美光推出业界首款HBM3 Gen2内存 带宽超过1.2TB/s

美光推出业界首款HBM3Gen2内存带宽超过1.2TB/sHBM3Gen2的解决方案的基础是1β(1-beta)工艺,在行业标准封装尺寸内将24GBDRAM芯片组成了8层垂直堆叠的立方体。此外,美光还在准备12层垂直堆叠的单品36GBDRAM芯片,与现有的竞争解决方案相比,在给定的堆栈高度下,美光提供的容量增加了50%。根据美光公布的最新技术路线图,2026年的“HBMNext”将进一步提高容量,可达到36GB至64GB,带宽也会提升至超过1.5TB/s至2+TB/s。另外,美光明年将会带来GDDR7,容量为16Gb至24Gb,每个数据I/O接口的速率为32Gbps,与三星近期推出的首款GDDR7基本一致。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1373419.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1373419.htm

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美光发布GDDR7内存 32 Gbps速度、超过1.5 TB/s的带宽与30%游戏性能提升

美光发布GDDR7内存32Gbps速度、超过1.5TB/s的带宽与30%游戏性能提升GDDR7内存的系统带宽超过1.5TB/s,比GDDR6高出60%,并有四个独立通道可优化工作负载,因此可实现更快的响应时间、更流畅的游戏体验和更短的处理时间。与GDDR6相比,GDDR7还提高了50%以上的能效,从而改善了散热性能并延长了电池寿命,而新的睡眠模式可将待机功耗降低70%。美光GDDR7先进的可靠性、可用性和可维护性(RAS)功能增强了设备的可靠性和数据完整性,而不会影响性能,从而将应用范围扩大到人工智能、游戏和高性能计算工作负载。美光GDDR7内存吞吐量最高可提高33%,响应时间最多可缩短20%,适用于文本到图像创建等生成型人工智能工作负载。美光预计,与当前的GDDR6和GDDR6X相比,在1080p、1440和4K分辨率下,采用GDDR7的显卡在光线追踪和光栅化方面的每秒帧数(FPS)将提高30%以上。GDDR7的加入完善了美光业界领先的产品组合,适用于具有DDR、LPDDR和GDDR内存选项的CPU、NPU和GPU组件上的边缘人工智能推理应用。对于游戏应用,下一代内存通过性能和帧缓冲区扩展,实现了可适应场景、玩家和故事情节的人工智能增强型游戏。五年多来,美光成功地大批量生产了GDDR6X,始终保持着世界一流的性能和质量。这些相同的特性以及成熟的技术、设计和测试经验将有助于加快GDDR7的采用,并为该产品的量产提供全方位的支持。Micron在GDDR6X上推出了PAM4信号,其性能比GDDR6提高了20%以上,处于领先地位。PAM4的成功为Micron通过PAM3继续保持GDDR7产品组合的领先地位奠定了基础。工程技术的进步,例如测量出业界首个40Gb/sPAM3性能,为未来GDDR7产品实现更高性能铺平了道路。GDDR7内存将于2024年下半年由美光直接提供,并通过特定的全球渠道分销商和经销商销售。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1433664.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1433664.htm

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美光:2024年推出GDDR7显存2026年升级至36Gbps而英伟达的下一代显卡RTX50系列基本确定在2025年发布,到那时GDDR7显存应该也基本成熟了,首发搭载问题不大。美光还将在2024年推出8层堆叠的AI和数据中心专用带宽超1.2TB/s的HBM3E内存;并于2024年底2025年年初推出12层堆叠容量为36GB的HBM3E。到2026年美光将推出12层和16层堆叠的HBM4,带宽超过1.5TB/s;并在2028年发布12层和16层堆叠的HBM4E,带宽可达2TB/s以上。在内存方面,美光将在2024年中推出LPCAMM2内存,带宽为8533Mbps;到2026年将推出带宽为9600Mbps的LPCAMM2内存。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1396011.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1396011.htm

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EUV光刻前的最后疯狂:DDR5内存狂飙单条1TB不是梦美光没有透露32Gb核心内存颗粒的具体速度,但是这种内存最大的优势就是可以堆栈出单条1TB的内存条,只需要32个8-Hi堆栈即可,现在的24Gb核心还做不到这么大容量。当然,美光实际上并不会推出这么大的内存条,明年量产32Gb核心之后,首先是单条128GB,还有192GB、256GB,而512GB、1TB的还不在路线图上,2026年前都没戏。另外,在HBM这条路线上,美光刚推出了HBM3Gen2(这都什么命名方式,跟骁龙学的),做到了24GB容量,带宽1.2TB/s。后续还有36GB容量的,2026年之后则是下一代HBM(HBM4?),容量36GB到64GB,带宽1.5到2TB/s以上了。显存GDDR路线上,2025年会推出GDDR7,频率32Gbps,核心容量16-24Gb,带宽128GB/s以上。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1373501.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1373501.htm

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SK hynix GDDR7内存将GPU带宽提升至160GB/秒 容量达24Gb

SKhynixGDDR7内存将GPU带宽提升至160GB/秒容量达24Gb虽然有报道称第一代GDDR7内存产品将使用28Gbps的芯片,容量为16GB(2GBVRAM),但DRAM制造商并没有停止展示他们的下一代产品。在GTC2024上,SKhynix展示了其GDDR7内存模块,它将提供40Gbps的针脚速度,每个模块的带宽高达160GB/s。GDDR7标准的基准速度为32Gbps,每个模块的带宽为128GB/s,因此未来的GDDR7变体在带宽方面将提升25%。三星也在加速GDDR7DRAM的生产,该公司还在GTC上展示了其内存模块,不过是16Gb和32Gbps两种规格。该公司还展示了引脚速度37Gbps的模块。此外,该公司还将推出不同容量的x显存,目前已上市的最高容量为24Gb,基准容量为16Gb。使用16Gb模块可获得2GB的VRAM容量,使用24Gb模块可获得3GB的VRAM容量。但我们已经报道过JEDEC公布的规格,这些规格证实GDDR7将达到48Gbps的速度和64Gb的密度(8GBVRAM容量)。这将标志着显存容量的大幅提升,256位标准接口可提供64GB容量。相比之下,目前256位总线接口使用16GbDRAM模块可达到的最大容量为16GB。24GBDRAM模块可将容量提升至24GB。但同样,这些速度和容量也不是我们一开始就能期待的。这样的规格可能要到2026-2027年之后才能实现,而现在距离2026-2027年还有很多年。以下是我们可以期待的第一代GDDR7内存产品:512位/28Gbps/32GB(最大内存)/1792GB/s(最大带宽)384位/28Gbps/24GB(最大内存)/1344GB/秒(最大带宽)256位/28Gbps/16GB(最大内存)/896.0GB/秒(最大带宽)192位/28Gbps/12GB(最大内存)/672.0GB/秒(最大带宽)128位/28Gbps/8GB(最大内存)/448.0GB/s(最大带宽)以下是SKhynix40Gbps和24GbGDDR7DRAM产品上市后的预期:512位/40Gbps/48GB(最大内存)/2560GB/秒(最大带宽)384位/40Gbps/36GB(最大内存)/1920GB/秒(最大带宽)256位/40Gbps/24GB(最大内存)/1280GB/秒(最大带宽)192位/40Gbps/18GB(最大内存)/960.0GB/秒(最大带宽)128位/40Gbps/12GB(最大内存)/640.0GB/秒(最大带宽)除了GDDR7内存模块,SKhynix还展示了DDR5MCRDIMM,每个模块的容量达64GB,速度达8800MT/s,电压为1.1V。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424510.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1424510.htm

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