SK hynix开始量产238层3D NAND 数据传输速度提高50%

SKhynix开始量产238层3DNAND数据传输速度提高50%"鉴于公司在238层NAND和上一代176层NAND的价格、性能和质量方面都确保了世界级的竞争力，我们预计这些产品将在今年下半年推动盈利改善。"238层产品是目前尺寸最小的NAND，与上一代176层相比，其制造效率提高了34%，从而使成本竞争力得到明显改善。新款产品的数据传输速度为每秒2.4Gb，比上一代产品提高了50%，读写速度也提高了约20%，该公司有信心为使用该技术的智能手机和PC客户提供更好的性能。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1364141.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1364141.htm

SK海力士基于UFS 4.0规范的238层V8 NAND最早明年上半年量产

SK海力士基于UFS4.0规范的238层V8NAND最早明年上半年量产SK海力士将把目前最高的238层NAND（V8）应用于新一代内置闪存UFS（通用闪存）的最新规格产品，预计最早明年上半年可以量产。UFS是应用国际半导体标准化机构JEDEC的内置存储器接口的闪存，这是为智能手机、平板电脑等移动家电而制定的新一代标准，与传统的MMC（多媒体卡）相比，数据处理速度和电源效率要高得多。UFS4.0是今年5月正式批准的最新标准，其数据传输带宽为23.2Gbps，是之前UFS3.1的两倍。最先提出UFS4.0内存开发和量产计划的企业是三星电子。三星电子将于5月在世界上首次开发UFS4.0内存，从本月开始正式投入量产。三星电子的UFS4.0内存搭载了自主开发的UFS4.0控制器和第七代176层NAND（V7），连续读取和连续写入速度分别为4200MB/s、2800MB/s。封装水规格为长11毫米、宽13毫米，高1.0毫米。SK海力士也制定了UFS4.0内存的具体开发计划。SK海力士将在UFS4.0内存上搭载V7和V8NAND作为主力。其中，V8是SK海力士在世界上首次开发的目前最高238层NAND，与前几代176层相比，传输速度更加出色。与传统的封装相比，TLC4D封装技术在减少单位单元面积的同时，生产效率更高也是主要特点。SK海力士正在开发的UFS4.0内存的数据处理速度是连续读取4000MB/s，连续写入2800MB/s水平。外形为宽11毫米、长13毫米、高0.8毫米，是一种非常薄的封装形式。目前，SK海力士已经向主要客户公司提供了238层NAND样品，计划明年上半年进行量产。因此，搭载V8NAND的UFS4.0内存最早也有望从明年上半年开始量产。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1305133.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1305133.htm

三星正准备量产第8代V-NAND闪存 持续改进存储密度与传输性能

三星正准备量产第8代V-NAND闪存持续改进存储密度与传输性能三星正准备量产第8代V-NAND闪存，包括即将推出的PCIe5.0SSD在内的产品，都有望为用户带来巨大的存储容量和性能体验提升。随着V-NAND升级到236层，同等存储容量的体型也可变得更加紧凑。作为参考，去年发布的第7代V-NAND已提供176层、且支持高达2.0GT/s的传输速率。除了台式机和笔记本电脑，智能手机也有望迎来基于最新一代V-NAND的UFS3.1（以及最新的UFS4.0）标准的高速闪存。不过想要堆砌更多层的3D-NAND也并非易事，尽管三星早在2013年就率先发布了初代V-NAND，但实际推行仍相当谨慎。于是在突破200层大关的时候，三星分别被美光（232L）和SK海力士（238L）给反超。直到去年提供超过200层的V-NAND闪存样品，三星才逐渐积累了所需的先验知识。虽然我们尚未知晓三星第8代V-NAND的确切规格参数，但新一代产品势必会带来性能与密度的大幅提升。作为参考，美光声称其232层NAND可实现单颗2TB容量，以及11.68GB/s读取和10GB/s的写入速度。在将上述特性缩放到一张邮票大小的芯片上的同时，整体读取延迟也有所改进，意味着传输速度的继续提升。最后，随着AMD锐龙7000和英特尔RaptorLake平台即将上市，相信三星页会很快向客户交付更大容量@10+GB/s速率的固态驱动器。相关文章:SK海力士基于UFS4.0规范的238层V8NAND最早明年上半年量产JEDEC宣布UFS4.0新标准和其它附加闪存规范技术支持更新...PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1306233.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1306233.htm

SK hynix开发出新一代移动NAND解决方案ZUFS 4.0

SKhynix开发出新一代移动NAND解决方案ZUFS4.0访问：Saily-使用eSIM实现手机全球数据漫游安全可靠源自NordVPNZUFS是一种差异化技术，它能将智能手机产生的数据按照特征分类并存储在不同的区域。与传统的UFS不同，最新产品将具有相似用途和频率的数据分组并存储在不同的区域，从而提高了智能手机操作系统的速度和存储设备的管理效率。与传统的UFS相比，ZUFS还能将智能手机长时间运行应用程序所需的时间缩短45%。由于读写性能下降的问题得到了四倍以上的改善，产品的使用寿命也延长了40%。这项技术的开发可以追溯到2019年，当时人工智能热潮尚未到来，SKhynix与一家全球平台服务公司开始合作，期待高性能NAND解决方案需求的增长。在提供ZUFS原型之后，SKhynix与客户共同开发了符合电子器件工程联合理事会（JEDEC）规范的4.0产品。SKhynix将在第三季度开始量产ZUFS4.0，目标是为全球公司的各种设备上人工智能智能手机提供产品。SKhynixN-S委员会负责人AhnHyun表示，随着大型科技公司专注于开发采用自己的生成式人工智能应用的终端产品，客户需要更好的内存选择。"SK海力士将继续努力，通过适时提供满足更高要求的高性能NAND解决方案，加强其作为全球顶级人工智能存储器供应商的领导地位，同时与领先的ICT公司建立更牢固的合作伙伴关系。"...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1430250.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1430250.htm

三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产

三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产据悉，第九代V-NAND闪存凭借其超小的单元尺寸和极致的叠层厚度，实现了比上一代产品高约50%的位密度。新技术的运用，如单元干扰避免和单元寿命延长，不仅提升了产品的质量和可靠性，而且通过消除虚通道孔显著减少了存储单元的平面面积。此外，三星展现了其在制造工艺上的卓越能力，通过采用先进的“通道孔蚀刻”技术，该技术能够在双层结构中同时钻孔，达到业界最高的单元层数，从而最大限度地提高了生产效率。随着闪存单元层数的增加，对更复杂蚀刻技术的需求也日益凸显。值得一提的是，第九代V-NAND还配备了新一代的NAND闪存接口“Toggle5.1”，使数据传速速度提升了33%，最高可达到每秒3.2Gbps。同时，三星还计划通过增强对PCIe5.0的支持来进一步巩固在高性能固态硬盘市场的地位。与上一代相比，第九代V-NAND还在低功耗设计上取得了显著进步，功耗降低了10%，这一改进使得新型闪存成为未来低能耗应用的理想选择。目前，三星已经开始了第九代1TbTLCV-NAND的量产，并计划在今年下半年推出四层单元（QLC）的第九代V-NAND产品。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1428345.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1428345.htm

三星将在明年量产300层NAND闪存芯片 2030年实现1000层

三星将在明年量产300层NAND闪存芯片2030年实现1000层该负责人还表示，对于DRAM三星正在研发3D堆叠结构和新材料；对于NAND闪存，正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。这一计划也将使三星的进度超过SK海力士，SK海力士曾在不久前宣布计划在2025年开始量产321层NAND芯片。预计三星第9代NAND闪存芯片仍将采用双堆叠技术，其中包括在两个独立过程中创建NAND存储器，然后将它们组装在一起。与老对手三星不同，SK海力士的300层NAND产品采用的是三重堆叠技术，每组分别堆叠120层、110层和91层，最后组合成一个芯片。相比于三重堆叠，双堆叠工艺在生产成本和效率上存在着不小的优势。三星此举也是为了用成本优势来超越对手，从而巩固其市场领先地位。在去年举办的三星技术日上，三星表示将在2030年实现堆叠多达1000层的技术。然而如果不采用三重堆叠工艺，要实现超过400层的堆叠将是一个挑战。因此业内人士表示三星可能会在第10代430层产品中开始采用三重堆叠技术。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1390553.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1390553.htm