慧荣主控用上6nm先进工艺 PCIe 5.0 SSD明年底杀入笔记本

慧荣主控用上6nm先进工艺PCIe5.0SSD明年底杀入笔记本近日，慧荣披露了他们的PCIe5.0SSD主控的进展和规划，并预计在2024年底，笔记本厂商将陆续导入PCIe5.0SSD！慧荣的新主控是SM2508，采用了先进的台积电6nm制造工艺，同时结合低功耗电路设计、智能电源管理模块、智能降温策略，功耗和发热都可以得到有效控制，只需简单的散热片就可以满足，因此能够用于笔记本、游戏主机。传统的电源管理方案都是通过主控管理所有电路模块，慧荣科技则在主控内集成了独立的智能电源管理模块，可以让主控进入低能耗模式，也能专门编程制定独特的管理策略，让电源管理更加灵活、高效。温控方面方面，以往都是通过降低主控和闪存的工作频率，分阶段降温与能耗控制，但会导致性能剧烈变化，慧荣则重新调整了温控算法，让性能与能耗比实现等比调整。慧荣SM2508支持PCIe5.0x4、NVMe2.0，搭配八通道2400MT/s的闪存，顺序读写速度都能达到满血的14GB/s，随机读写速度也能跑到250万IOPS、240万IOPS，未来还会继续优化固件、挖掘潜力，甚至可以支持3600MT/s的下代高速闪存。为了达到如此高的性能，慧荣SM2508采用了ARMv7-R指令集的两个Cortex-R8CPU核心，基准性能达2.5DMIPS/MHz、4.62CoreMark/MHz。相比于以往常用的Cortex-R5核心，它不但性能大幅提升了33-50％，还加入了SMP对称多处理技术，能够自主平衡多核工作负载，优化混合负载场景下的性能。这意味着，处理器可以智能分配任务，确保每个核心都能充分发挥作用，从而提高整体性能。更为重要的是，Cortex-R8将原来的8级顺序执行流水线，升级为11级乱序执行，可根据输入数据和可用执行单元来执行指令，而不必等待前一条指令的完成，从而更有效地利用资源，提高执行效率，减少空闲时间。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1383701.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1383701.htm

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慧荣展示PCIe5.0SSD主控SM2508：读写双双满血14GB/s慧荣SM2508采用了先进的台积电6nm工艺，对比12nm功耗降低45％，对比7nm面积缩小20％。集成四个ArmCortex-R8CPU核心，支持对称性多重处理(SMP)，比非对称多重处理性能高出50％。该主控支持PCIe5.0x4、NVMe2.0，可搭配3DTLC/QLC闪存，最大容量8TB，8个通道，接口速率3600MT/s。在这一系列技术的加持下，SM2508主控的理论顺序读写速度都可以达到14GB/s，随机速度也能跑到250万IOPS、240万IOPS，达到满血状态。PCIe4.0主控方面，慧荣也有一款新的SM2268XT2。它支持PCIe4.0x4、NVMe2.0，闪存支持3DTLC/QLC，4通道，最大容量4TB，最高速率也有3600MT/s。性能自然不弱，顺序读写可达7.4GB/s、6.5GB/s，随机读写也都有120万IOPS。针对企业级市场，慧荣准备了更高性能的SM8366，支持U.2、E1.S15/25mm、E3.S等各种形态规格。它不但有PCIe5.0x4、NVMe2.0，更支持双接口、OCP数据中心NVMeSSD2.0、可编程NVMe/FDP/ZNS固件、PerformaShape(动态调控特定性应用性能及应用间IO隔离)、NANDCommand(最大化闪存性能及可靠性)等企业级特性。通道数达到了16个，虽然存接口速率限制在2400MT/s，但性能更彪悍，顺序读写超过了14GB/s，随机读写分别大于350万IOPS、280万IOPS。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1425807.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1425807.htm
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