ARM 制裁俄罗斯芯片制造商

ARM制裁俄罗斯芯片制造商英国政府周三在其制裁名单上增加了63个俄罗斯实体。其中包括贝加尔电子公司和MCST（莫斯科SPARC技术中心），这是俄罗斯最重要的两家芯片制造商。这两个被制裁的实体现在将被拒绝使用ARM架构，因为被许可人Arm有限公司的总部在英国剑桥，它将不得不遵守制裁规定。这两家公司被认为对俄罗斯的技术独立努力至关重要，因为他们有望挺身而出，弥补因缺乏英特尔和AMD等西方芯片制造商制造的处理器而造成的短缺。...在苛刻的应用中测试过这些芯片的俄罗斯公司和组织报告说，它们无法与行业标准的产品竞争，一些公司甚至称它们是根本没法用的。虽然这些处理器，以及贴着贝加尔湖和MCST标签的更差的中级和低级芯片，没有令人印象深刻的性能，但它们可以在短缺期间保持俄罗斯IT部门的一些重要部分。事实上，MCST最近吹嘘它成功地填补了国家市场的空白，"急于拯救"俄罗斯企业和关键组织。然而，Baikal和MCST处理器是由外国代工厂生产的，比如三星和台积电的，这两家不会为了促进俄罗斯的利益而违反Arm的许可规则和国际法。贝加尔公司持有16纳米的有效生产许可，但其即将推出的机型只有设计许可，没有生产许可，所以唯一的解决办法是在国内进行生产，而无视规则。不过这又是一个大问题，因为俄罗斯的芯片生产技术已经完全过时了，目前能够以90纳米节点工艺生产。这也是英伟达在2006年用于其GeForce7000系列卡的技术。俄罗斯政府已经批准在2022年4月投资3.19万亿卢布（382亿美元）来应对这一问题，但提高本地生产将需要很多年。在最乐观的情况下，俄罗斯代工厂将能够在2030年生产28纳米的芯片。——bleepingcomputer（节选）

台积电规划1nm芯片制造工艺，计划到 2030 年实现 1 万亿晶体管的单个芯片封装

台积电规划1nm芯片制造工艺，计划到2030年实现1万亿晶体管的单个芯片封装据Tom'sHardware 报道，在本月举行的IEDM2023会议上，台积电制定了提供包含1万亿个晶体管的芯片封装路线，这一计划与英特尔去年透露的规划类似。当然，1万亿晶体管是来自单个芯片封装上的3D封装小芯片集合，但台积电也在致力于开发单个芯片2000亿晶体管。为了实现这一目标，该公司重申正在致力于2nm级N2和N2P生产节点，以及1.4nm级A14和1nm级A10制造工艺，预计将于2030年完成。——，

俄罗斯国产CPU封装良品率极低 可能难以满足该国市场需求

俄罗斯国产CPU封装良品率极低可能难以满足该国市场需求贝加尔电子主要生产的是基于Arm架构的处理器，制程方面大约在28~16nm的附近，即便些制程已经非常老旧了，但俄罗斯仍然缺乏成熟的晶圆加工技术。因此贝加尔电子设计出来的芯片想要投放到市场还是个大问题，日前莫斯科商业日报发布消息称，贝加尔电子正在扩大晶圆代工厂合作伙伴，主要原因是现在的代工良品率过低。报道称目前由GS集团代工的贝加尔电子主力产品等，超过一半的成品存在缺陷，主要原因是设备校准问题和缺乏技术人员。对于这种情况贝加尔电子已经无法容忍，因此决定聘请Milandr和Mikron来协助进行晶圆代工，希望可以通过引入更多合作伙伴来提高良品率和最终芯片产量。不过知情人士也透露目前俄罗斯只能封装少量的处理器，这些处理器出现很多缺陷，制造商无法在所有产品上保持一贯的高水准。值得注意的是芯片良品率方面，即便是台积电也存在较低的良品率，不过这种情况一般只出现在新的先进制程上，例如3nm这样的业界目前领先的制程之一，而对于28~16nm这类成熟的制程，无论台积电还是其他代工厂一般都可以提高非常高的良品率，毕竟这些芯片的代工价格本来就已经很低了，良品率再低的话能不能赚钱都是个问题。最后目前这种情况俄罗斯也不需要考虑芯片性能问题了，贝加尔电子的Baikal-S系列主力产品的性能还不如华为鲲鹏920和英特尔至强金牌6230，这两款处理器都是2019年推出的产品，如果拿来对比2023~2024年的新产品，那差距估计就不是一般的大了。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1425610.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1425610.htm

俄罗斯首台光刻机 真的制造成功了？

俄罗斯首台光刻机真的制造成功了？当时，IPFRAS计划在六年内打造出俄罗斯自产7nm光刻机的工业样机，2024年将创建一台“Alpha机器”，2026创建"测试机"，2026年～2028年俄罗斯本土光刻机将获得更强大的辐射源，改进的定位和进给系统，并将开始全面的工作，2028年，这些设备全面运行。时隔两年，俄罗斯所说的真的实现了——首台光刻机正式制造成功并进入测试。有实际意义的突破据塔斯社报道，俄罗斯第一台能够生产最大350nm（行业一般说0.35μm）尺寸芯片的光刻机已经创建并正在测试中。俄罗斯联邦工业和贸易部副部长瓦西里·什帕克（VasilyShpak）在CIPR期间向塔斯社报告了这一点。他表示，“我们组装并制造了第一台国产光刻机。作为泽廖诺格勒技术生产线的一部分，目前正在对其进行测试。”俄罗斯接下来的目标是在2026年制造可以支持130nm工艺的光刻机。去年10月有报道称，第一台俄罗斯国产130nm光刻机原型可能在2026年之前问世。再下一步，将是开发90nm光刻机。他说："我们将继续逐步向90nm及以下迈进。因此，俄罗斯不会止步于此，同时已经在实施一项全面的电子工程项目。尽管350nm的芯片虽然被认为是大尺寸芯片，但仍具备一定实际的意义，可用于许多行业，包括汽车行业、能源和电信行业。欧盟此前在俄罗斯武器上发现大量民用芯片，包括洗衣机，洗碗机等家电用具，这也是无奈之举。而接下来，或许俄罗斯可以进而实现“洗衣机芯片”自由。网友也给出了俄罗斯未来的路线：优化一下，就能180nm，看产出，每小时出几片，套准精度3-sigma多少纳米。加上doublepattern，其他指标ok，就能90nm，65nm也有机会了。光源改进一下，i-line换ArF193纳米，不就进28nm了吗？不过，目前还不太清楚俄罗斯所说的350nm（0.35μm）光刻机是哪种类型光刻机，此前俄媒曾提到过基于同步加速器和/或等离子体源”的无掩模X射线光刻机，而从目前来看350nm（0.35μm）的波段达到i线（365nm）。各个工艺节点和光刻技术的关，图源丨中泰证券350nm芯片，什么水平历史上，350nm（0.35μm）诞生于1995年，现在依然拥有产品应用，主要是一些不太刚需制程的特色工艺产品，比如模拟芯片、功率半导体、传感器或者低端MCU、军工产品。除此之外，其应用可能还包括各类FPV和“自杀小摩托”这些属于一次性用品，使用时间比较短。作为对比，半导体制程工艺发展史简单总结如下：1971年，10μm工艺是当时最高工艺，代表芯片是Intel1103DRAM、4004CPU（1971）、8008CPU（1972）;1974年，步入6μm工艺，大名鼎鼎的Intel8080便采用这一制程；1977年，3μm工艺开启元年，从此x86处理器Intel8086（含8085、8088）正式诞生；1982年1.5μm工艺用在Intel80286上，1985年1μm工艺用在Intel80386上，1989年，0.8μm工艺用在Intel80486上；1995年，0.35μm（也就是350nm）工艺开启元年，PentiumP54CS、IBMP2SC（1996）、IBMPOWER3（1998）都采用了这一工艺；1997年，主节点为0.25μm工艺，开始引入国际半导体技术路线图（ITRS）主节点和半节点定义，即：1998年半节点220nm工艺，1999年主节点0.18μm工艺（180nm），2000年半节点150nm工艺；2001年，130nm是当时的主节点，典型芯片是130nm的奔腾3处理器，2002年半节点为110nm工艺；2004年，步入90nm元年，英特尔、英飞凌、德州仪器、IBM、联电和台积电基本都能达到90nm，典型芯片包括90nm的奔腾4处理器；2012年，制程步入22nm阶段，此时英特尔，联电，联发科，格芯，台积电，三星等厂商都具备生产能力；2015年联电止步于14nm，2017年英特尔卡在了10nm，2018年格芯放弃7nm，此时先进制程的战场只剩下台积电和三星；2019年6nm量产导入，2020工艺5nm开始量产，而国内也开始量产14nm芯片；2024年，随着英特尔开始重新重视制程技术，英特尔、台积电、三星正在争夺2nm的先发地位。当然，毕竟350nm（0.35μm）芯片性能较差，面对现代比较复杂的应用需求，使用过程中芯片热量会急剧增加，从而继续带来更大的性能损耗，因此在数字芯片中更多可能是将就用，比较追求性能的消费产品可能更是无法使用。难点还有很多当然，芯片制造也不是说有了光刻机就行了。《光刻技术六十年》中写道，在芯片制造的全流程中，整个过程涉及几十道光刻工艺，每一道光刻工艺之后紧接着是众多复杂的半导体IC平面加工工艺。这些工艺中的每一道又细分成多道工序，而每一道工序又由多个步骤组成，每一步骤都至关重要，不容有失。这有多难？就比如，看似最简单的基片表面处理和清洗步骤，也需要重复多次，其中一步出了问题，整个IC制造过程就全部报废。因此，每一步骤出问题的可能性被严格控制在0.000001%以下。由于每一步骤都是在前一步的基础上进行的，最终成品率是每一步成功率的乘积。若整个流程包含超过两千个步骤，即使每一步都能达到99%的成功率，最终生产出来的成品率也只有0。因此在芯片制造技术中，好的设备很关键，尤其是需要高精度的光刻机，但有了好的工艺设备后，人才是最关键的。在芯片制造技术中，最难的在于如何建立一个能够齐心协力的团队，这需要整个公司上上下下所有人都是最敬业的。世界上没有任何一个人为制造出来的东西，可以像芯片这样要求百分之百精准度。3月，Tomshardware就曾报道，受欧美制裁影响，俄罗斯本土最大芯片设计厂商贝加尔电子芯片制造只能更多的交由国内厂商，当地的芯片封装合作厂商的生产良率仅有50%。注意，这里并非生产良率，而是封装良率。如果晶圆制造厂、Foundry厂和封测厂三个站点的良率均为99%，则：总良率=99%X99%X99%=97%。所以，50%的封装良率切实影响着俄罗斯的芯片生产，因此，俄罗斯要突破的还有很多。最后还是要说，不要轻易取笑，毕竟有志者事竟成。而从从技术角度来看，俄罗斯也是在重新发明轮子。付斌丨作者...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432431.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1432431.htm

台积电：不排除在日本生产先进芯片 2nm研发顺利

台积电：不排除在日本生产先进芯片2nm研发顺利在记者会上，台积电表示日本工厂将以日本客户为中心，预计将有持续且旺盛的需求。据此前消息，该工厂规划生产22/28nm以及12/16nm芯片，月产能目标为5.5万片晶圆。图源：台积电另据日媒电波新闻报道，台积电在发布会上强调，2nm制程工艺（N2）研发顺利，能够按照此前目标于2025年量产。此外，张晓强还表示，256MbSRAM的良率已经超过50%，研发目标80%以上已完成。台积电此前生产的车用芯片多依赖成熟制程制造，但随着电动汽车、自动驾驶等普及，台积电正在加快引进最先进的技术。张晓强表示，通过导入新技术平台“AutoEarly”，将使车用芯片引入3nm技术的时间最少提前2年。集微网此前报道，台积电“日本一厂”预计将于2024年底启用投产，而日本二厂正在规划中，预计总投资超过1万亿日元，有望引入5-10nm先进制程。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1368639.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1368639.htm

俄罗斯自研16nm 48核处理器成功装机

俄罗斯自研16nm48核处理器成功装机6路72bit存储接口，支持最大768GBDDR4-3200ECC内存，5路PCIe4.0x16，一个USB2.0控制器，两个千兆接口，还有SATA、U.2硬盘接口等。据了解，Baikal-S1000采用台积电16nm工艺制造，但因为地缘冲突，现在没有后续供货了。甚至这张主板上的处理器，还是非量产版本。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1339473.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1339473.htm