JEDEC 发布 GDDR7 显存标准

JEDEC发布GDDR7显存标准微电子行业标准制定的全球领导者JEDEC固态技术协会今天宣布发布新的JESD239GDDR7SGRAM标准，AMD、美光、英伟达、三星和SK海力士都参与了制定过程。GDDR7提供的带宽是GDDR6的两倍，每台设备的带宽高达192GB/s，可满足图形、游戏、计算、网络和AI应用中对更多内存带宽不断增长的需求。GDDR7是首款使用脉冲幅度调制(PAM)接口进行高频操作的JEDEC标准DRAM。其PAM3接口提高了高频操作的信噪比，同时提高了能效。通过使用3个电位（+1、0、-1）在2个周期内传输3位，而不是传统的NRZ（不归零）接口在2个周期内传输2位，PAM3提供了更高的每周期数据传输速率，从而提高性能。——

三星展示GDDR7内存模块：为下一代游戏GPU设计 16Gb密度32Gbps速率

三星展示GDDR7内存模块：为下一代游戏GPU设计16Gb密度32Gbps速率三星将成为下一代GDDR7内存标准的主要供应商之一，该标准将成为下一代游戏GPU的主要标准。该公司早在2023年就宣布了开发计划，并将很快推出速度更快的变体，不过新标准的起点仍将是32Gbps的速度。三星最初推出的GDDR7内存模块密度为16GB，每个模块提供2GB容量。速度将设定为32Gbps（PAM3），并可降低至28Gbps，以提高产量和起步阶段的整体性能/成本。三星还表示，GDDR7内存的能效将提高20%，同时工作电压仅为1.1V（低于1.2V标准）。其他特点还包括，由于采用了更新的封装材料和优化的电路设计，高速运行时的发热量降低，热阻比GDDR6降低了70%。JEDEC最近发布了GDDR7内存规格，主要亮点包括：核心独立的LFSR（线性反馈移位寄存器）训练模式，带有遮罩和错误计数器，可提高训练精度，同时缩短训练时间。独立通道数量增加一倍，从GDDR6的2个增加到GDDR7的4个。支持16Gbit至32Gbit密度，包括支持双通道模式，使系统容量翻倍。通过集成最新的数据完整性功能，包括带实时报告功能的片上ECC(ODECC)、数据毒性、错误检查和擦除功能，以及带命令屏蔽功能的命令地址奇偶校验(CAPARBLK)，满足市场对RAS（可靠性、可用性和可维护性）的需求。虽然GDDR7的规格更快，但这些都要等到2025-2026年才能实现。这又让我们回到了28GbpsGDDR7显存颗粒上，英伟达下一代GeForceRTX50"黑武士"游戏GPU已将其作为首选产品。到目前为止，传言中提到前三个芯片将使用GDDR7显存，这意味着入门级SKU目前可能会坚持使用GDDR6(X)，稍后在GDDR7成为可行的替代品时再转用GDDR7。512位/28Gbps/32GB（最大内存）/1792GB/s（最大带宽）384位/28Gbps/24GB（最大内存）/1344GB/秒（最大带宽）256位/28Gbps/16GB（最大内存）/896.0GB/s（最大带宽）192位/28Gbps/12GB（最大内存）/672.0GB/秒（最大带宽）128位/28Gbps/8GB（最大内存）/448.0GB/s（最大带宽）我们注意到，GDDR6和GDDR6X内存模块的一个特点是超频变得非常容易。您可以轻松地手动将这些芯片设置为更高的频率，而且它们工作起来非常顺手。随着新显存产量的增加，首批GDDR7显卡可能会在今年晚些时候面世。这将是整个消费级显存市场的新起点，我们期待着它的发展。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424301.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424301.htm

JEDEC 发布 GDDR7 标准：可提供两倍于 GDDR6 的带宽，达192GB/s

JEDEC发布GDDR7标准：可提供两倍于GDDR6的带宽，达192GB/sGDDR7是首款使用脉冲幅度调制(PAM)接口进行高频操作的JEDEC标准DRAM，采用了PAM3信号编码机制。相比NRZ/PAM2每周期提供1位的数据传输和PAM4每周期提供2位的数据传输，PAM3每两个周期的数据传输提升至3位，能效得到较为显著的提升。https://www.expreview.com/92623.html

三星下月展示 37 Gbps GDDR7 内存

三星下月展示37GbpsGDDR7内存三星预计将展示一款数据传输速率为37Gbps、密度为16Gbit（2GB）的GDDR7芯片。GDDR7内存将使用PAM3和NRZ信号，目标是实现高达37Gbps的数据传输速率/引脚。GDDR7存储器的演进涉及提高信号传输速率和突发大小，而不大幅提升存储单元的内部时钟。这使得每个GDDR版本都能提高内存总线频率，从而提高性能。然而，随着频率提升变得复杂，业界正在探索其他解决方案。例如，GDDR6X用PAM4编码取代了传统的NRZ编码，有效地将数据传输速率提高了一倍。由于波特率降低，PAM4还能显著减少信号损耗。然而，GDDR7将采用PAM3编码，这是PAM4和NRZ信号之间的折衷。这使得每个周期的数据传输速率高于NRZ，从而降低了对更高内存总线频率的需求。GDDR7的性能有望超过GDDR6，同时功耗和实施成本也低于GDDR6X。此外，GDDR7还提供了优化内存效率和功耗的方法。其中包括四种不同的读取时钟模式，使其仅在需要时运行。GDDR7内存子系统还可以并行发出两个独立命令，优化功耗。至于GDDR7的发布，预计将与AMD和NVIDIA的下一代GPU一起推出，时间可能在今年晚些时候。预计NVIDIA和AMD都将在下一代GPU中采用GDDR7。GDDR7将于今年量产，并将在NVIDIA的GeForceRTX50系列"Blackwell"显卡和AMDRadeonRX8000系列RDNA4中使用。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1414895.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1414895.htm

三星、美光和SK海力士均提供GDDR7内存样品 GDDR 7大战即将拉开序幕

三星、美光和SK海力士均提供GDDR7内存样品GDDR7大战即将拉开序幕起初，显卡内存兼容CPU内存，主要使用DDR内存，然而鉴于图像处理需求逐年攀升，显卡逐渐转向采用专门为图形处理器（GPU）设计GDDR。由于GDDR具有更高的数据传输速率和带宽，在推动GPU的发展过程中起到了很关键的作用。GDDR技术发展历程历经二十余年发展，GDDR家族已经迭代至第七代，GDDR家族主要有GDDR、GDDR2、GDDR3、GDDR4、GDDR5和GDDR6，以及最新推出的GDDR7。在此，我们先看下前六代的技术和性能上的情况。来源：imec虽然GDDR专为GPU设计，但是最开始的一二代GDDR和GDDR2并没有比DDR提升很多，因此也没得到GPU厂商的大规模采用。所以GDDR的正式被认可和迭代可以说是从GDDR3开始。自GDDR3开始，Nvidia和AMD等主要GPU厂商的参与使得GDDR标准得到了大幅提升，得益于制程工艺的不断进步，GDDR3内存的数据传输速率从最初的1GHz一路攀升至2.5GHz，实现了大幅提升，并保持了长达五年的生命周期，为现代图形处理和计算提供了强大的支持。GDDR4在GDDR3的基础上，进一步提升了数据传输速率和能效。虽然GDDR4在技术上取得了进步，但由于当时NVIDIA和ATI之间对于GDDR4标准意见相左，且存在激烈的竞争关系，NVIDIA没有采用GDDR4，这导致其市场占有率相对有限，成本很高，GDDR4很快就被历史所遗忘。GDDR5大幅提升了带宽和速度，成为2008年后高性能显卡的标配。GDDR5具有更高的时钟频率和数据传输速率，广泛应用于各类图形处理和计算任务中。GDDR5之后，NVIDIA还与美光推出了GDDR5X半代产品，用于NVIDIA高端显卡。而GDDR6则在数据传输速率和能效方面进一步提升，成为现代高端GPU的主流选择。GDDR6X引入了PAM4（PulseAmplitudeModulation4）信号技术，显著提高了数据传输速率。Nvidia在其Ampere架构，如GeForceRTX3080和RTX3090，率先采用了GDDR6X内存。可以看出，从最初的GDDR到最新的GDDR6，GDDR内存经历了多次技术迭代和性能提升。每一代GDDR内存都在数据传输速率、带宽和能效方面不断优化，满足了GPU和图形处理日益增长的需求。如今，它已成为人工智能和大数据应用领域中最受欢迎的内存芯片之一。GDDR7大战打响三星和SK海力士打头阵目前，三星、美光和SK海力士均已开始提供GDDR7内存样品，GDDR7大战即将拉开序幕。三星和SK海力士在今年3月份NVIDIA的GTC大会上均宣布了各家GDDR7的相关指标。两家公司都展示了16Gb（2GB）密度的产品，24Gb（3GB）更高版本没有在这一波浪潮中展现。按照三星的披露，三星GDDR7芯片能够在仅1.1V的DRAM电压下实现32Gbps的速度，这超过了JEDEC的GDDR7规范中的1.2V，这一性能是通过首次应用PAM3信号实现的。再加上三星特有的其他电源管理创新，能源效率提高了20%，将待机功耗降低50%，从而减少整体功耗。三星还在封装基板方面进行了一些创新，它使用了一种导热性高、热阻低的环氧模塑料（EMC）进行GDDR7封装，以确保有源元件（IC本身）不会过热，与GDDR6芯片相比，热阻降低了70%。这些芯片采用512Mx32组合，采用266针FBGA封装。而SK海力士表示它将提供速度高达40Gbps的GDDR7芯片。与其前身GDDR6相比，最新的GDDR7产品提供的最大带宽达到160GB/s，是其上一代产品（GDDR6位80GB/s）的两倍，功耗效率提升了40%，同时，内存密度提升了1.5倍，使得视觉效果也进一步得到增强。独立的四通道的模式，提高了内存并行处理能力，每个通道支持32字节的数据访问。除了四通道模式，GDDR7还支持双通道模式，提供了灵活的配置选项，以适应不同的应用需求和系统架构。SK海力士GDDR7技术指标（来源：SK海力士）SK海力士GDDR7采用与GDDR6相同的板尺寸，大小为12mmx14mm，这意味着在设计和制造过程中，GDDR7可以直接替换现有的GDDR6模块，而无需对电路板进行重新设计。此外，GDDR7内存还配备了专用的内存实现方案和PCB（印刷电路板）设计，以最大化其性能和效率。（来源：SK海力士）SK海力士的16GbGDDR7芯片基本已经准备就绪，将在今年晚些时候批量出货。三星的也在出样品的过程中。虽然尚不清楚谁将成为三星和SK海力士GDDR7内存的首批客户，但是考虑到两家均在NVIDIAGTC2024上进行展示，这也很清楚地表明NVIDIA是其中之一。姗姗来迟的美光2024年6月4日，美光宣布开始为下一代GPU提供GDDR7内存样品，它有28GB/s和32Gb/s两种速度。新一代GDDR7采用美光科技的1β（1-beta）DRAM技术制造，在能效和性能上实现了大幅提升。美光在宣布这一消息时公布了一些诱人的数字。该公司表示，32Gb/sGDDR7提供的内存带宽比GDDR6高出60%，在384位总线上可达到1.5TB/s的内存带宽。这比其前代产品有了显著的飞跃，前代产品在RTX4090等GPU上的384位内存总线上最高可达1TB/s。同时，工作电压降低至1.2V，上一代为1.35V，美光表示，其GDDR7的效率比GDDR6提高了50%，实现节能的方式主要包括分割电压平面、部分设备运行和休眠模式。采用FBGA更薄的封装高度（1.1mm对比1.2mm）和高热导EMC封装，提供65%更好的热阻，这为台式机和笔记本电脑提供了更好的热管理。美光GDDR6与GDDR7特点比较美光GDDR7的这些特性提升使其在游戏、生成式AI、高性能计算（HPC）领域前景广阔。也就意味着GDDR7可能与HBM相竞争。如美光所述，在游戏领域，GDDR7预计在每秒帧数（FPS）方面可提升超过30%，特别是在光线追踪和光栅化工作负载下；在生成式AI应用中，GDDR7提供超过1.5TB/s的高系统带宽，预计可将生成式AI文本到图像生成的响应时间减少多达20%；对于HPC，GDDR7预计能够减少处理时间，实现复杂工作负载（如动画、3D设计、科学仿真和金融建模）的无缝多任务处理。据美光的公告，其GDDR7内存将于2024年下半年直接从美光以及通过精选的全球渠道分销商和经销商发售。NVIDIA使用美光的内存是板上钉钉了，因为此前美光专门为Nvidia制造了GDDR6x，不过在美光GDDR7的公告中也提到了AMD，因此AMD也可能会加入这一行列。GDDR7最大的技术变化2024年3月，JEDEC发布了GDDR7内存标准规范。JEDEC是微电子行业标准制定领域的全球领导者。如下图所示，GDDR7的每引脚带宽最高可达48Gbps，远高于GDDR6和GDDR6X的24Gbps。在256位总线宽度下，GDDR7的总带宽达到1024GB/sec，显著高于GDDR6和GDDR6X的768GB/sec。GDDR7的工作电压为1.2V，比GDDR6和GDDR6X的1.35V更低。在信号技术上，GDDR7采用PAM-3信号技术，而GDDR6X采用PAM-4，GDDR6则使用传统的NRZ信号技术。GDDR7的最大密度达到64Gb，是GDDR6和GDDR6X的两倍。GDDR7采用266FBGA封装，高于GDDR6和GDDR6X的180FBGA。图表展示了GDDR7相对于前几代在带宽、功耗和封装上的显著改进。来源：anandtechGDDR7最大的技术变化在于内存总线从2位不归零（NRZ）编码转换为3位脉冲（-1、0、+1）幅度调制（PAM3）编码。PAM3使GDDR7能够在两个周期内传输3位数据，仅这一变化就让数据传输效率提高了50%。随着向PAM3信号的转变，内存行业有了一条新途径来扩展GDDR设备的性能并推动图形和各种高性能应用的持续发展。之前的GDDR标准使用非归零（NRZ）技术，通过两种信号电平来传输编码为1或0的数据。这种方法在多个GDDR世代中都足够使用，但随着时钟速度和系统复杂性的增加，成为了一大瓶颈。为了解决这一挑战，美光与英伟达推出了采用多级信号技术的创新GDDR6X技术。美光是唯一提供GDDR6X的公司，GDDR6X利用PAM4信号技术，提供了业界领先的>1.1TB/s带宽。美光在GDDR6X方面的成功和经验为下一代使用类似信号方法的GDDR奠定了基础。虽然PAM3每周期传输的比特数量低于GDDR6X上的PAM4，但PAM3提供了50%的更高电压裕度，并且编码复杂度更低，这减...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1434065.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1434065.htm

美光GDDR7显存将于2024年1月推出 为下一代GPU提供高速存储能力

美光GDDR7显存将于2024年1月推出为下一代GPU提供高速存储能力在图形领域，行业分析师预计，在客户端和数据中心应用程序的支持下，图形技术的TAM复合年增长率(CAGR)将超过更广泛的市场。预计客户库存将在第三季度恢复正常，并于2024年上半年在行业领先的1ß节点上推出下一代G7产品。据美光称，GDDR7内存将基于1ß工艺节点，预计2025年将被1γ工艺节点取代，生产计划于2025年进行。EUV节点将首先在美光台湾工厂生产，该工厂已经安装了EUV功能，然后转移到日本广岛工厂。根据之前的信息我们得知，GDDR7显存已经进入验证阶段，首批解决方案由Cadeance提供给客户。GDDR7内存解决方案将在尚未发挥其峰值潜力的GDDR6和GDDR6X解决方案中取得成功。新标准将支持PAM3信令以及高达36Gbps的更快引脚速度。目前，最快的内存解决方案是NVIDIAGeForceRTX40系列显卡采用的GDDR6X内存解决方案，可提供高达22Gbps的引脚速度，而AMD的RadeonRX7000系列显卡则采用标准20GbpsGDDR6解决方案。仅供比较，36Gbps引脚速度解决方案将提供以下带宽数据：128位@36Gbps：576GB/秒192位@36Gbps：846GB/秒256位@36Gbps：1152GB/秒320位@36Gbps：1440GB/秒384位@36Gbps：1728GB/秒由于三星已经在同时开发其GDDR6W设计和GDDR7解决方案，GDDR6一代还有很多价值可以利用，这将使容量和性能翻倍，而美光预计将在未来将GDDR6X推向更高的速度。该公司已经批量生产24Gbps芯片，但尚未被任何消费级GPU使用。考虑到NVIDIA的AdaLovelace-NextGPU预计要到2025年才会推出，AMD很可能会成为第一个利用美光GDDR7内存芯片的公司。与此同时，NVIDIA是美光在人工智能和数据中心领域的最大客户之一，正在为DGXGH200超级集群和其余的Hopper芯片提供HBM3芯片。GDDR7肯定会大大提高内存带宽，但与GDDR6/GDDR6X芯片相比，它的价格也很高，因此下一代显卡仍需考虑这一因素。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1368107.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1368107.htm