Intel将冲击1nm工艺：用上下一代EUV光刻机

Intel将冲击1nm工艺：用上下一代EUV光刻机Intel的5代CPU工艺分别是Intel7、Intel4、Intel3、Intel20A及Intel18A，其中Intel7在2021年的12代酷睿上首发了，Intel4会在下半年的14代酷睿上首发，还会首次用上EUV光刻工艺。Intel3是Intel4的改良版，Intel20A及之后的18A则是重大升级，相当于友商的2nm、1.8nm节点，将在2024年上半年及下半年量产，2025年将重新夺回半导体工艺的领导地位。再往后呢？Intel目前的路线图上没有提到新的工艺，不过最新消息称Intel已经启动了未来两代工艺的定义及研发，但没有明确的信息。根据IMEC之前公布的芯片工艺路线图来看，2nm工艺之后是14A，也就是1.4nm工艺，预计2026年问世，再往后就是A10工艺，也就是1nm，2028年问世。Intel要研发的未来两代工艺应该也是1.4nm、1nm级别的，具体的命名还要等官方确定，毕竟时间还早。2nm以后的工艺还要升级装备，当前的EUV光刻机届时效率也不高了，ASML预计会在2026年推出HighNA技术的下一代EUV光刻机EXE:5000系列，将NA指标从当前的0.33提升到0.55，进一步提升光刻分辨率。不过下代EUV光刻机的成本也会大涨，当前售价在1.5亿美元左右，下代价格轻松超过4亿美元。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1343831.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1343831.htm

ASML：所有EUV客户均订购了下一代高NA极紫外光刻机 单价翻番到26亿

ASML：所有EUV客户均订购了下一代高NA极紫外光刻机单价翻番到26亿ASML（荷兰阿斯麦）正抓紧研制其下一代高NA（0.55数值孔径）的EUV极紫外光刻机，在发布最新财报期间，AMSL透露，其存量EUV客户均订购了新一代设备。具体来说，在Intel和台积电之后，三星、SK海力士、美光等也下单高NAEUV光刻机了。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1329261.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1329261.htm

专家：特斯拉 FSD 入华已是万事俱备

专家：特斯拉FSD入华已是万事俱备2024年年初，特斯拉CEO马斯克在社交平台上公开表示，特斯拉方面将积极推进FSD在华落地。今年4月底，马斯克访华则进一步激发外界猜测。同时，特斯拉通过数据安全检测的通报发布，国产Model3/Y均符合汽车数据安全合规要求。同济大学汽车学院教授、汽车安全技术研究所所长朱西产认为：“特斯拉FSD在解决数据安全问题后，入华已是万事俱备。”（每经）

2nm芯片研发遭遇瓶颈：没ASML下一代NA EUV光刻机搞不掂

2nm芯片研发遭遇瓶颈：没ASML下一代NAEUV光刻机搞不掂在业内，比Intel、台积电、三星还要早就能接触到ASML光刻机新品的是比利时微电子研究中心（IMEC），虽然名气不大，但其实它是世界上最大的半导体专门研究机构。因为离得近，ASML的原型试做机，往往在完工后就第一时间送交IMEC评估尝鲜。日前，IMEC首席执行官LucVandenhove在公开路线图时表示，当前的EUV光刻设备其实可以响应到2nm的微缩水平，不过，想要超越，必须要靠下一代高NAEUV光刻机。他督促ASML在未来3年内，全力投产高NA光刻机。所谓高NA也就是光刻机的透镜和反射镜数值孔径达到0.55，进而增加光刻分辨率，以便制备更精密的为电路图像。当前的EUV光刻机均停留在0.33的水平。一切顺利的话，ASML会在明年推出其首款高NAEUV光刻机，Intel、三星和台积电都争相第一时间部署进厂，其中Intel下手最快。这款光刻机价值高达4亿美元（约合26亿元人民币），组装好的体积有双层巴士大、重超200吨。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1302961.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1302961.htm

英特尔完成世界首台商用High NA EUV光刻机的组装，计划用于推动下一代芯片制造技术

英特尔完成世界首台商用HighNAEUV光刻机的组装，计划用于推动下一代芯片制造技术英特尔在其位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的FabD1X研发晶圆厂完成了世界首台商用HighNA（0.55NA）EUV光刻机的组装。这台型号为TWINSCANEXE:5000的光刻机是ASML的首代产品，价值约3.5亿美元。目前，该光刻机已进入光学系统校准阶段。High-NAEUV光刻机相较于现有的0.33NAEUV光刻机，在一维密度上拥有1.7倍的提升，意味着在二维尺度上可以实现190%的密度提升。这将允许在更精细的尺度上制造半导体，从而继续推动摩尔定律的发展。英特尔计划从2025年的18A新技术验证节点开始，在其先进芯片的开发和制造中同时使用0.55NA和0.33NA的EUV光刻机。线索：@ZaiHuabot投稿：@TNSubmbot频道：@TestFlightCN

东进世美肯计划研发新一代极紫外光刻胶

东进世美肯计划研发新一代极紫外光刻胶相关媒体在报道中表示，东进世美肯研发高数值孔径极紫外光刻机投产后所需的光刻胶，是为了满足阿斯麦这一类极紫外光刻机大量投产之后的需求。阿斯麦高数值孔径的极紫外光刻机，是他们在推出TWINSCANNXE:3400C、TWINSCANNXE:3600D等多个型号的极紫外光刻机之后，所研发的新一代产品，将沿用EXE系列的命名，已有TWINSCANEXE:5000和TWINSCANEXE:5200两个型号。阿斯麦高数值孔径的极紫外光刻机，数值孔径将由0.33增至0.55，用于2nm及以下的制程工艺，首台交由客户用于制程工艺研发的产品，计划在今年年底出货，用于大规模生产的，预计2025年开始在客户的工厂全面投入运营。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1367465.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1367465.htm