据调查，通用DRAM的恢复趋势不及NAND闪存。目前三星电子和SK海力士的通用DRAM厂开工率为80%-90%，较今年年初的70

据调查，通用DRAM的恢复趋势不及NAND闪存。目前三星电子和SK海力士的通用DRAM厂开工率为80%-90%，较今年年初的70%-80%小幅增加，但尚未达到“全面启动”水平；供应仍然比需求占优势，主要原因在于智能手机、PC、服务器市场增长势头放缓，未能带动需求。与之形成鲜明对比的是NAND闪存，随着AI带动eSSD等需求恢复，三星、SK海力士的相关工厂在二季度已转为全面启动机制，铠侠近期开工率也达到了100%。（新浪）

三星电子下半年将继续削减存储芯片产量 尤其是NAND闪存

三星电子下半年将继续削减存储芯片产量尤其是NAND闪存外媒在报道中提到，在二季度的财报分析师电话会议上，三星电子的高管表示，他们计划下半年继续削减存储芯片的产量，以加速库存正常化，他们将继续调整DRAM和NAND闪存的产量，尤其是大幅削减NAND闪存的产量。三星电子继续削减DRAM和NAND闪存的产量，预计同存储芯片的市场需求尚未明显好转，他们这一业务的营收仍在大幅下滑有关。财报显示三星电子的存储业务在二季度营收8.97万亿韩元，环比虽增长1%，但同比下滑57%，连续4个季度同比大幅下滑，连续两个季度同比下滑超过50%，所在的设备解决方案部门在二季度营业亏损4.36万亿韩元，连续两个季度超过4万亿韩元。除了三星电子，韩国另一大存储芯片制造商SK海力士二季度的状况也不乐观，7.3万亿韩元的营收虽环比增长44%，但同比下滑47%，净亏损近2.99万亿韩元，同比转亏，较上一季度的2.59万亿也有扩大。三星电子是从4月份开始削减存储芯片的产量的，虽然此前他们的高管公开表示无意人为削减产量，但在4月初给出营业利润6000亿韩元，同比下滑96%的一季度业绩预期后，他们也终于决定削减存储芯片的产量。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1373627.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1373627.htm

知情人士：三星、SK海力士等NAND制造商考虑涨价

知情人士：三星、SK海力士等NAND制造商考虑涨价据电子时报报道，知情人士透露，包括三星电子和SK海力士在内的NAND闪存芯片制造商正在考虑提高报价。报道称，NANDFlash价格暴跌给供应商造成了巨大损失，他们现在正在努力止血。PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1360559.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1360559.htm

通用 DRAM 需求尚未恢复 三星和 SK 海力士相关工厂开工率 80%-90%

通用DRAM需求尚未恢复三星和SK海力士相关工厂开工率80%-90%据调查，通用DRAM的恢复趋势不及NAND闪存。目前三星电子和SK海力士的通用DRAM厂开工率为80%-90%，较今年年初的70%-80%小幅增加，但尚未达到“全面启动”水平；供应仍然比需求占优势，主要原因在于智能手机、PC、服务器市场增长势头放缓，未能带动需求。与之形成鲜明对比的是NAND闪存，随着AI带动eSSD等需求恢复，三星、SK海力士的相关工厂在二季度已转为全面启动机制，铠侠近期开工率也达到了100%。

SK海力士基于UFS 4.0规范的238层V8 NAND最早明年上半年量产

SK海力士基于UFS4.0规范的238层V8NAND最早明年上半年量产SK海力士将把目前最高的238层NAND（V8）应用于新一代内置闪存UFS（通用闪存）的最新规格产品，预计最早明年上半年可以量产。UFS是应用国际半导体标准化机构JEDEC的内置存储器接口的闪存，这是为智能手机、平板电脑等移动家电而制定的新一代标准，与传统的MMC（多媒体卡）相比，数据处理速度和电源效率要高得多。UFS4.0是今年5月正式批准的最新标准，其数据传输带宽为23.2Gbps，是之前UFS3.1的两倍。最先提出UFS4.0内存开发和量产计划的企业是三星电子。三星电子将于5月在世界上首次开发UFS4.0内存，从本月开始正式投入量产。三星电子的UFS4.0内存搭载了自主开发的UFS4.0控制器和第七代176层NAND（V7），连续读取和连续写入速度分别为4200MB/s、2800MB/s。封装水规格为长11毫米、宽13毫米，高1.0毫米。SK海力士也制定了UFS4.0内存的具体开发计划。SK海力士将在UFS4.0内存上搭载V7和V8NAND作为主力。其中，V8是SK海力士在世界上首次开发的目前最高238层NAND，与前几代176层相比，传输速度更加出色。与传统的封装相比，TLC4D封装技术在减少单位单元面积的同时，生产效率更高也是主要特点。SK海力士正在开发的UFS4.0内存的数据处理速度是连续读取4000MB/s，连续写入2800MB/s水平。外形为宽11毫米、长13毫米、高0.8毫米，是一种非常薄的封装形式。目前，SK海力士已经向主要客户公司提供了238层NAND样品，计划明年上半年进行量产。因此，搭载V8NAND的UFS4.0内存最早也有望从明年上半年开始量产。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1305133.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1305133.htm

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度22日讯，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8GbDDR4DRAM通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。——