，国际著名学术期刊《自然》（Nature）4月刊发表了这项研究的论文，KAIST电气工程学院博士生See-OnPark和博士生SeokmanHong作为第一作者参与了这项研究。编译自:ScitechDaily...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1426588.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1426588.htm

研究人员开发出一种新型相变存储器 结合DRAM和NAND的优点

研究人员开发出一种新型相变存储器结合DRAM和NAND的优点DRAM速度快但易挥发，这意味着当电源被切断时（比如当你关闭电脑时），存储在其中的数据就会消失。而NAND闪存（如固态硬盘中使用的闪存）即使断电也能保留数据，但速度又明显慢于DRAM。PCM既快又不会丢失数据，但传统上制造成本高，耗电量大（将相变材料熔化成非晶态需要热量，这就影响了能效）。早期解决高功耗问题的方法主要是通过尖端光刻技术缩小整个设备的物理尺寸。但改进效果微乎其微，而且在更小的技术上制造所增加的成本和复杂性也不合理。ShinhyunChoi教授和团队设计了一种方法，只缩小直接参与相变过程的元件，从而制造出可相变的纳米丝。与使用昂贵的光刻工具制造的传统相变存储器相比，这种新方法将功耗降低了15倍，而且制造成本也低得多。新型相变存储器保留了传统存储器的许多特性，如速度快、开/关比率大、变化小以及多级存储器特性。Choi说，他们希望研究成果能成为未来电子工程的基础，并能惠及高密度三维垂直存储器、神经形态计算系统、边缘处理器和内存计算系统等应用。该团队的研究成果发表在本月早些时候出版的《自然》杂志上，论文标题为《通过相变自约束纳米丝实现相变记忆》：https://www.nature.com/articles/s41586-024-07230-5...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1428539.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1428539.htm