三星电子将与下游厂商就NAND闪存价格谈判 提价15-20%

三星电子将与下游厂商就NAND闪存价格谈判提价15-20%因此,公司决定与大客户展开谈判,以期将价格调整至一个更为合理的水平。此前,国内重量级的NAND相关业者指出,NAND芯片供应商为了实现盈利目标,必将继续积极推高报价。业内人士预测,NAND芯片价格至少需要上涨四成以上,才能使大厂们达到盈亏平衡点。而要实现真正的盈利,未来报价涨幅至少要达到五成,甚至可能更高。对于消费者而言,NAND芯片价格的上涨意味着存储成本的增加。无论是智能手机、平板电脑还是笔记本电脑,它们都离不开NAND芯片作为存储媒介。因此,NAND芯片价格上涨最终会反映在这些消费电子产品的售价上,导致价格上涨。对于NAND芯片供应商而言,价格上涨是他们所期望的。在经历了价格下跌的困境后,他们迫切需要通过涨价来改善盈利能力。在竞争激烈的存储市场中,只有保持健康的盈利水平,才能确保有足够的资金用于研发和生产,从而保持竞争优势。值得注意的是,此前有业内人士预测,未来短期内还有可能掀起一波高达50%的迅猛涨价潮。这无疑将对整个存储市场造成更为巨大的冲击。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1423556.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1423556.htm

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三星电子计划从下月起大幅提高NAND闪存价格

三星电子计划从下月起大幅提高NAND闪存价格今年以来,三星一直奉行减产战略,1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产举措主要集中在DRAM领域,之后下半年三星开始着手大幅削减NANDFlash业务产量,眼下正试图推动NAND价格正常化。如今DRAM已出现价格反弹,而NAND产品仍存突破空间。三星目标是扩大减产规模,降低供应量,再提高产品价格来寻求反转,其期望明年第二季实现NAND盈亏平衡点。SK证券研究员HanDong-hee认为,三星的第二波减产计划和获利优先政策有望带动存储芯片价格反弹。值得一提的是,三星9月已与客户(包括小米、OPPO及谷歌)签署了内存芯片供应协议,DRAM和NAND闪存芯片价格较之前合同价格上调10%-20%。三星电子预计,从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。另外,原厂近期已通知下游厂商,Q4将调涨合约价。不同产品涨幅不同,但涨幅几乎都在双位数水平,其中NANDFlashQ4合约价有望涨一至两成,DRAM则约涨一成。10月初,威刚董事长陈立白表示,存储芯片产业苦熬两年,黑暗将过,2024年下半年更可能出现短缺。他认为,由于三大存储芯片巨头积极减产,效益开始显现,NAND及DRAM近期现货价皆从低谷处呈现双位数反弹。目前业内买卖双方正在洽谈合约价,陈立白估计,DRAM及NANDFlash第四季度合约价将上涨10%-15%,三星甚至计划调涨20%,仍待观察成交价。从行业供给端来看,中信证券预计,2023年行业供给增速将低于需求增速,供需将逐步达到平衡,有助于库存修复,看好存储板块周期2023年下半年见底。需求端而言,目前终端厂商已处于去库存的后期,全年出货有望呈现前低后高,看好2023年下半年至2024年下游需求回暖趋势。总体上,分析师预计下半年随着库存去化,需求逐步回归,行业细分龙头有望迎来业绩修复机会,看好国内存储产业链周期复苏叠加本土化趋势下的投资机遇,建议关注:1)存储模组;2)存储芯片设计;3)存储配套芯片。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1388411.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1388411.htm

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NAND 闪存现货价格持续上涨 DRAM 定价趋势不稳定

NAND闪存现货价格持续上涨DRAM定价趋势不稳定业内消息人士称,NAND闪存现货价格持续上涨,而DRAM定价趋势则不太稳定。随着旺季接近尾声,11月存储现货价格增长放缓。由于芯片厂商持续减产,上游NAND供应依然紧张,存储模组厂商无法在价格进一步上涨之前建立足够的库存。渠道库存压力并未阻止NAND闪存晶圆价格上涨。主流512Gb市场的现货价格强劲上涨,进一步推动芯片供应商实现收支平衡。

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三星加大NAND闪存减产力度,预计年底达50%消息人士称,三星已在2023年上半年将NAND闪存产量削减了20%。预计年底前50%的削减将持续至少一个季度。消息人士还表示,三星减产的目的是加速其工艺技术转型,以改善产品结构。三星将在2023年将128层堆叠第六代V-NAND作为其主要技术,但目标是提高176层和236层NAND供应比例。因此,放弃生产采用成熟工艺制造的第五代V-NAND产品在预料之中。随着市场领导者大幅减产,NAND闪存定价趋势的近期前景看涨。三星512GbNAND闪存晶圆报价从此前的1.40美元上涨至1.60美元左右,市场价格达到1.80美元,甚至更高。预计今年年底512Gb晶圆单价将达到2美元。然而,即使价格达到2美元,对于原始芯片制造商来说,盈利仍将是挑战。随着晶圆成本增加,消费级SSD和企业级解决方案等闪存设备的价格将会上涨。尽管如此,消息人士指出,市场需求能否顺利恢复对于未来维持价格上涨至关重要。品牌手机供应商持有的库存相当低。华为新智能手机的发布是否会鼓励其他中国品牌公司囤积芯片还有待观察。消息人士表示,尽管近期NAND闪存现货价格大幅上涨,但到今年底合约市场可能仅维持5%的小幅涨幅。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1383283.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1383283.htm

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NAND 芯片报价仍未达到厂商盈亏平衡点 未来或再涨 50%

NAND芯片报价仍未达到厂商盈亏平衡点未来或再涨50%NAND芯片价格止跌回升后,目前报价仍与三星、铠侠、SK海力士、美光等供应商达到盈亏平衡点有一段差距。NAND相关厂商表示,NAND芯片供应商为达赚钱目的,将持续强力拉抬报价,预料还要再涨四成以上,才能让大厂达到盈亏平衡点;要能赚钱,未来报价涨幅至少会达五成甚至更高,换言之,NAND行业短期内或将再迎来高达50%的“暴力涨价”。

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一天一价 NAND价格涨势正猛 明年缺货潮要来了?

一天一价NAND价格涨势正猛明年缺货潮要来了?在预期跌价的心态下,各家模块厂改为逐月向原厂议价。但随着原厂集体减产,NAND从8月起涨势强劲,近期每周价格都持续拉升,甚至一天出现一个新价格。供应链更透露,目前内存市场“没有固定价格模式,须等到出货钱才能知道新价格”。在这背后的关键推手便是存储原厂,眼下内存整体市场价涨量缩,原厂主导价格态度强势,不配合涨价已拿不到货。业内人士认为,在这样的涨价氛围下,势必将推升终端成品调涨,唯有终端需求跟进复苏,才能支撑涨价能顺势调升。在存储原厂中,三星的涨价态度或最为强势。月初已有消息称,三星本季度将NANDFlash芯片报价调涨10%至20%之后,已决定明年一季度与二季度逐季调涨报价20%,此举远超业界预期。值得注意的是,就在7日,NANDFlash控制IC厂商群联CEO潘健成表示,随着主要存储芯片厂相继减产,加上部分终端市场回温,NAND市况开始走强、报价上涨;近期客户拉货更趋积极,但市场供给持续因大厂减产受限缩,预期明年将出现缺货潮。存储模组厂威刚此前则表示,随着大厂大幅减产效益浮现,看好存储价格从今年四季度到明年上半年一路上涨,明年起更会进入为期二年的存储多头格局,未来二年市场供给将吃紧并出现缺货状况。TrendForce之前发布研报指出,NAND芯片价格自8月起涨,看好在供应商议价态度转趋强硬情况下,四季度企业级固态硬盘合约价格可望上涨约5%-10%;用户端固态硬盘方面,随着供应商议价能力提高,高低阶用户端固态硬盘产品可望同步上涨,预计四季度合约价将扬升8%至13%。此外,其认为存储器整体涨势有望延续,预计明年一季度MobileDRAM及NANDFlash(eMMC、UFS)合约价仍将续涨,涨幅则视后续原厂是否维持保守的投产策略,以及终端是否有实质买气支撑而定。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1395729.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1395729.htm

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三星、美光闪存先后大涨价 幅度达35%客户也接受

三星、美光闪存先后大涨价幅度达35%客户也接受摩根士丹利在最新报告中指出,由于NAND价格已触底,闪存厂商群联目前已看到来自大陆的模组与智能手机客户需求增强,部分客户甚至已接受了30%至35%的价格上涨。今年8月初,业内就传出消息称,三星已通知客户,打算将512GbNANDFlash晶圆的报价提高到1.60美元,比2023年初的1.40美元的价格上涨了约15%,这一变化最早可能在8月中旬反映在现货市场价格中。有两大厂商私下对此予以证实,并表示“先前该产品1.45-1.48的美元低价位,未来不会再出现了”。随后在8月17日,Digitime爆料称,国内的NANDFlash模组厂近日已暂停报价及接单,将配合原厂(三星)报价调高8~10%。此举将有望拉动NANDFlash价格逐步回升到制造成本线。9月3日,市场研究机构TrendForce发布报告指出,近期NANDFlash现货市场颗粒报价受到晶圆合约价成功拉涨消息带动,部分品项出现较积极询价需求。近日,日系外资也发布报告称,DRAM受AI服务器需求带动,库存水平下滑而价格上涨,NAND Flash价格已经低于供应商现金成本,未来价格下降幅度有限,预计7-9月维持稳定,10-12月份开始回升。存储芯片市场的企稳,主要是得益于铠侠、美光、SK海力士、三星等头部存储厂商的积极减产。有业内人士爆料称,三星已制定生产计划,目标年底NANDFlash库存正常化(6-8周水平)。今年年初,三星NANDFlash库存周转天数超过20周,最高一度飙升至28周,但最近已降至了18周。TrendForce的报告显示,三星最初的减产幅度为25%,第四季减产可能扩大到35%。随着这些头部厂商的持续扩大减产,这也自然将加速存储市场的触底反弹。至于模组厂,由于NANDFlash晶圆涨价已带来成本提升压力,模组厂近期纷纷释出调涨终端产品的意向,主要体现在SSD产品方面,金士顿(Kingston)、Phison等模组厂近期亦回归官方价格来进行交易,不再开放客户另议以低价成交。金士顿还表示,由于产品价格便宜,从8月起拒绝客户降价,并会重建部分NAND库存。另外,据台媒8月31日消息,近1个月来,NANDFlash现货价格持续小幅调升,单月涨幅约达5%,逐渐靠拢合约价。不过也有机构提醒,由于相关采购订单是基于供应端报价调涨而涌现,是否有实际终端订单支撑仍待观察。近期,康佳集团旗下存储企业——康盈半导体创始人兼CEO冯若昊在接受芯智讯采访时也表示,近期上游NANDFlash原厂确实在涨价,涨幅大概在10%左右,但是对于模组厂来说,想配合,但是客户端并不一定会接受,所以客户都还是在观望。但是随着上游原厂持续减产,以及一些需求的缓慢恢复,四季度随着供应持续减少,客户库存消耗加速,会达到供需平衡或者供应偏紧张的情况,从而带动整体市场对于涨价的接受。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1382529.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1382529.htm

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