传任天堂Switch 2将于今年下半年发布 OLED版本已在生产中

传任天堂Switch2将于今年下半年发布OLED版本已在生产中然而，三星泄密者康纳（OreXda）今天上午在Twitter/X.Twitter上写道：任天堂Switch2可能会在2025年3月发布：任天堂Switch2预计最早将于今年下半年推出。元件行业已经就初期生产谈妥了重要合同。TegraT239-由三星晶圆代工厂7LPH生产，LCD机型可能会首先发布（使用夏普显示屏）。从这些信息（尽管事实证明OreXda对三星芯片组相当了解，但仍应将其视为传闻）中，我们可以猜测OLEDNintendoSwitch2已经开始生产，但将在LCD机型之后的某个时间发布。今年早些时候，Omdia的一位分析师也表示，下一代任天堂游戏机将于2024年发布，配备8英寸LCD屏幕。让我们回顾一下我们从早些时候的可靠传言中了解到的有关任天堂Switch2的信息。NVIDIATegra239SoC将结合拥有1280个CUDA内核的AmpereGPU架构和8个CortexA78ArmCPU内核，以及12GB内存。游戏卡将配备读取速度达1.4GB/S的三星第五代V-NAND。该游戏机预计将支持NVIDIADLSS超级分辨率和光线重建（由于其GPU架构，任天堂Switch2也将具备硬件光线追踪功能），但不支持DLSS帧生成。即使有了这些技术，它的性能也无法与当前最低的一代游戏机XboxSeriesS相提并论。按照这样的配置，即使是Valve的SteamDeck也可能更胜一筹。不过，DigitalFoundry最近指出，这并不重要，因为NintendoSwitch2将收到专为其硬件定制的游戏，这与Valve的便携式PC不同。最后但并非最不重要的一点是，据传定价在399美元到499美元之间。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1428746.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1428746.htm

三星正准备量产第8代V-NAND闪存 持续改进存储密度与传输性能

三星正准备量产第8代V-NAND闪存持续改进存储密度与传输性能三星正准备量产第8代V-NAND闪存，包括即将推出的PCIe5.0SSD在内的产品，都有望为用户带来巨大的存储容量和性能体验提升。随着V-NAND升级到236层，同等存储容量的体型也可变得更加紧凑。作为参考，去年发布的第7代V-NAND已提供176层、且支持高达2.0GT/s的传输速率。除了台式机和笔记本电脑，智能手机也有望迎来基于最新一代V-NAND的UFS3.1（以及最新的UFS4.0）标准的高速闪存。不过想要堆砌更多层的3D-NAND也并非易事，尽管三星早在2013年就率先发布了初代V-NAND，但实际推行仍相当谨慎。于是在突破200层大关的时候，三星分别被美光（232L）和SK海力士（238L）给反超。直到去年提供超过200层的V-NAND闪存样品，三星才逐渐积累了所需的先验知识。虽然我们尚未知晓三星第8代V-NAND的确切规格参数，但新一代产品势必会带来性能与密度的大幅提升。作为参考，美光声称其232层NAND可实现单颗2TB容量，以及11.68GB/s读取和10GB/s的写入速度。在将上述特性缩放到一张邮票大小的芯片上的同时，整体读取延迟也有所改进，意味着传输速度的继续提升。最后，随着AMD锐龙7000和英特尔RaptorLake平台即将上市，相信三星页会很快向客户交付更大容量@10+GB/s速率的固态驱动器。相关文章:SK海力士基于UFS4.0规范的238层V8NAND最早明年上半年量产JEDEC宣布UFS4.0新标准和其它附加闪存规范技术支持更新...PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1306233.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1306233.htm

任天堂Switch 2可能采用三星 OLED 显示屏 发布时间早于预期

任天堂Switch2可能采用三星OLED显示屏发布时间早于预期虽然我们收到的关于任天堂Switch2将采用哪种面板的信息相互矛盾，但今天的消息似乎更可信地证实了关于两款不同上市SKU的传言，其中可能会有一款采用LCD面板的廉价机型和一款采用更好的OLED面板的昂贵机型。由于尚未正式发布，很难说任天堂Switch2最终将于何时发布。虽然一切似乎都指向2024年晚些时候发布，但正如可靠的技术泄密者Ravengus今天所说的那样，这款游戏机有可能比预期的时间更早发布。任天堂总裁古川俊太郎（ShuntaroFurukawa）今年早些时候曾表示，从系统发布到正式发售的时间不会太长，因此泄密者所说的2024年初的时间窗口可能有一定道理。任天堂Switch2尚未正式发布。一旦有更多关于这款游戏机的消息，我们将及时更新。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1401921.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1401921.htm

三星准备于5月推出290层3D NAND 计划于明年提升到430层

三星准备于5月推出290层3DNAND计划于明年提升到430层据报道，三星是通过改进闪存层堆叠技术实现290层垂直堆叠密度的，这种技术依赖于通过在闪存层中增加存储孔来增加层数。这样做的代价是每个晶圆的数据密度，但增加层数带来了净收益。报道第9代V-NAND的同一消息来源还称，该公司计划在2025年初推出其后续产品--第10代V-NAND。第10代V-NAND闪存预计将达到430层，比第9代V-NAND闪存增加140层（第9代V-NAND闪存比上一代增加54层）。这将使三星与其竞争对手Kioxia、SKHynix、美光科技和YMTC重新走上正轨，向2030年实现1000层3DNAND闪存的宏伟目标发起冲击。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1427377.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1427377.htm

消息称任天堂明年第 1 季度推出 Switch 2 游戏掌机

消息称任天堂明年第1季度推出Switch2游戏掌机=========消息称任天堂Switch2游戏掌机在插电使用情况下，峰值输出功率为28.6W；在便携式模式下，峰值输出功率为11W。屏幕方面，Switch2开发硬件配备 720POLED屏幕，支持24gbpsHDMI2.1，不支持120Hz刷新率，不过支持 10bitHDR和4K60输出。在存储方面，Switch2配备支持UHS-II的256GB存储，读取和写入速度与三星S22相似，读取速度为550mbps，写入速度为480mbps。https://m.ithome.com/html/704609.htm

三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产

三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产据悉，第九代V-NAND闪存凭借其超小的单元尺寸和极致的叠层厚度，实现了比上一代产品高约50%的位密度。新技术的运用，如单元干扰避免和单元寿命延长，不仅提升了产品的质量和可靠性，而且通过消除虚通道孔显著减少了存储单元的平面面积。此外，三星展现了其在制造工艺上的卓越能力，通过采用先进的“通道孔蚀刻”技术，该技术能够在双层结构中同时钻孔，达到业界最高的单元层数，从而最大限度地提高了生产效率。随着闪存单元层数的增加，对更复杂蚀刻技术的需求也日益凸显。值得一提的是，第九代V-NAND还配备了新一代的NAND闪存接口“Toggle5.1”，使数据传速速度提升了33%，最高可达到每秒3.2Gbps。同时，三星还计划通过增强对PCIe5.0的支持来进一步巩固在高性能固态硬盘市场的地位。与上一代相比，第九代V-NAND还在低功耗设计上取得了显著进步，功耗降低了10%，这一改进使得新型闪存成为未来低能耗应用的理想选择。目前，三星已经开始了第九代1TbTLCV-NAND的量产，并计划在今年下半年推出四层单元（QLC）的第九代V-NAND产品。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1428345.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1428345.htm