美光西安封装和测试工厂扩建项目破土动工

美光西安封装和测试工厂扩建项目破土动工美光今日(27日)宣布其位于西安的封装和测试新厂房已正式破土动工，进一步强化了公司对中国运营、客户及社区的不懈承诺。美光还在奠基仪式上宣布，公司将在西安建立美光首个封装和测试制造可持续发展卓越中心(CoE)。美光于2023年6月宣布在西安追加投资43亿元人民币，其中包括加建这座新厂房，引入全新产线，制造更广泛的产品解决方案，包括但不限于移动DRAM、NAND及SSD，从而拓展西安工厂现有的DRAM封装和测试能力。新厂房预计将于2025年下半年投产，并根据市场需求逐步增产。新厂房落成后，美光西安工厂的总面积将超过13.2万平方米。——

美光中国新工厂破土动工 承诺在华追加投资 43 亿元

美光中国新工厂破土动工承诺在华追加投资43亿元3月27日上午，全球半导体企业美光科技股份有限公司（以下简称“美光”）在西安高新区举办了新厂房的奠基仪式，合作方赠送的鲜花排成了一条长龙。“我们将坚定不移扎根中国、投资中国、回馈中国社会。”美光的全球CEO桑杰・梅赫罗特拉（SanjayMehrotra）说。美光入华20多年，落户西安18年，已先后四次投资西安，建设了芯片的模组工厂、封装和测试工厂，总投资接近110亿元。当日，美光承诺向中国追加43亿元投资。据桑杰・梅赫罗特拉介绍，美光将在当地进行资金的投入、技术的引领，以带动就业、帮助减碳、捐助弱势群体。（经济观察报）

美光拟10年投资150亿美元 在美国新建内存芯片工厂

美光拟10年投资150亿美元在美国新建内存芯片工厂美国当地时间周四，美光宣布将在未来10年投资约150亿美元，在爱达荷州博伊西新建一家内存芯片制造工厂。美光表示，这将是20年来在美国本土新建的首家内存芯片制造厂，也是爱达荷州有史以来最大的私人投资项目。该公司预计，这项投资计划将在2030年前总共创造1.7万个就业机会，其中该公司将直接创造2000个岗位。美光在新闻稿中称，这项投资确保了DRAM（动态随机存取存储器）和NAND闪存的美国国产化。此前，这类芯片大部分产自亚洲。新设施生产的内存将用于汽车、数据中心、人工智能（AI）和5G等领域。这项投资决定是在美国总统乔·拜登（JoeBiden）签署《芯片法案》之后做出的，美光称爱达荷州提供的激励措施也发挥了重要作用。美光首席执行官桑贾伊·梅赫罗特拉（SanjayMehrotra）表示：“我们新的尖端内存芯片制造工厂将推动美国争取技术领先地位，确保可靠的国内半导体供应，这对经济和国家安全至关重要。”拜登总统在声明中说：“美光此举代表着美国的又一大胜利，我们将在美国制造电动汽车、芯片、光纤和其他关键部件。”美光没有提供新工厂产能或将生产的芯片类型等细节。此次扩张正值美光因需求疲软而下调其第四季度营收预期之际，其竞争对手同行希捷也大幅下调了第一财季的预期。市场研究机构SummitInsightsGroup分析师KinngaiChan表示：“美光正在按照美国政府希望的方式行事，那就是在美国建造制造工厂。”美光计划在2030年前投资400亿美元，分多个阶段在美国建设制造设施，以支持其在美国弗吉尼亚州、日本、新加坡等地的工厂。这项计划估计总共可创造4万个就业机会。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1311545.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1311545.htm

现代汽车佐治亚州工厂将于本月破土动工

现代汽车佐治亚州工厂将于本月破土动工韩国汽车制造商现代在10月14日表示，其投资规模达55亿美元的美国电动汽车和电池工厂将于本月破土动工。10月25日，现代汽车集团在佐治亚州萨凡纳（Savannah）的“metaplant”项目将破土动工，这是现代集团“在2025年前投入100亿美元促进美国的未来交通，包括生产电动汽车”承诺的一部分。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1327861.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1327861.htm

拜登亲自站台 英特尔大型美国芯片工厂破土动工

拜登亲自站台英特尔大型美国芯片工厂破土动工北京时间9月10日消息，当地时间周五，芯片巨头英特尔公司造价200亿美元的新半导体工厂破土动工，这是在最近通过的《芯片与科学法案》支持下首批开建的美国国内芯片制造工厂之一。为此，美国总统拜登也在周五前往俄亥俄州为英特尔站台庆祝。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1314585.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1314585.htm

英特尔回应 200 亿美元芯片制造项目延期：一号工厂已动工，施工进度稳定推进

英特尔回应200亿美元芯片制造项目延期：一号工厂已动工，施工进度稳定推进近日，有媒体报道称英特尔将推迟美国俄亥俄州200亿美元芯片制造项目的建设时间表，原因是市场面临挑战，同时美国政府补助资金发放缓慢，导致英特尔最初计划明年在俄亥俄州启动建设的两座芯片制造厂，预计要到2026年底才能完成。今日，英特尔方面就此事回应新浪科技表示，“英特尔俄亥俄州项目自2022年底破土动工，施工一直在持续进行以推进工厂及其配套设施的建设。其中，俄亥俄州项目一号工厂已提前动工，目前施工进度正在稳定推进。”“正如我们在2022年1月宣布选址时所说，英特尔在俄亥俄州的扩建范围及速度可能受多种条件的影响。通常半导体生产设施的建设时长为破土动工后的3-5年，具体时长将取决于一系列因素。”英特尔表示。（新浪科技）