西部数据发涨价信 预期未来几季 NAND 芯片产品价格累计涨幅上看 55%

西部数据发涨价信预期未来几季NAND芯片产品价格累计涨幅上看55%全球第四大储存型NANDFlash供应商西部数据（WD）对客户发出涨价通知信，强调未来几季NAND芯片产品价格将呈现周期性上涨，预期累计涨幅上看55%，此波NAND芯片报价涨势锐不可挡。现阶段业界多看好报价止跌回升，相较目前多由供应商与客户个别通知调整报价，西部数据对客户发出涨价信，且预计涨价幅度惊人，开业界全面大涨价的第一枪。

NAND 芯片报价仍未达到厂商盈亏平衡点 未来或再涨 50%

NAND芯片报价仍未达到厂商盈亏平衡点未来或再涨50%NAND芯片价格止跌回升后，目前报价仍与三星、铠侠、SK海力士、美光等供应商达到盈亏平衡点有一段差距。NAND相关厂商表示，NAND芯片供应商为达赚钱目的，将持续强力拉抬报价，预料还要再涨四成以上，才能让大厂达到盈亏平衡点；要能赚钱，未来报价涨幅至少会达五成甚至更高，换言之，NAND行业短期内或将再迎来高达50%的“暴力涨价”。

终端需求增加 价格止跌回升 3 月光伏组件排产料大幅改善

终端需求增加价格止跌回升3月光伏组件排产料大幅改善从中国有色金属工业协会硅业分会了解到，过去一周（2月15日至2月21日），光伏产业链中组件端排产反弹尤为显著，随着前期订单的执行以及海外市场繁荣，终端需求或大幅增加。预计3月组件排产将提升至50GW以上，迎来重大转机。业内人士表示，2月光伏组件排产回落的根本原因是价格僵持下出货量预期锐减，然亏本卖组件不可持续，组件招标的价格已呈现止跌回升的态势。目前，头部组件企业已没有低于0.9元/瓦的报价，二线组件企业低于0.9元/瓦的报价要么无法中标，要么仅能中标少量低功率的P型组件。后续随着N型组件价格的回升，3月排产将环比增长，预计将于今年二季度恢复正常，高效组件将逐步回归合理利润空间。（中证报）

低于1.6美元拒绝出货 存储巨头或酝酿涨价 但买方仍在观望

低于1.6美元拒绝出货存储巨头或酝酿涨价但买方仍在观望据台湾电子时报昨日消息，在NANDFlash调涨趋势下，大陆存储模组厂近日暂停报价及接单，将配合原厂报价调高8%-10%。尽管买卖双方仍处拉锯阶段，但产业涨价风向愈趋明确，NAND价格逐步朝制造成本线靠拢。值得注意的是，三星内部规划将暂停平泽P1产线，预计将延续至少1个月或更久，该产线主打的便是128层堆叠的第6代V-NAND成熟制程产品。而近一年多以来，三星积极去化的主力就是V6产品，由于V6产能规模庞大，目前库存水位仍有不少，但去化带来成效，也有助于降低短期出货压力。由于存储芯片原厂积极推动去化库存，不时会要求特定存储芯片模组配合拿货。台媒指出，先前曾传出3家大陆模组厂商于二季度与三星签下大单，各家将承接6000万颗512GbIC，将分批在未来6个月内完成拉货，成本价格约在1.45美元。近期NAND涨价传言不断，许多中小型客户均计划趁涨价前再拉低价囤货。随着原厂减产动作发酵，存储芯片模组业者也配合涨价，有助于推动OEM客户重启备货。此外，从存储芯片业界近期释出的信号来看，产业景气确有接近谷底迹象。例如封测厂南茂在2023年下半年展望中明确指出，DRAM订单回温，NAND模组厂也已陆续恢复拉货，2024年有望进入复苏周期。存储芯片控制IC设计厂商慧荣科技也指出，公司第三季营收有望环比增长15%-20%，毛利率则持稳往上。NANDFlash跌幅有望收敛但涨价效应有待继续观察展望第三季，进入传统备货旺季之后，NAND报价跌幅有望进一步收敛。TrendForce便预估，第三季NANDFlash报价将环比下降3%-8%，跌幅收敛。存储芯片厂商则指出，整体而言，存储芯片报价有落底现象，大厂全面启动减产，效应预估第三季开始反应，报价已非全面下跌，HBM在AI风潮带动下，需求大增，价格也不错，预计存储芯片报价于2024年重回上涨周期的概率颇高。不过，存储芯片短期出货有望反弹的预期，有一部分原因来自iPhone15即将上市、其他手机品牌也陆续推出新品。但目前终端需求疲软，iPhone15系列新机虽然将在秋季上市，但最新产业报告预估目标产量大降至7700万台，对电子产业的拉动效果恐不明朗。因此虽然产业链开始暂停报价、拟调涨报价，但买方仍在观望，涨价效应有待继续观察，特别是主流存储芯片报价上涨时间可能有所延后。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1377849.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1377849.htm

存储巨头NAND芯片涨至明年 逐季调涨20%远超业内预期

存储巨头NAND芯片涨至明年逐季调涨20%远超业内预期值得注意的是，信达证券此前援引行业消息称，近日三星向客户公布Q4官价，MobileDRAM合约价环比涨幅预估将扩大至11%-25%；NANDFlash方面，UFS4.0涨幅约2%左右，eMCP、uMCP涨幅不等，平均涨幅20%以上，最高涨幅高达66%。为何三星有底气强势涨价？减产或许是原因之一。在10月31日的财报会议上，三星执行副总裁KimJae-joon直言，“三星接下来的减产行动，将比目前DRAM缩减产出的规模更大。”业内人士指出，目前NAND芯片市场转趋热络，客户陆续回笼。三星作为全球存储芯片龙头，其领头调涨价格，将有助整体市场报价正向发展。与此同时，多家存储厂商也已给出颇为乐观的预期。例如群联指出，过去6-9个月OEM客户调整库存已近尾声，公司已获得更多设计导入（design-in）的订单。存储模组厂威刚则表示，随着大厂大幅减产效益浮现，看好存储价格从今年四季度到明年上半年一路上涨，明年起更会进入为期二年的存储多头格局，未来二年市场供给将吃紧并出现缺货状况。TrendForce此前指出，NAND芯片价格自8月起涨，看好在供应商议价态度转趋强硬情况下，四季度企业级固态硬盘合约价格可望上涨约5%-10%；用户端固态硬盘方面，随着供应商议价能力提高，高低阶用户端固态硬盘产品可望同步上涨，预计四季度合约价将扬升8%至13%。此外，其认为存储器整体涨势有望延续，预计明年一季度MobileDRAM及NANDFlash（eMMC、UFS）合约价仍将续涨，涨幅则视后续原厂是否维持保守的投产策略，以及终端是否有实质买气支撑而定。随着主要厂商控产持续进行，以及原厂、终端与渠道库存去化，叠加终端市场需求复苏，国金证券11月1日报告指出，存储芯片有望在今年四季度开始价格反弹，开启新一轮上涨周期。而作为存储芯片的生产者，以及存储市场最为重要的环节，存储芯片厂商有望最为受益。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1393775.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1393775.htm

三星电子三季报净利润超预期 预计明年存储市场复苏 AI需求持续旺盛

三星电子三季报净利润超预期预计明年存储市场复苏AI需求持续旺盛三星电子表示，通过增加高密度产品的销售以及客户库存调整完成，PC和移动端的需求得到了改善。另外，AI相关需求仍然旺盛。三星表示，存储业务以提高盈利能力为重点，将持续扩大HBM、DDR5、LPDDR5x和UFS4.0等产品的销售规模，并积极调整生产规模以降低库存水平。总体而言，相比第二季度，DRAM和NAND的平均售价有了不错的增长。另外，三星表示第四季度将增加HBM3芯片的销售，以应对AI需求的增加。另一存储龙头SK海力士在第三季度的亏损也比上一季度大幅缩小。SK海力士表示，其销售用于科技设备的DRAM芯片的业务，在第三季度重新盈利，而今年前两个季度都是亏损的。存储模组厂威刚近日亦指出，从接单力度来看，客户回补库存力道持续，预计存储报价至少涨到2024年上半年。Q4存储产品价格或将全面上涨存储产品价格方面，三季度期间，主流存储价格持续回暖。据中信证券统计，DRAM方面，高端DRAM（DDR5）合约价格稳定，主流DRAM（DDR4）价格由跌转涨，多数产品价格出现上涨，9月涨幅最高23.81%；利基DRAM（DDR3）价格涨幅最高到23.81%，价格均出现反弹。NANDFlash方面，9月NANDFlash价格持续回升，环比最高增长19.87%。其中，512Gb价格连续三月环比上涨，256Gb价格连续两个月环比上涨，128Gb价格保持稳定。据研究机构TrendForce近期报告，自第四季起DRAM与NANDFlash均价开始全面上涨，预计DRAM第四季度合约价将止跌回升，涨幅为3-8%；NANDFlash第四季合约价有望全面起涨，涨幅约8-13%。中信证券研报指出行业周期角度，海外大厂稼动控制下存储供需逐渐改善，看好产业链公司2024全年业绩将持续改善。预计今年下半年，随库存去化，需求逐步回归，未来行业细分龙头有望迎来业绩修复机会，看好国内存储产业链周期复苏叠加本土化趋势下的投资机遇。信达证券亦表明，伴随原厂维持缩减产出和惜售的供给策略，以及需求端逐步好转，存储价格涨势或将延续至明年上半年。建议关注江波龙、德明利、兆易创新、东芯股份、普冉股份等。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1393385.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1393385.htm