宽禁带半导体:后摩尔时代超车绝佳赛道?

宽禁带半导体:后摩尔时代超车绝佳赛道?摩尔定律已逼近物理极限。“卷不过”就换赛道,宽禁带半导体成为后摩尔时代半导体发展的“蹊径”之一,而在这一领域,国内企业有望实现弯道超车。宽禁带半导体是指禁带宽度在2.3eV及以上的半导体材料,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表,也称“第三代半导体”。PC版:https://www.cnbeta.com/articles/soft/1328333.htm手机版:https://m.cnbeta.com/view/1328333.htm

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