SK海力士在服务器DRAM市场超过三星 稳居第一

SK海力士在服务器DRAM市场超过三星稳居第一市场份额计算不包括主要用于人工智能（AI）服务器的高带宽内存（HBM），如果包括HBM在内，SK海力士和三星电子之间的差距估计会更大。据悉，服务器DRAM约占整个DRAM市场的35%-40%，SK海力士在服务器DRAM市场份额激增超越三星电子，主要因为SK海力士在模块类产品竞争中的领先地位，其中包括最新标准服务器DRAM以及第五代双倍数据速率内存（DDR5）。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1401677.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1401677.htm

TrendForce：美光、三星、SK 海力士、模组厂已停止 DRAM 报价

TrendForce：美光、三星、SK海力士、模组厂已停止DRAM报价《科创板日报》3日讯，今日中国台湾地区突发7.3级地震，TrendForce指出，存储器行业中，由于美光DRAM产能主要集中在中国台湾地区，因此该公司率先停止DRAM报价，灾后的损失评估后再度启动2024年Q2合约价谈判。除此之外，三星、SK海力士也跟进停止报价，尽管两大供应商并没有DRAM生产位于台湾地区，但也希望观望后市后再行动。存储器现货市场的DRAM与NANDFlash并未在今日产生剧烈波动，整体仅限小幅上涨格局，买气仍然清淡。TrendForce预计，短期DRAM现货价格会有小幅涨幅，但需求疲弱态势不变，涨价的延续性有待观察。同时，因为DRAM供应商目前大致处于停止报价阶段，模组厂也已在今日跟进停止报价。

消息称 HBM4 标准放宽 三星、SK 海力士推迟引入混合键合技术

消息称HBM4标准放宽三星、SK海力士推迟引入混合键合技术据科技媒体ZDNETKorea报道，业界消息称，国际半导体标准组织（JEDEC）的主要参与者最近同意将HBM4产品的标准定为775微米（μm），比上一代的720微米更厚。据悉，该协议预计将对三星电子、SK海力士、美光等主要内存制造商的未来封装投资趋势产生重大影响。如果封装厚度为775微米，使用现有的键合技术就可以充分实现16层DRAM堆叠HBM4。考虑到混合键合的投资成本巨大，存储器公司很可能将重点放在升级现有键合技术上。

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK海力士加强DRAM先进工艺份额在去年内存半导体低迷之后，三星电子和SK海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对DRAM的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM和DDR5的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和SK海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向10nm第四代(1a)和第五代(1b)节点的过渡，以生产HBM、DDR5和LPDDR5等高价值产品。但另一方面，由于NANDFlash存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。——

通用 DRAM 需求尚未恢复 三星和 SK 海力士相关工厂开工率 80%-90%

通用DRAM需求尚未恢复三星和SK海力士相关工厂开工率80%-90%据调查，通用DRAM的恢复趋势不及NAND闪存。目前三星电子和SK海力士的通用DRAM厂开工率为80%-90%，较今年年初的70%-80%小幅增加，但尚未达到“全面启动”水平；供应仍然比需求占优势，主要原因在于智能手机、PC、服务器市场增长势头放缓，未能带动需求。与之形成鲜明对比的是NAND闪存，随着AI带动eSSD等需求恢复，三星、SK海力士的相关工厂在二季度已转为全面启动机制，铠侠近期开工率也达到了100%。

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度22日讯，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8GbDDR4DRAM通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。——