美光推出业界首款HBM3 Gen2内存 带宽超过1.2TB/s
美光推出业界首款HBM3Gen2内存带宽超过1.2TB/sHBM3Gen2的解决方案的基础是1β(1-beta)工艺,在行业标准封装尺寸内将24GBDRAM芯片组成了8层垂直堆叠的立方体。此外,美光还在准备12层垂直堆叠的单品36GBDRAM芯片,与现有的竞争解决方案相比,在给定的堆栈高度下,美光提供的容量增加了50%。根据美光公布的最新技术路线图,2026年的“HBMNext”将进一步提高容量,可达到36GB至64GB,带宽也会提升至超过1.5TB/s至2+TB/s。另外,美光明年将会带来GDDR7,容量为16Gb至24Gb,每个数据I/O接口的速率为32Gbps,与三星近期推出的首款GDDR7基本一致。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1373419.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1373419.htm
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