三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度22日讯，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8GbDDR4DRAM通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。——

三星、SK 海力士股价上涨 台湾地区地震停工料提振 DRAM 价格

三星、SK海力士股价上涨台湾地区地震停工料提振DRAM价格三星电子和SK海力士股价上涨，由于地震使得台湾的DRAM工厂停工，芯片价格有望获得提振。此外，SK海力士表示将斥资39亿美元建立它的第一家美国芯片工厂。SK海力士一度上涨逾4.8%，三星电子一度上涨近1.7%。行业研究机构集邦咨询(TrendForce)周三发布报告称，台湾地震后，美光科技、三星电子和SK海力士已暂停了DRAM芯片的报价。花旗在一份报告中表示，停工“可能导致部分DRAM生产中断”，并为记忆芯片制造商在价格谈判中带来优势。

美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制

美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制美国允许韩国三星电子和SK海力士在中国的工厂进口美国半导体设备。这些韩国芯片制造商在进口过程中，也无需经过单独的审批程序。根据韩联社，韩国总统办公室经济首席秘书崔相穆星期一（10月9日）在记者会上宣布上述消息。报道称，美国政府近期通过出口管制部门和国家安全委员会（NSC）经济安全对话渠道向韩方通报，决定将三星电子和SK海力士在华半导体工厂指定为“经验证最终用户”（VEU）。若被纳入该清单，便无需额外获得许可，相当于美国对其出口管制无限期暂停。来源：

韩国：三星、SK 海力士中国工厂获得美国无限期许可，无需单独批准即可获取芯片制造设备

韩国：三星、SK海力士中国工厂获得美国无限期许可，无需单独批准即可获取芯片制造设备据韩联社，韩国总统办公室周一宣布，美国政府决定无限期延长对三星电子和SK海力士公司在华工厂进口美国芯片设备的豁免期限。也就是说，在无需单独批准的情况下，三星电子和SK海力士可以任意向中国工厂供应含美国技术的半导体设备。韩联社表示，美国商务部正在更新其“经过验证的最终用户”名单，以确定哪些实体可以获得特定技术的出口。一旦被列入名单，就不需要再单独获得出口许可，也就意味着美国出口管制政策实际上无限期暂停。SK海力士对此表示欢迎，并认为此决策有助于稳定全球半导体供应链。去年，三星电子和SK海力士已获得美国商务部一年的授权，允许其向位于中国的工厂供应芯片生产设备，这项授权已于今年10月到期。三星电子和SK海力士在中国有多家工厂，并在全球半导体市场中占据重要地位，控制了大部分的DRAM和NAND闪存市场份额。Source:Viavia@Zcocksize_bot投稿：@ZaiHuaBot频道：@TestFlightCN

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK海力士加强DRAM先进工艺份额在去年内存半导体低迷之后，三星电子和SK海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对DRAM的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM和DDR5的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和SK海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向10nm第四代(1a)和第五代(1b)节点的过渡，以生产HBM、DDR5和LPDDR5等高价值产品。但另一方面，由于NANDFlash存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。——

【全球芯片需求疲软，三星、SK海力士第三季度盈利前景黯淡】

【全球芯片需求疲软，三星、SK海力士第三季度盈利前景黯淡】9月25日消息，周日公布的一份行业数据分析显示，由于近期全球存储芯片需求下降，三星电子和SK海力士这两家全球最大的芯片制造商第三季度盈利前景基本上依然黯淡。据韩联社对证券公司在过去一个月内对两家公司的盈利展望进行的分析，三星和SK海力士在6-9月期间的合并营业利润预计分别为12.8万亿韩元（约合90.7亿美元)和2.59万亿韩元。预期中的收益下降主要是由于全球通胀压力不断增加，降低了全球对存储芯片的需求。随着明年第二季度全球芯片行业的复苏，两家公司的盈利将从2023年第四季度开始反弹。