CPU首次整合内存 华硕展示“超新星SoM”封装技术实物

CPU首次整合内存华硕展示“超新星SoM”封装技术实物现在,华硕在CES上展示了这一技术的实物。从实物照片来看,超新星SoM封装技术将占用主板面积从60x50毫米缩小到44.7x42毫米,从而节省了38%的核心区域空间。同时,“超新星SoM”封装缩短了CPU、内存之间的距离,让内存频率提高到了7647MHz,相比标准的6000MHz读写性能提升20%,3D渲染速度提升1.7倍,视频编辑速度提升2.4倍。再配合超大面积VC均热板、液态金属散热材质,高性能模式下可以实现155W的整机性能释放。据悉,“超新星SoM”封装技术将首先在灵耀XUltra上搭载。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1338359.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1338359.htm

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华硕发布灵耀X Ultra顶级轻薄本:CPU内存合体、16.9mm硬塞RTX4080

华硕发布灵耀XUltra顶级轻薄本:CPU内存合体、16.9mm硬塞RTX4080它将笔记本内部传统上各自独立的CPU处理器、内存芯片、通信模块整合在一起,占用面积从60x50毫米缩小到44.7×42毫米,节省了38%之多,为更高端显卡留下更充裕的空间。SoM设计还有两个好处,一是提高整体散热效率,配合超大面积3D曲面VC均热板、液态金属散热材质,高性能模式下可以实现155W的整机性能释放。二是缩短了CPU、内存之间的距离,LPDDR5X内存频率可达7647MHz,读写性能提升20%,3D渲染速度提升1.7倍,视频编辑速度提升2.4倍。处理器是i9-13905H,13代酷睿H45系列的高端型号,6P+8E14核心20线程,三级缓存24MB,睿频最高5.4GHz,默认基础功耗45W。显卡标配RTX4080,7424个CUDA核心,搭配192-bit12GBGDDR6显存,支持光线追踪、DLSS3。灵耀XUltra整机厚度控制在了仅仅16.9毫米,6000系航空铝合金材质,CNC一体成型与钻石切割工艺。AASUltra风洞散热结构,开盖后C面的键盘区域会自动抬升7度,不仅操作体验更符合人体工学,还可以增加30%的气流。B面是16英寸的OLED华硕好屏,3.2K分辨率,16:10黄金比例,响应时间低至0.2ms,120Hz高刷,550nits峰值亮度,100%P3广色域与四种专业色域切换,ΔE<1超高色准,潘通色彩认证,逐台校色,DisplayHDRTrueBlack500认证,杜比视界,TUV低蓝光护眼认证。还可选ASUSPen2.0触控笔,4096级压感。C面键盘为全尺寸设计,支持单键WRGB交互式背光。华硕独家数字触控板,可切换为数字小键盘,6.9英寸的面积也增大了84%。独创ASUSDial华硕旋钮,多种参数可以一手调节。4麦克风、6扬声器设计,哈曼卡顿音效,SmartAMP智能功放,3.5倍音量。其他方面,内存最大32GB,硬盘最高PCIe4.02TB(读取速度约7GB/s),电池电量96Whr,接口提供两个雷电4、HDMI2.1、SDExpress7.0读卡器等。价格稍后公布,大家使劲猜……...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1356409.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1356409.htm

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AMD计划把内存堆在CPU上 主板插槽都省了

AMD计划把内存堆在CPU上主板插槽都省了一种方式是CPU计算模块、DRAM内存模块,并排封装在硅中介层上,而另一种方式就是在计算模块上方直接堆叠内存模块,有点像手机SoC。AMD表示,这种设计可以让计算核心以更短的距离、更高的带宽、更低的延迟访问内存,而且能大大降低功耗,2.5D封装可以做到独立内存功耗的30%左右,3D混合键合封装更是仅有传统的1/6。如果堆叠内存容量足够大,主板上的DIMM插槽甚至都可以省了。当然,AMD的这种设想仅面向服务器和数据中心领域,桌面上不会这么做,否则就无法升级了。AMD甚至考虑在Instinct系列加速卡已经整合封装HBM高带宽内存的基础上,在后者之上继续堆叠DRAM内存,但只是一层,容量不会太大。这样的最大好处是一些关键算法内核可以直接在整合内存内执行,而不必在CPU和独立内存之间往复通信传输,从而提升性能、降低功耗。另外,AMD还设想在2D/2.5D/3D整合封装芯片的内部,除了CPU+GPU混合计算核心,还集成更多模块,包括内存、统一封装光网络通道物理层、特定域加速器等等,并引入高速标准化的芯片间接口通道(UCIe)。尤其是引入光网络通道,可以大大简化网络基础架构。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1345789.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1345789.htm

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集成16GB LPDDR5X内存 Intel酷睿Ultra颠覆笔记本

集成16GBLPDDR5X内存Intel酷睿Ultra颠覆笔记本Intel在最新一篇介绍EMiB、Foveros封装技术的文章中,展示了整合内存芯片的酷睿Ultra。从图中可以看到,这种特殊的酷睿Ultra除了常规的四个Tile模块小芯片,还在一旁加入了两颗内存芯片,共用一个基板,外围的金属边框也因此去掉了一边。通过编号识别确认,内存芯片来自三星,类型LPDDR5X,频率7500MHz,容量单颗8GB,共计16GB。酷睿Ultra仅限用于笔记本,预计包括H、P、U系列,这次展示的应该是U系列,可能也有P系列,面向轻薄本,可以省掉内存模组,从而节省笔记本内部空间,可以塞入更大的电池而延长续航,甚至加入更强的独立显卡。值得一提的是,华硕灵耀XUltra就用过这种设计,与Intel联合设计的全新封装技术“SOM”,将处理器与两颗内存芯片整合封装。酷睿Ultra的这种做法,显然就是由此延伸而来的。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1382335.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1382335.htm

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全球最快LPDDR5T内存登场 全大核CPU架构天玑9300完成性能验证

全球最快LPDDR5T内存登场全大核CPU架构天玑9300完成性能验证LPDDR5、LPDDR5X内存标准大家都很熟悉了,已经得到广泛应用。LPDDR5T则是由SK海力士在今年1月份提出来的,其中的T代表“Turbo”(加速),数据传输率可达9.6Gbps,相比于LPDDR5X8533MHz又提升了13%,是迄今速度最快的移动DRAM内存。更关键的是,LPDDR5T仍然运行在JEDEC组织规定的1.01-1.12V超低电压范围内,并且采用先进的1αnm(第四代10nm级别)工艺制造,从而实现高性能和低功耗的兼容。下一代移动内存标准LPDDR6预计要到2026年之后才会推出,产品落地商用还需要一段时间,因此在接下来的几年时间里,LPDDR5T有望挑起移动旗舰平台的大梁。早在今年2月,SK海力士就向客户提供了LPDDR5T内存样品,采用多芯片整合封装,单颗容量多达16GB,每秒可传出处理77GB数据,相当于15部1080p全高清电影。联发科历代旗舰移动芯片对于内存规格的支持都是顶级,支持最新最先进LPDDR5T内存的天玑9300势必再次引领行业。天玑9300CPU将采用“全大核”这种大胆、创新的架构设计,最直接的好处是性能极高,再搭配超高频率的LPDDR5T内存,可谓如虎添翼,足以让旗舰手机性能再上一个台阶。相信即将到来的天玑9300不会让我们失望。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1376239.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1376239.htm

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SK Hynix计划将GPU和内存半导体整合到单一封装中

SKHynix计划将GPU和内存半导体整合到单一封装中据说SK海力士已经聘请了相当数量的逻辑半导体设计专家,这在一开始是没有意义的,因为该公司只专注于内存,但从今天的发展来看,SK海力士似乎想在半导体市场上有所作为。是什么促使SK海力士"迅速"改变生态系统呢?在当前的产品中,HBM等先进的内存半导体通过尽可能紧密地与逻辑半导体GPU芯片相连来提高效率。单个计算通过专用芯片分离,从广义上讲,这确实是一种低效方法。像CoWoS这样的封装技术可以在半导体之间架起一座桥梁。然而,某种"差距"依然存在,现在,人们打算将内存和逻辑半导体集成到一块芯片中,以满足这种需求。至于SK海力士为何希望如此实现,其实很简单。目前,半导体生态系统的秩序分为芯片设计(无晶圆厂)、委托生产(代工厂)和内存/逻辑。这不仅涉及每个生产流程的精密设备,而且在大多数情况下,这些工作必须外包给专门从事各自开发阶段的不同公司。这背后的一个主要弊端就是"增加"了对单个公司的依赖,这在近代表现为大量订单积压,从而拖慢了整个零售过程。由于英伟达等公司打算加快从制造到交付的过程,因此减少相互之间的依赖是实现最终目标的首要因素。图片来源:MordorIntelligence目前还没有透露SKHynix计划如何将逻辑和内存半导体集成到单个封装中,但有消息称,SKHynix正在与包括英伟达在内的几家全球无晶圆厂公司讨论HBM4的设计方法。我们可能会看到相关公司的某种"联合设计",这将成为计算性能方面的一个突破,并加快整个制造过程,而这正是现代的一个重要需求。根据历史经验,缩小工艺流程被认为是实现世代进步的唯一途径,摩尔定律也验证了这一点,但现在看来,未来并不完全依赖于此。据说,如果公司能够实现上述想法,半导体/内存行业将出现"百万吨级的浪潮",可以跨越当前世代限制所定义的所有界限。未来对每个人来说都充满希望,各公司如何为实现下一代性能铺平道路将令人激动。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1398391.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1398391.htm

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AMD官宣EXPO技术:DDR5内存一键超频 性能白捡11%

AMD官宣EXPO技术:DDR5内存一键超频性能白捡11%锐龙7000系列正式发布的同时,AMD也终于证实并宣布了针对DDR5内存的独家超频技术“EXPO”,全称为“AMDExtendedProfilesforOverclocking”。在内存超频技术上,IntelXMP一直都是行业标准,XMP1.0、2.0、3.0三种版本分别对应DDR3、DDR4、DDR5,但由于平台限制,只有搭配Intel酷睿处理器才能完整支持,AMD锐龙平台只能由主板厂商变相提供一些支持,自然无法充分释放内存性能潜力。AMDEXPO对标的就是IntelXMP3.0,搭配锐龙7000处理器、AM5600系列主板,实现对DDR5内存的一键超频,并提供完整的超频参数设定,玩家可以自由调节。官方号称,EXPO技术可以在1080p分辨率下获得最高11%的性能提升,同时延迟降低到大约63ns。AMD还强调,EXPO技术完全免费授权,不会向主板、内存厂商收取任何费用。目前已支持AMDEXPO技术的内存品牌包括威刚、海盗船、金邦、芝奇、金士顿,首发就会推出至少15款产品,预设频率最高6400MHz。PC版:https://www.cnbeta.com/articles/soft/1310409.htm手机版:https://m.cnbeta.com/view/1310409.htm

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