镓、锗等半导体关键材料出口管制 台积电回应:没有任何直接影响

镓、锗等半导体关键材料出口管制台积电回应:没有任何直接影响在台积电之前,欧洲的芯片巨头英飞凌也针对此事做出了回应,认为中国对镓和锗的相关出口管制目前不会对公司的原材料供应和制造能力产生重大影响。根据美国地质调查局(USGS)公布的数据,目前全球金属镓的储量约为27.93万吨,而中国的储量最多,达到19万吨,占全球储量的68%左右。相比之下,美国的储量还不到中国的1/40,只有0.45万吨。从产量来看,中国产量占比全球镓产量最高。德国和哈萨克斯坦分别于2016年和2013年停止了镓生产,不过2021年德国宣布将在年底前重启初级镓生产,匈牙利和乌克兰分别于2015年和2019年停止镓生产。目前中国镓占比全球镓产量持续提升,截止2021年,占比全球镓产量已超90%。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1369537.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1369537.htm

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镓、锗等半导体关键材料出口管制 欧洲芯片巨头英飞凌回应:目前影响不大

镓、锗等半导体关键材料出口管制欧洲芯片巨头英飞凌回应:目前影响不大欧洲的芯片巨头英飞凌也针对此事做出了回应,认为中国对镓和锗的相关出口管制目前不会对公司的原材料供应和制造能力产生重大影响。公司采取的多方采购策略包括不同地域的供应商,但“负责确保原材料供应的采购团队正持续关注事态发展”。根据美国地质调查局(USGS)公布的数据,目前全球金属镓的储量约为27.93万吨,而中国的储量最多,达到19万吨,占全球储量的68%左右。相比之下,美国的储量还不到中国的1/40,只有0.45万吨。从产量来看,中国产量占比全球镓产量最高。德国和哈萨克斯坦分别于2016年和2013年停止了镓生产,不过2021年德国宣布将在年底前重启初级镓生产,匈牙利和乌克兰分别于2015年和2019年停止镓生产。目前中国镓占比全球镓产量持续提升,截止2021年,占比全球镓产量已超90%。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1369097.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1369097.htm

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中国商务部决定对镓、锗相关物项实施出口管制 全球半导体产业将受影响

中国商务部决定对镓、锗相关物项实施出口管制全球半导体产业将受影响众所周知,以上相关镓类物项和锗类物项大都属于重要的化合物半导体材料,而金属镓、金属锗、区熔锗锭、锗外延生长衬底则属于制备镓类或锗类相关化合物半导体所须的材料。作为全球金属镓、金属锗储量及产量最大的国家之一,中国此次对镓、锗相关物项实施出口管制,无疑将会对全球的半导体产业造成重大影响。具体对镓、锗相关物项资料,由芯智讯整理如下:金属镓金属镓是一种稀有的蓝色或银白色的金属,其产品熔点很低,但沸点很高,是一种性能优良的电子原材料,下游应用领域广泛,主要应用于制作光学玻璃、真空管、半导体的重要原料。根据美国地质调查局(USGS)公布的数据,目前全球金属镓的储量约为27.93万吨,而中国的储量最多,达到19万吨,占全球储量的68%左右;相比之下,美国的储量还不到中国的1/40,只有0.45万吨。从产量来看,中国产量占比全球镓产量最高。德国和哈萨克斯坦分别于2016年和2013年停止了镓生产。(2021年德国宣布将在年底前重启初级镓生产),匈牙利和乌克兰分别于2015年和2019年停止镓生产,中国镓占比全球镓产量持续提升,截止2021年,占比全球镓产量已超90%。氮化镓氮化镓是近年来比较热门的第三代化合物半导体材料。相对于传统的硅(Si)和砷化镓(GaAs)半导体材料,氮化镓具有许多优点,例如高电子流动率、高饱和漂移速度、高电子密度和高热导率。这些特性使氮化家在高功率电子器件(比如快充充电器)、高速光电子器件、高亮度发光二极管(LED)和高效能太阳能电池等领域有广泛应用。此外,氮化家还被用于制造紫外线激光器、无线电通信设备、医疗器械等。氮化镓氧化镓则是一种“超宽禁带半导体”材料,也属于“第四代半导体”,与第三代半导体碳化硅、氮化镓相比,氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV,高于碳化硅的3.2eV和氮化镓的3.39eV,更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能量从价带跃迁到导带,因此氧化镓具有耐高压、耐高温、大功率、抗辐照等特性。并且,在同等规格下,宽禁带材料可以制造diesize更小、功率密度更高的器件,节省配套散热和晶圆面积,进一步降低成本。值得注意但是,在2022年8月,美国商务部产业安全局(BIS)对第四代半导体材料氧化镓和金刚石实施出口管制,认为氧化镓的耐高压特性在军事领域的应用对美国国家安全至关重要。此后,氧化镓在全球科研与产业界引起了更广泛的重视。磷化镓磷化镓是由元素镓与元素磷合成的Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体,常温下其纯度较高的为橙红色透明固体。磷化镓是制作半导体可见发光器件的重要材料,主要用作制造整流器,晶体管、光导管、激光二极管和致冷元件等。磷化镓和砷化镓是具有电致发光性能的半导体,是继锗和硅之后的所谓第三代半导体。与砷化镓不同,磷化镓是一种间接带隙材料。当引入能形成等电子陷阱的杂质后,其发光效率会大大提高,并且能根据引入杂质的不同而发出不同颜色的光来。例如在磷化镓中掺入氮则发绿Chemicalbook光,掺入锌-氧对则发红光,因此磷化镓是制作可见光发光二极管和数码管等光电显示器件的重要材料,此外还可用来制作光电倍增管、光电存储器、高温开关等器件。砷化镓砷化镓是当前主流的第二代化合物半导体材料之一。其具有高频率、高电子迁移率、高输出功率、高线性以及低噪声等特点,在光电和射频领域有着非常广泛的应用。比如,砷化镓可以用来制作LED(发光二极管),主要是黄光、红光和红外光(氮化镓禁带更宽,主要用来发蓝光、绿光和紫外光),具有效率高、器件结构精巧简单、机械强度大、使用寿命长等特点。如果砷化镓作为发光材料,加上泵浦源和谐振腔,即可选频制成激光器。典型应用就是VCSEL(垂直腔表面发射激光器),广泛应用在短距离数据中心光纤通信,结构光/TOF人脸识别等。另外,砷化镓的电子迁移率是硅的五倍,HBT的Ft高达45GHz,0.25umEmodepHEMT的Ft更是高达70GHz,因此砷化镓非常适合设计Sub-7GHz的射频器件。蜂窝和WLANPA也常用砷化镓HBT设计;开关、LNA等则采用砷化镓pHEMT工艺。铟镓砷铟镓砷是一种III-V族半导体,具有晶格匹配性好、带隙可调节、大尺寸产品均匀性好等优点,是第四代半导体材料,也是新一代红外发光材料,在光电芯片、红外探测器、传感器等领域拥有巨大应用价值。在光电芯片领域,为制造体积更小、功能集成度更高的晶体管,传统硅材料已无法满足需求,砷化铟镓可达到此要求。在红外探测器领域,砷化铟镓可用作短波红外光电材料,制造短波红外探测器,也可以与其他III-V族半导体相配合制备超晶格材料,例如以磷化铟为衬底,外延生长砷化铟镓,制备得到InP/InGaAs超晶格,此材料稳定性高、均匀度高,以其为敏感材料制造而成的红外探测器,具有高灵敏度、高可靠性、低功耗、低成本等优点,可以广泛应用在智能驾驶、安防监控、仪器仪表等领域。在传感器领域,由于砷化铟镓灵敏度高,可制造InGaAs红外扫描相机,是OCT(光学相干断层扫描)的关键组成部分,可提高人体组织穿透性,并实现高速成像。OCT是新型医学影像技术,在生物组织活体检测与成像方面效果显著,在临床上可以广泛应用在眼科、牙科、皮肤科、癌症早期诊断等方面,是医疗领域重要疾病诊断技术之一,此外也可以应用于工业测量领域。硒化镓硒化镓是一种重要的二元半导体,它具有各向异性、较宽的带隙、新奇的光学和电学性质等特性。这使得硒化镓在太阳能电池、光探测器及集成光电子器件等领域有很好的应用前景。另外,由于硒化家晶体具有优异的抗干扰性能和低损耗性能,它可以用于高精度技术应用,如高精度电子仪器、电气控制系统和光学系统。此外,硒化家晶体还具有优异的耐腐蚀性和低氧化性,可以用于各种酸性和碱性腐蚀性环境中的应用,是一种优良的精密机械制造材料。锑化镓锑化镓属于III-V族化合物窄带隙半导体,外观为灰白色晶体状,为立方晶系、闪锌矿结构。锑化镓是第四代半导体材料中窄带隙半导体的代表性产品之一,具有电子迁移率高、功耗低的特点,其禁带宽度可以在较宽的范围内进行调节,在中长波红外波段探测性能优异。锑化镓常用作衬底材料,可以广泛应用在红外探测器、激光器、发光二极管、光通信、太阳能电池等行业中。在光通信中,波长越长的光在传输过程中损耗越低,工作波长2-4μm的非硅材料光传输损耗更低,锑化镓可以工作在此波段范围内,并且能够与其他III-V族材料晶格常数相匹配,制得的GaSb/GaInAsSb等产品光谱范围符合光通信的低损耗要求。据了解,发展锑化物半导体材料是整个光通讯领域中核心技术发展的战略方向之一。锑化镓半导体主要应用于光纤通讯的发射基站,其传输信号的频率可以达到300赫兹以上。锑化镓(锑化物半导体材料)未来在6G等应用上,可能是不可替代的传输载体。在红外探测器领域,锑化镓凭借光谱覆盖范围宽、频带宽度可调节的优势,以其为衬底制备的二类超晶格材料例如InAs/GaSb探测性能优异、成像质量高,可制造高性能红外焦平面成像阵列,特别是在中红外探测器制造中具有不可替代性,而红外焦平面成像阵列具有多色、大面阵、功能集成化的特点,是第三代红外探测器。除此之外,锑化镓在太阳能电池中也有巨大应用价值。2017年7月,美国乔治华盛顿大学与其他科研机构、高校...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1368771.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1368771.htm

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台积电:中国大陆限制镓锗不会对生产造成直接影响

台积电:中国大陆限制镓锗不会对生产造成直接影响全球最大芯片代工厂商台积电星期四(7月6日)预计,中国大陆限制两种广泛用于半导体和电动汽车的金属镓、锗出口的决定不会对其生产造成任何直接影响。根据路透社报道,台积电在一份电子邮件声明中作出上述预计。声明还说:“我们将继续密切关注形势”,但没有再进一步详细说明。台积电在台北上市的股票周四继续下跌,收跌2.9%,拖累台股大盘表现。中国大陆商务部和海关总署星期一(7月3日)发布公告,从8月1日起,将对镓、锗相关物项实施出口管制,理由是“维护国家安全和利益”。镓和锗在芯片制造中有着广泛而重要的应用,全球80%的镓和锗由中国供应。在中美技术竞争加剧之际,中国此举被认为是对美日荷对半导体设备出口管制的反击,将加剧与美国的贸易摩擦,并可能对全球供应链造成更多破坏。德国芯片制造商英飞凌科技公司此前也预计,中国对镓和锗的出口限制决定不会对其产生重大影响,公司采取多方采购策略,以包括不同地域的供应商。

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德国正为应对中方对镓锗出口管制做准备

德国正为应对中方对镓锗出口管制做准备报道称,德国机械设备制造业联合会(VDMA)布鲁塞尔办事处负责人霍尔格•昆泽当天早些时候表示,中方举措可能是对美国贸易限制的回应,但其产生的影响欧洲也会感受到,“因为正是在原材料供应方面,欧洲仍然很脆弱。”昆泽还呼吁德方始终把重点放在开放新市场和原材料来源上。路透社提到,根据德国联邦地球科学和自然资源研究所(BGR)提供的数据,2022年,中国向德国出口27吨镓,占其进口总量的55%,中方还向德方出口3吨锗,占其进口总量的75%。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1369333.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1369333.htm

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中国商务部批准芯片材料镓和锗的出口许可

中国商务部批准芯片材料镓和锗的出口许可中国商务部星期四(9月21日)说,一些中国公司已获得镓和锗产品的出口许可。这显示中国已重新批准这两种芯片原材料的出口许可。据中国商务部官网消息,中国商务部发言人何亚东在例行记者会上说,管制政策正式实施以来,商务部陆续收到企业关于出口镓、锗相关物项的许可申请。目前经依法依规审核,当局已批准了符合规定的若干出口申请,有关企业已获得两用物项出口许可证。何亚东称,商务部将继续依照法定程序对其他许可申请进行审核,并作出许可决定。中国商务部和海关总署7月决定从8月起对锗和镓相关物实施出口限制,新规要求镓和锗的出口商为军民两用或有潜在军民两用产品申请出口许可。中国海关总署星期三(9月20日)公布的数据显示,中国镓和锗产品的出口在8月份归零。中国2023年前八个月一共出口了36.48公吨的锗,比去年同期增加58%,镓的出口为22.72吨,比去年同期下跌了58%。但出口禁令和内需低迷也造成存货堆积,导致中国镓的现货价格在8月份出现下滑。根据上海金属市场数据,8月31日,镓金属现货价格下跌9%至每公斤1655元(人民币,下同,约309新元);另一方面,受供应收紧的推动,8月底锗锭现货价格上涨1%至每公斤9700元。

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中国国安部:镓锗相关物项出口管制是维护国安合法之举

中国国安部:镓锗相关物项出口管制是维护国安合法之举中国国家安全部强调,中国对镓、锗相关物项实施出口管制,是维护国家安全的合法之举,确保自身发展的合理之举。国安部星期四(8月10日)在微信公众号发文说,镓、锗相关物项具有明显的军民两用属性,实施出口管制,确保其用于合法用途,是为了维护国家安全,为了更好履行国际义务。国安部说,中国连续多年成为世界最大的战略性矿产资源进口国和消费国,现正处于工业化中后期和城镇化快速发展期,“推动经济社会高质量发展和更好满足人民对美好生活的新期待,使得对战略性矿产资源的需求持续攀升”。文章称:“与此同时,世界进入新的动荡变革期,大国博弈加剧,全球政经格局深刻调整,必须更好统筹资源发展和安全、开发和保护、当前和长远,提升资源安全和保障水平,切实保障经济社会发展所需的资源持续、可靠和有效供给。管制措施合情、合理,不容任何人指责。”国安部也称,此举是符合国际通行做法的正当之举。“多年来,我国向全世界提供的镓、锗产量比重大大超过我国占全世界的储量比重。在这样的情形下,采取管制对出口加以适当控制,减少战略性资源流失,符合国际通行做法,依据十分清晰。”文章强调,资源能源攸关国计民生和国家安全,并说:“从十多年前,国家安全机关依法破获涉资源安全重要案件,到今天,国家对重要矿产资源实施出口管制,我国维护国家资源安全的决心是一以贯之的,是完全合理合法的。”中国官方早前宣布,自8月起对镓、锗相关物项实施出口管制。路透社曾报道,受影响物项的使用范围包括半导体、卫星图像传感器、发光二极管等。

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